锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。     

Nb约瑟夫森结中AlO_x阻挡层阳极氧化的研究

用阳极氧化电压谱图技术分析Ｎｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ约瑟夫森结中ＡｌＯ２隧道阻挡层（绝缘层）与Ｎｂ电极之间的介面特征并测量谱图阻挡层阳极氧化的电压宽度，发现这种电压宽度与阻挡层厚度密切相关．通过阻挡层阳极氧化电压宽度Ｖｗ和沉积Ａｌ厚Ｄ的关系测量，证实Ａｌ上ＡｌＯｘ的生长只取决于氧化条件而与沉积的Ａｌ层厚度无关．本文还提出了一种由Ｖｗ估算Ａｌ上生长的ＡｌＯｘ厚度的方法．实验证明，阳极氧化电压谱图技术是监测约瑟夫森结的介面特性和临介电流密度的有用工具，对高温超导结及其超导器件的开发起着重要的作用．     

纳米Al2O3薄膜的结构与性能

本工作用直流叠加方波脉冲电流，对铝合金进行阳极氧化，制得了纳米Ａｌ２Ｏ３薄膜；用透射电镜、介电场强和显微硬度测定以及荧光光谱等手段研究了它的显微结构和有关物理性质。结果表明纳米Ａｌ２Ｏ３薄膜具有较高的介电强度、硬度和相对强度为６８．２％的兰绿色荧光发光谱等优异性能。     

Cu—Mn—Pt／γ—Al2O3系列催化剂中组分间的活性增强效应

通过ＣＯ氧化活性测试，采用ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＴＰＲ等方法表征，研究了Ｃｕ－Ｍｎ－Ｐｔ／γ－Ａｌ２Ｏ３系列催化剂中组分间的活性增强效应，并对其固相结构和表面组成进行表征．结果表明：（１）氧化型ＣｕＭｎ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂中Ｃｕ和Ｍｎ之间存在一定的活性增强效应，两种活性组分发生协同作用；（２）还原型Ｐｔ－Ｃｕ／γ－Ａｌ２Ｏ３和Ｐｔ－Ｍｎ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂的氧化活性在系列中最高，Ｐｔ－Ｍｎ／γ－Ａｌ２Ｏ３的ＣＯ氧化活性增强效应最为显著．这与加人Ｐｔ后，Ｃｕ２＋易被还原，Ｃｕ＋明显增多有关；（３）同时含有Ｃｕ、Ｍｎ组分的几种催化剂中，催化剂表面上Ｃｕ均有一定富集，加人Ｐｔ后，表相以Ｃｕ＋为主．由于Ｃｕ－Ｍｎ－Ｐｔ三元催化剂的制备方法不同，以致氧化活性相差很大，共浸制备较分浸制备的催化剂活性要好的多．     

硅酸铝短纤维增强铝硅合金复合材料的强度特性与界面结构

用挤压铸造法制备硅酸铝短纤维（Ａｌ２Ｏ３·ＳｉＯ２）增强铝硅（ＡｌＳｉ）合金复合材料,测试了复合材料的室温及高温强度,并利用透射电镜观察了Ａｌ２Ｏ３·ＳｉＯ２纤维与ＡｌＳｉ合金基体界面．结果表明：３％～１０％的硅酸铝短纤维的加入使复合材料的室温及高温强度大大提高,在硅酸铝纤维与基体界面上存在两种反应物：一种物质是ＭｇＡｌ２Ｏ４,另一种物质含有Ｓｉ和Ｐ,且二者原子之比为３∶４,呈正交结构,点阵常数为ａ＝０．７１４ｎｍ,ｂ＝１．４２８ｎｍ,ｃ＝２．４０９ｎｍ．     

AI~(3 ),Ph~(2 )掺杂提高SIO_2驻极体正电荷贮存性能

运用熔凝工艺在非晶态ＳｉＯ２薄膜驻极体中掺入质量分数为０．２的Ａｌ２Ｏ３和质量分数为０．４的ＰｂＯ．高温恒栅压正电晕充电及等温电荷衰减等实验表明,经Ａｌ(３＋)和Ｐｂ(２＋)离子掺杂改性的ＳｉＯ２薄膜（ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＰｂＯ）具备较好的正极性驻极体性能,其正电荷储存稳定性在２１０ｄ后高于９５％;热激放电（ＴＳＤ）正电荷电流谱成为简明的负向放电曲线,峰值稳定于ｔ＝２９０℃附近;薄膜成形温度降低为８００℃左右,工艺得到简化．这表明有针对性的离子掺杂可以有效改善ＳｉＯ２薄膜体内的微观网络结构,从而提高其电荷注人与存储能力．     

不同制备方法镧改性对γ-Al2O3的高温热稳定作用研究

用浸渍法以及ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了镧改性的Ａｌ２Ｏ３,考虑了ｘ（Ｌａ２Ｏ３）／ｘ（Ａｌ２Ｏ３）为０．００５～０．１０时,热处理温度（６００～１１５０℃）及制备方法等因素对Ａｌ２Ｏ３的热稳定作用的影响,ＢＥＴ比表面积和粉末Ｘ光衍射结果表明,高温下镧物种的引入能显著地抑制氧化铝比表面积的损失和α相变,而且制备方法和过程不同,对Ａｌ２Ｏ３的改性效果也不同,ｘ（Ｌａ２Ｏ３）／ｘ（Ａｌ２Ｏ３）为０．０２时     

无限层薄膜（Sr,Ca）CuO2的相分析

采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）方法在４００￣６７０℃和７￣７０Ｐａ氧压下制备了（Ｓｒ,Ｃａ）ＣｕＯ２无限层薄膜。通过薄膜的Ｘ光衍射（ＸＲＤ）测量来进行薄膜的相分析。Ａ２ＣｕＯ３＋δ（Ａ代表Ｓｒ,Ｃａ）相在ＳｒＴｉＯ３,ＬａＡｌＯ３,ＣａＮｄＡｌＯ４和ＭｇＯ衬底上在４００￣６００℃极易生成,而无限层ＡＣｕＯ２＋δ相只能在高于４７０℃和相配的ＳｒＴｉＯ３和ＬａＡｌＯ３衬底上生成。在ＳｒＴｉＯ３衬底上当温度     

Na_3AlF_6-5%Al_2O_3熔体对铝电解机械掺杂碳阳极的润湿性研究

采用机械掺杂法制备了掺有不同复合氧化物粉末的碳阳极,并测试了熔融状态下Ｎａ３ＡｌＦ６５％ Ａｌ２Ｏ３ 熔体对不同掺杂电极的润湿性．实验结果表明,掺有ＬｉＡｌＯ２ 和ＣａＡｌ２Ｏ４ 的碳阳极对熔盐显示了较好的润湿性．     

Si（001）／α—Al2O3（1102）（SOS）膜取向的表征

通过理论分析提出了一种在Ｓｉ（００１）／α－Ａｌ２Ｏ３（１１０２）ＳＯＳ膜上，标定出Ｓｉ」１１０「方向的方法，并在实验中得到验证。该法便于精确控制和检测制作薄膜的外延方向，为制作性能优异的ＳＯＳ膜压力传感器提供了可靠的质量保证。     

阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究

阳极化多孔氧化铝是典型的自组织的纳米结构材料,我们用认阳极氧化法制备了多孔氧化铝膜,从得到的ＡＦＭ图象及ＦＦＴ变换,证明了在适当的电解条件下,多孔氧化铝膜具有序的六角分布的纳米孔道。     

适用于微传感器的纳米多孔铝膜的制备研究

在单晶硅表面溅射铝,采用两步阳极氧化法制备纳米多孔铝膜.研究了电解液种类、阳极氧化时间、扩孔时间对孔的结构与形貌的影响.结果表明,与硫酸和磷酸相比,草酸是制备纳米孔阵列的相对方便与可靠的电解液;第二步阳极氧化时间对孔的均匀性及孔深度影响较大,对平均孔径的影响较小;扩孔时间的长短对孔径大小及孔的均匀性均影响显著.     

多孔阳极氧化铝膜的生长规律

采用2次阳极氧化的方法制备了多孔阳极氧化铝膜.主要研究了阳极氧化电压、电解液种类、阳极氧化时间和阳极氧化温度对多孔阳极Al2O3膜生长的影响.并通过扫描电镜观察了其表面结构.讨论了多孔Al2O3膜生长的规律.     

Formation of crystalline TiO2 by anodic oxidation of titanium

Formation of crystalline TiO2(anatase) films by anodic oxidation of titanium foils in ethylene glycol(EG) based electrolytes at room temperature has been investigated.By varying the anodizing parameters such as the amounts of water and NH4 F added,applied voltage and anodization time,anodic TiO2 films with different crystalline structures were obtained.Scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),and X-ray powder diffraction(XRD) characterizations were employed to determine the morphologies and crystalline structures of as-prepared anodic TiO2 films.The results indicate that crystallization of anodic TiO2 films was generally facilitated by high fluoride concentration,high applied voltage and longer anodization time,and the formation of anodic TiO2 films with best crystallinity could only be achieved when optimized amounts of water were added.     

纳米SiO2/PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究

高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米SiO2对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备了不同SiO2含量的纳米SiO2/PI复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装置,对纳米SiO2/PI复合薄膜室温至低温(77 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了SiO2含量、外加载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系.     

Al阳极氧化及涂膜后处理的微观组织及性能研究

为了提高铝的硬度及耐蚀性能,利用硫酸阳极氧化法对铝板材进行表面处理。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、显微硬度计和滴碱试验等对获得的氧化膜进行观察和性能分析。结果表明,铝硫酸阳极氧化膜具有多孔性,氧化膜主要以非晶态的形式存在,膜厚度处于5～19μm。随着阳极氧化时槽电压、电流密度和氧化时间的增加,氧化膜的厚度、耐蚀性和硬度增加;提高电解液温度和浓度,氧化膜的硬度、耐蚀性和厚度则下降。对氧膜化进行PTFE涂膜后处理能有效地改善氧化膜的多孔结构。     

多循环快速热退火诱导普通玻璃衬底非晶硅薄膜晶化

介绍一种使用快速热退火设备,经多次循环退火诱导,在普通玻璃衬底上生长非晶硅薄膜晶化的实验方法.利用拉曼（Raman）光谱、原子力显微镜（atomic force microscope,AFM）、紫外可见分光光度计（UV-VISspectrophotometer）和霍尔（Hall）测试系统对薄膜的结构、形貌及电子迁移率进行测试.结果表明,当退火温度达到680℃时,薄膜开始出现晶化现象;随着快速热退火次数的增加,拉曼光谱在500 cm^-1处测得多晶硅特征峰;在循环退火5次后,其最佳晶化率达到71.9%,光学带隙下降,晶粒增大,载流子迁移率提高.     

磁场作用下氧化铝模板孔洞平行于衬底生长的方法

通过对阳极氧化法制备氧化铝模板的原理和过程分析，提出了在阳极氧化过程中引入一定强度和方向的磁场，用以控制氧化铝模板生长过程中铝箔内部电流流向，进而实现氧化铝模板孔洞平行衬底生长的一种新方法．从而克服了传统的“一次阳极氧化”或“二次阳极氧化”方法制备的氧化铝模板只能实现氧化铝模板孔洞阵列垂直于衬底生长，限制了其在许多重要领域中的应用这一问题．在原理上探讨了用磁场控制实现氧化铝模板孔洞阵列平行于衬底生长的可行性．并设计了相应的实验装置．     

Influence of substrate metals on the crystal growth of AlN films

AlN films were deposited by reactive radio frequency (RF) sputtering on various bottom electrodes, such as Al, Ti, Mo, Au/Ti, and Pt/Ti. The effects of substrate metals on the orientation of AlN thin films were investigated. The results of X-ray diffraction, atomic force microscopy, and field emission scanning electron microscopy show that the orientation of AlN films depends on the kinds of substrate metals evidently. The differences of AlN films deposited on various metal electrodes are attributed to the differences in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the AlN material and substrate metals. The AlN film deposited on the Pt/Ti electrode reveals highly the c-axis orientation with well-textured columnar structure. The positive role of the Pt/Ti electrode in achieving the high-quality AlN films and high-performance film bulk acoustic resonator (FBAR) may be attributed to the smaller lattice mismatch as well as the similarity of thermal expansion coefficient between the deposited AlN material and the Pt/Ti electrode substrate.     

Microstructure and optical properties of Ag5In5Te47Sb33 phase change thin films with high reflection in thermal annealing process

The microstructure and optical properties of Ag-5In-5Te 47Sb 33 phase change films with high reflection in the thermal annealing process were systematically reported. The as_deposited film is amorphous and its crystalline temperature is 160℃. The annealed films are crystalline. The crystalline phases are AgInTe-2, AgSbTe-2 and Sb when annealed at low temperature. When annealed at 220℃, the AgInTe-2 phase disappears and the amount of AgSbTe-2 is the largest. The research of electronic transmission microscopy shows that the morphology of AgSbTe 2 is sphere and that of Sb is bludgeon. The reflection of the annealed films is higher and reaches its peak value at 220℃.