用喷涂法和溶胶—凝胶工艺制备PT／SnO2（Sb）／SiO2薄膜

用喷涂法在石英玻璃衬底上制备Ｒｓ为１００－２００Ω／ｃｍ＾２的ＳｎＯ２（Ｓｂ）透明导电薄膜，并且以ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２为衬底和底电极，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰｂＴｉＯ３（ＴＰ）。薄膜。ＴＰ膜为多晶，与ＳｎＯ２（Ｓｂ）膜之间不存在界面反应。     

Ca_8Mg（SiO_4）_4Cl_2中Ce~（3＋）的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ（３＋），并对其进行了光谱测试．分析了Ｃｅ（３＋）在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体学格位．测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ（３＋）的发射光谱为一峰位在４１０ｎｍ～４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中心的Ｃｅ（３＋）占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ（Ⅱ）格位．     

Al2O3—SiO2（sf）／Al—Si复合材料残余应力的研究

采用Ｘ射线法Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２（ｓｆ）／Ａｌ－Ｓｉ复合材料残余应力进行了研究。结果表明Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２（ｓｆ）／Ａｌ－Ｓｉ复合材料中存在较大的残余应力;残余应力的大小随纤维含量的增加而增加,且受到纤维分布的影响。在纤维定向增强的复合材料中,残余应力具有各向异性,平行纤维方向的残余应力最大,垂直纤维方向的残余应力最小。     

SiO2膜驻极体的表面化学处理及其P—型硅基片的晶向选择

ＳｉＯ２膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明：１１５ｄ之内ＳｉＯ２膜的表面电位衰减小于或等于６％。本文通过对不同晶向的ＳｉＯ２膜对比研究发现：Ｐ（１００）基片上生长的ＳｉＯ２膜驻极性能优于Ｐ（１１１）。根据实验结果，我们讨论了影响ＳｉＯ２膜驻极性能的机制。     

电镀锌钢板CrO3—H3PO4—SiO2体系钝化膜

研究了电镀锌钢板ＣｒＯ３－Ｈ３ＰＯ４－ＳｉＯ２体系钝化膜的成分与结构，并对钝化膜的耐蚀性及其原因进行了探讨，结果表明，该钝化膜是１种由ＣｒＯ３，Ｃｒ（ＯＨ）３，ＣｒＯＯＨ，ＺｎＣｒＯ４，ＺｎＳｉＯ３，Ｚｎ３（ＰＯ４）２，ＣｒＰＯ４和ＳｉＯ２等化合物组成的，具有凝胶网络状结构的厚型复合转化膜，这种膜具有良好的屏蔽效应和缓蚀作用，能明显了改善镀锌钢板抗白锈的能力，它的耐蚀性是ＣｒＯ３－ＳｉＯ２体系钝化     

射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．     

刚性无机粒子对PDMS／PU共混体系增强改性研究（I）

采用刚性无机粒子（ＳｉＯ２）填充不相容聚二甲基硅氧烷／聚氨酯（ＰＤＭＳ／ＰＵ）共混体系，重点研究了ＳｉＯ２表面处理剂种类、ＳｉＯ２填充量对不同结构的ＰＤＭＳ／ＰＵ共混体系力学性能的影响关系，研究结果表明：ＳｉＯ２经过适当偶联剂表面处理后，能显著地提高ＰＤＭＳ／ＰＵ（Ｍ）、ＰＤＭＳ／ＰＵ（Ｐ）共混物的力学性能，其抗张强度分别由３．４ＭＰａ、４．５ＭＰＡ提高到１２．３ＭＰａ和９．０ＭＰａ。     

Bi（OR）3作前驱体合成Bi2O3微粉（R：CH2CH2OCH3.CMe2Et）

报道了醇盐化合物Ｂｉ（ＯＲ）３（Ｒ：ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３，ＣＭｅ２Ｅｔ）作前驱体，ＳｏｌＧｅｌ法合成Ｂｉ２Ｏ３多晶粉末的过程，探讨了Ｂｉ（ＯＲ）３性质及合成条件对产物物相的影响，并考察了Ｂｉ２Ｏ３微粉的颗粒性质，结果表明，Ｂｉ（ＯＲ）３的水解，聚合速度越快或在富氧气氛下煅烧干凝胶利于β－Ｂｉ２Ｏ３的生成，而乏氧气氛煅烧干凝胶或较小的升温温度则利于α－Ｂｉ２Ｏ３的生成，最后得到的Ｂｉ２Ｏ３微粉颗粒近     

SiC晶须补强ZTA（Y）陶瓷基复合材料的研究

本文将高强、高模量的ＳｉＣ晶须引入以Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２（ｔ）相变增韧Ａｌ２Ｏ３基陶瓷材料［即ＺＴＡ（Ｙ）］中．研究了不同晶须含量对复合材料的抗弯强度和断裂韧性的影响．实验结果表明，ＳｉＣ晶须能明显提高ＺＴＡ（Ｙ）陶瓷基复合材料的强度和韧性，体积含量为２０％的ＳｉＣ晶须的复合材料性能可达：σｂｂ＝８３０ＭＰａ，Ｋｉｃ＝９．８ＭＰａｍ１／２．通过与ＳｉＣｗ／Ａｌ２Ｏ３复合材料系统的比较分析，认为ＳｉＣｗ／ＺＴＡ（Ｙ）复合材料中，由于热膨胀系数差异所产生的基体中的张应力可由诱导ＺｒＯ２（ｔ）的马氏体相变来缓解，其中存在着相变增韧和晶顺补强的双重强韧化机制     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

刚性无机粒子对PDMS／PU共混体系增强改性研究（Ⅰ）

采用刚性无机粒子（ＳＩＯ２）填充不相容聚二甲基硅氧烷／聚氨酯（ＰＤＭＳ／ＰＵ）共混体系．重点研究了ＳｉＯ２表面处理剂种类、ＳｉＯ２填充量对不同结构的ＰＤＭＳ／ＰＵ共混体系力学性能的影响关系．研究结果表明：ＳｉＯ２经过适当偶联剂表面处理后，能显著地提高ＰＤＭＳ／ＰＵ（Ｍ）、ＰＤＭＳ／ＰＵ（Ｐ）共混物的力学性能，其抗张强度分别由３．４ＭＰａ、４．５ＭＰａ提高到１２．３ＭＰａ和９．０ＭＰａ．     

1，1′─［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基三羰基钨配合物）的合成及反应

１，２－二环戊二烯基四甲基二硅烷与丁基锂作用生成［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基负离子盐），后者随即与六羰基钨反应形成１，１－［四甲基二硅撑］双［环戊二烯基三羰基钨负离子盐］，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）·［Ｃｐ′（ＣＯ）３Ｗ－］２·２Ｌｉ＋（Ｉ）．（Ｉ）分别与六种卤化物反应，生成在钨原子上引入取代基的产物：（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）．［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｒ］２，（Ｒ：Ｍｅ，Ｃ２Ｈ５，２；ＰｈＣＨ２，３；ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，４；ＣＨ３ＣＯ，５；Ｐ３ｈＳｎ，６）．（Ｉ）用醋酸处理后，随即分别与ＣＣｌ４，ＮＢＳ及Ｉ２作用，生成相应的钨卤化物，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｘ］２，（Ｘ：Ｃ１，８；Ｂｒ，９；Ｉ，１０），（Ｉ）与Ｆｅ３＋／Ｈ３Ｏ＋作用发生氧化偶联，生成双核Ｗ－Ｗ键产物（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３］２，１１．（Ｃｐ′＝Ｃ５Ｈ４）     

锑在硼砂溶液中阳极成极膜规律的研究（Ⅱ）

本文利用线性电位扫描，ｘ射线衍射和恒电位阳极极化电流与时间的关系研究了锑在０．０５ｍｏｌ·ｄｍ－３Ｎａ２Ｂ４Ｏ７＋０．５ｍｏｌ·ｄｍ（－３）Ｎａ２ＳＯ＿４溶液中（ＰＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极形成膜相组成及其生长规律。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要组成是Ｓｂ＿２Ｏ＿３和ＳｂＯＨＳＯ＿４·Ｈ＿２Ｏ，膜生长规律大致包括金属的溶解→氧化物膜的形成与增厚→膜的钝化。     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

Ph（x）n位电荷密度能与生物毒性定构活性相关研究

应用简易的量子化学方法计算了了７５个Ｐｈ（ｘ）ｎ的位电荷密 Ｓ＾ＨＯＥ，ｉ以所得的Ｓ＾ＨＯＥ，ｉ进行定构活性相关研究，结果不同习常。     

（Y，Zn，Sr）_3（P，VO_4）_2：Eu~（3＋），Bi~（3＋）的基质

研究了基质组成、化学键结构对荧光材料（Ｙ，Ｚｎ，Ｓｒ）３（Ｐ，ＶＯ４）２：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋的发光性质和基质敏化的影响。实验表明在基质中引入Ｙ—Ｏ—Ｖ直线链，对基质的吸收和发射跃迁、能量传递有着良好的敏化作用。从理论上探讨了能量传递机理。     

Bi2（Sr,Ca）3Cu2Oy超导体的EXAFS研究

利用扩展Ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ），研究了Ｂｉ２（Ｓｒ，Ｃａ）２Ｃｕ２Ｏｙ超导体中Ｃｕ原子与Ｂｉ原子的局域结构．结果表明：Ｃｕ原子第一配位层是五配位的氧原子，第二配位层是四配位的Ｃａ原子和一配位的Ｃｕ原子，但不含Ｓｒ原子的结构信息，这是Ｓｒ－Ｏ层与Ｃｕ－Ｏ层层间距较大所致；同时测定Ｂｉ原子第一配住层含有２．３个氧原子，用非公度调制结构模型解释了Ｂｉ原子的配位状况．     

用快速热工艺氮化超薄SiO2膜的研究

将热生长的超薄（４－２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速工艺系统中，用快速热氮化工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学和动力学与温度关系及其对氮化质量的影响，比较各种不同条件ＲＴＮ制备的ＳｉＯｘＮｙ膜的ＡＥＳ测量的结果，得到ＲＴＮ反应的临界混度约为９００℃，初步了灯眼薄ＳｉＯ２生长动力学的氮／氧替代的微观过程。     

改进基板修饰方法制备有机/无机分子沉积膜

把氢烷偶联剂〖（ＣＨ３Ｏ）３（Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ〗直接组装在石英基板上，随后将有机膜的端疏基（ＳＨ）原位氧化为磺酸基（ＳＯ３Ｈ），再利用其负电笥表面交潜沉积上双季铵盐和ＷＯ３（ｅ＾－０，制得多层有机／无机分子沉积膜，经紫外可见光谱及小角Ｘ射线衍射表征，该膜具有良好的超薄层状有结构。     

Bi（Ph，M）SrCaCuO体系的掺杂效应

Ｂｉ（Ｐｈ，Ｍ）ＳｒＣａＣｕＯ体系的掺杂效应卢亚锋，辛绵荣，罗长勋（陕西师范大学物理学系，西安ｎ００６２；第一作者，男，３０岁，助教）元素掺杂是探索高温超导电性机理和材料物理研究的重要途径之一．我们在Ｐｂ部分替换Ｂｉ的基础上，分别用Ｓｂ，Ｓｎ，Ｉｎ作...