高温超导衬底台阶结研究

本文报导用Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８外延超导薄膜在ＬａＡｌＯ３衬底上研制的台阶结及其特性，在液氮温度下，当台阶结受到９．２０ＧＨｚ的微波辐照时，从Ｉ－Ｖ曲线上可以观察到第九级夏皮诺微波感应台阶。在液氮温度下，台阶结的临界电流随外磁场的变化较好地附合夫琅和费衍射关系。     

SMA同轴封装高速光电探测器

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管过对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少～０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。     

高温超声衬底台阶结研究

本文报导用Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２外延超导薄膜在ＬａＡｌＯ３补底上研制的台阶结及其特性，在液氮温度下，当台阶结受到９．２０ＧＨｚ的微波辐照时，从Ｉ－Ｖ曲线上可以观察到第九级夏皮诺微波感应台阶、在液氮温度下，台阶结的临界随外磁场的变化较好地附合夫琅和费衍射关系。     

同轴腔变容管调谐振荡器

从体效应管、变容管的等效电路、特性．准确的参数表达式着手分析并、串振荡电路．根据管子参数、振荡频率能较准确地设计实用的压控振荡器．同时采用双变容管反向串联以增加调谐带宽，减少谐波，改善频谱．改善调谐线性．据此给出一个应用频段在５～９ＧＨｚ；调谐带宽＞１ＧＨｚ；输出功率＞１０ｍＷ；调谐速度＞１ＧＨｚ／ｕｓ； 主杂波比≥２５ｄＢ的宽带同轴压控振荡器实例．该振荡器已在数种电子对抗设备上长期稳定工作．     

BHW35钢宏,细观临界空穴扩张比的测试研究

通过对ＢＨＷ３５钢的拉伸实验，测试了ＢＨＷ３５钢的宏，细观临界宏，细观临界空穴比，且得到了ＶＧＣ与Ｒｃ／Ｒ０之间的比例常数，验证了ＶＧＣ与ＲＣ／Ｒ０都是与应力状态无关的材料常数。     

AcNPV增强子hr5增强HBsAg基因表达的研究

用形成包涵体（ＯＯＣ＋）并能利用人工合成启动序列和多角体ＸＩＶ启动子表达外源基因的转移载体质粒ｐＳＸＩＶＶＩ＋Ｘ３将多角体基因、乙型肝炎病毒表面抗原（ＨＢＳＡｇ）基因和苜蓿丫纹夜蛾核型多角体病毒（ＡｃＮＰＶ）的增强子ｈｒ５部分序列同时插入无包涵体的粉纹夜蛾核型多角体病毒ＴｎＮＰＶ－ＳＶＩ－Ｇ基因组中，得到两株高效表达ＨＢｓＡｇ基因又形成包涵体的重组病毒ＴｎＮＰＶ－ｓｈｒ３５－ＯＣＣ＋和ＴｎＮＰＶ－ｓｈｒ２６－ＯＣＣ＋．对重组病毒的酶切鉴定、ＤＮＡ斑点杂交和Ｓｏｕｔｈｅｒｎｂｌｏｔ分析证实，外源基因及其相应的启动子和增强子序列已正确插入病毒基因组中．插入顺序中，ｈｒ５增强子是插入ＨＢｓＡｇ基因下游，多角体基因与ＨＢｓＡｇ基因方向相反．１２５Ⅰ－固相放射免疫检测和Ｗｅｓｔｅｒｎｂｌｏｔ结果表明，ＨＢｓＡｇ基因在昆虫离体细胞中得到高效表达并保留了抗原活性．ＴｎＮＰＶ－ｓｈｒ２６－ＯＣＣ＋和ＴｎＮＰＶ－ｓｈｒ３５－ＯＣＣ＋表达的ＨＢｓＡ吕蛋白与没有插入增强子序列的重组病毒ＴｎＮＰＶ—ＨＢｓ８５－ＯＣＣ＋的比较，分别提高了４０％和４６％．     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

图形LOTOS和Petri同模型在PC机上的实现

在ＰＣ机上建立了一个由ＤＯＳ系统支持的图形ＬＯＴＯＳ（ＧＬＯＴＯＳ）软件工具．用这个工具，用户可以设计，显示一个ＧＬＯＴＯＳ说明，也可以把它转换成Ｐｅｔｒｉ网．该系统分为三个模块：ＤＲＡＷ，ＲＥＣＯＶＥＲ和ＴＲＡＮＳＦＥＲ．根据ＧＬＯＴＯＳ模型，模块ＤＲＡＷ给出了一个交互式的菜单系统，用这个系统，用户可以在图形窗口的任何位置画出ＧＬＯＴＯＳ的任一成分；模块ＲＥＣＯＶＥＲ可以自动恢复以前画好的ＧＬＯＴＯＳ模型；根据Ｐｅｔｒｉ网的表示，模块ＲＥＣＯＶＥＲ提供了从ＧＬＯＴＯＳ自动转换到Ｐｅｔｒｉ网的功能．     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

高精度液位测量雷达系统的设计

介绍ＦＭＣＷ雷达高精度液位测量系统的组成及各单元的在本功能，讨论为满足系统发射信号的频率稳定和线性度的要求所采取的ＶＣＯ非线性校正和温度补偿措施。     

应用于WSN的0.5 V 4.8 GHz CMOS LC VCO设计

为设计一个可应用于无线传感网的0.5 V 4.8 GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法来优化VCO的相位噪声性能,保证VCO能在0.5 V的低供电电压下稳定工作,相位噪声达到-119.3 dBc/Hz@1 MHz,VCO的频率调谐范围为4.3~5.3 GHz,相位噪声小于-115 dBc/Hz@1 MHz,最低可达-121.2 dBc/Hz@1 MHz,核心电路电流约为2.6 mA,满足无线传感网的应用要求。     

一种改进的双控制通路锁相环

提出一种改进的双控制通路锁相环结构。改进锁相环的两个控制通路有不同的压控振荡器增益。其中, 粗调节通路的压控振荡器增益较大, 用来调节锁相环的输 出频率范围; 细调节通路的压控振荡器增益较小, 用来决定环路带宽, 同时优化锁相环的抖动特性。电路芯片采用SMIC 0. 18 μm CMOS Logic 工艺加工。后仿真结果表明该锁相环的输出频率范围为600 MHz到1. 6GHz, 并有良好的抖动特性。     

Low-Power CMOS VCO with Dual-Band Local Oscillating Signal Outputs for 5/2. 5-GHz WLAN Transceivers

The paper describes a novel low-power CMOS voltage-controlled oscillator (VCO) with dual-band local oscillating (LO) signal outputs for 5/2. 5-GHz wireless local area network (WLAN) transceivers. The VCO is based on an on-chip symmetrical spiral inductor and a differential varactor. The 2. 5-GHz quadrature LO signals are generated using the injection-locked frequency divider (ILFD) technique. The ILFD structure is similar to the VCO structure with its wide tracking range. The design tool ASITIC was used to optimize all on-chip symmetrical inductors. The power consumption was kept low with differential LC tanks and the ILFD technique. The circuit was implemented in a 0.18-fim CMOS process. Hspice and SpectreRF simulations show the proposed circuit could generate low phase noise 5/2. 5-GHz dual band LO signals with a wide tuning range. The 2. 5-GHz LO signals are quadrature with almost no phase and amplitude errors. The circuit consumes less than 5. 3mW in the tuning range with a power supply voltage of 1     

OTA-C压控振荡器的分析与设计

本详细分析了OTA—C压控振荡器的原理，并设计了一个用于OTA—C滤波器自动调谐系统的OTA—C压控振荡器，该振荡器的频率调谐范围在2MHz到50MHz之间．其中线性部分为4MHz～20MHz，其压控增益为62．89MHz／V。     

低噪声宽复盖压控振荡器的设计

介绍了低噪声宽复盖压控振荡器 VCO的设计思路 ,给出了设计中参数的合理取值范围 ,对 VCO的设计方法进行了阐述 ,并对其相位噪声进行了分析 ,同时结合实际 ,设计了实用的VCO,并给出了 VCO的特性曲线图。     

微波固体VCO的研究

本文研究由同轴介质（介电常数εｒ＞８０）填充均匀阻抗谐振胶制成的微波固体ＶＣＯ，其频率稳定度高达３×１０（－５），频谱纯度好，Ｓ／Ｎ＞７０ｄＢ。     

GHz VCO分析与设计

设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的调谐范围,以及符合DCS-1800标准的低的相位噪声,重点是达到了较低的功耗。     

A wideband LC-VCO for MMMS applications

A fully integrated wideband voltage-controlled-oscillator(VCO) based on current-reused topology is presented. The overall scheme contains two sub-VCOs, which are controlled by a switch to cover a wide output frequency range. Fabricated in TSMC 65 nm CMOS technology, the measured output frequency of the VCO ranges from 3.991 GHz to 9.713 GHz,achieving a tuning range of 83.5%. And the worst and best phase noise at 1 MHz offset are-93.09 dBc/Hz and-111.97 dBc/Hz, respectively. With a 1.2 V supply voltage, the VCO core consumes a current of 3.7-5.1 mA across the entire frequency range. The chip area is 0.51 mm~2, including the pads. Moreover, the proposed VCO provides a figure-of-merit-with-tuning-range(FOM_T) of-191 dBc/Hz to-197 dBc/Hz.     

适用于多种无线通信标准的宽带CMOS频率综合器

采用小数分频锁相环路、正交单边带混频器和除2除法器设计了一款全集成CMOS频率综合器,以满足多种无线通信标准的要求.提出基于双模压控振荡器（DMVCO）的频率综合器架构,一方面能够通过除2除法器覆盖3GHz以下的无线通信频段,另一方面DMVCO自身又替代了额外的多相滤波器来抑制混频器引入的镜像杂散.频率自动校准电路能对压控振荡器的频率进行快速、准确的校准.频率综合器采用TSMC 0.13μmCMOS工艺进行设计.仿真结果表明,在输出频率为900MHz时频偏在0.6MHz处,频率综合器的相位噪声为-122dBc/Hz;在功耗不大于56mW的情况下,频率综合器实现了0.4～6GHz的频率覆盖范围.     

标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计

<正>交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°.