少量元素掺杂对Y-Ba-Cu-O强化的影响

近期文献报道了选择满足ABO_3化合物中B位要求条件下的过渡族元素以及其它元素如V,Cr,Bi等,掺入(YBa)CuO_3中,它们可能取代Cu的位置,可以作为“结构探针”引出与其周围O的2p电子,氧缺位以及Cu、稀土离子等相互作用信息的变化,这有助于对超导微观机理的了解;且从少量过渡族元素和其它元素掺杂所带来的变     

有过渡族元素掺杂的高T_C超导材料研究

我们在3月28日公布了超导材料的研究成果后,在满足ABO_3型化合物B位要求的前提下,又研究了过渡族元素V、Cr及元素Bi、Sc取代部分Cu对超导性能的影响。 材料组成为Y_(0.3)Ba_(0.7)Cu_(0.8)M_(0.2)O_(3-δ)(M=V,Cr;Sc;Bi)。所用原料为Y_2O_δ(99.9％),BaCO_3(分析纯),CuO(分析纯),Bi_2O_3(光谱纯),Sc_2O_3(光谱纯),     

Cu、O同位素效应与高Tc超导体超导电性机理

Cu元素、O元素在铜氧化物高Tc超导体中对超导电性的产生,超导转变温度的变化,掺杂元素的特征效应具有决定性作用。对Cu元素、O元素的性质特征认识,成键特点,以及在铜氧化物高Tc超导体中的同位素效应清楚的理解,对全面揭示高Tc铜氧化物超导体超导电性机理具有关键作用。通过分析Cu元素、O元素在铜氧化物超导体中的同位素效应,得出了高Tc铜氧化物超导电性的机理仍是电声机制,CuO2平面上的Cu元素,O元素的声子直接参于电声子配对,CuO2平面上的Cu、O元素的键态的声子模对电声配对具有决定性作用。     

(Cu+N)共掺杂锐钛矿相TiO_2(001)面和(101)面电子结构的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了3d过渡元素Cu掺杂及(Cu+N)共掺杂于锐钛矿相TiO_2(001)面和(101)面的电子性质,给出了不同掺杂形式形成能、能带结构、态密度及电荷分布的变化,得出了(Cu+N)共掺杂时最稳定的结构.通过计算Cu表层吸附、表层和次表层替位掺杂以及晶体间隙掺杂的形成能,发现Cu掺杂更易发生在TiO_2(001)面的空穴位,此时N偏向于在水平方向上的O位发生替位掺杂.计算结果表明(Cu+N)共掺杂后Cu-3d与O-2p,N-2p及Ti-3d轨道上的电子发生p-d杂化效应,引发O-2p,N-2p态发生劈裂使得价带范围扩大,Ti-3d态下移且发生劈裂形成新的导带底,并且禁带中产生了新的电子态,禁带宽度减小,同时(Cu+N)施主受主杂质对的出现可以有效防止电子空穴对的复合,提高了TiO_2的光催化活性.     

L_nC_(01-x)C_(ux)O_(3-б)(L_n=L_a,P_r,E_u)的结构及电学性能

本文用高温固态反应法合成了L_nC_(01-x)C_(ux)O_3(L_n=L_u,E_u,P_r,x=0.0～0.5)等一系列ABO_3型钙钛矿化合物,并用x-射线衍射测试了样品结构,C_u的掺杂量易受A位稀土离子的L_n系收缩的影响。C_u的掺入不改变母体结构。在x=0.3时L_nC_(01-x)C_(ux)O_(3-v)室温电阻达到量低。     

Ca掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ超导体实验

应用固态反应法,制备了Ca掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ(x=0、0.1、0.2、0.3)超导粉体及超导块体。主要研究了Ca掺杂对Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ超导体显微结构及捕获磁通能力的影响。结果表明,掺Ca量为x=0.2的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ超导体,晶粒进一步长大呈棒状,晶粒尺寸在15 um左右,各晶粒间紧密结合,晶界尤为明显;其捕获磁场的峰值随外加磁场的增大而变化的幅度最小,这表明合适的摻Ca量为x=0.2。本实验对制备高临界电流密度Jc的YBa2Cu3O7-δ超导体具有重要意义。     

Zr和Nb掺杂对Nd2Fe14B/α-Fe纳米复合永磁薄带显微组织和磁性能的影响

比较了Zr,Nb掺杂对Nd8.60Fe80.80Cu0.3Zr2-xNbxB8.30(x=0,1,2)交换耦合纳米复合永磁薄带相组成、显微结构和磁性能的影响. 结果表明:Zr和Nb均能有效地抑制晶粒的长大. Zr与B结合生成ZrB2,消耗了合金中部分B元素,导致合金中硬磁性相N2Fe14B含量的减少. 与Zr相比,Nb能更有效地抑制晶粒长大,提高样品磁滞回线的方形度. 仅掺杂Nb的晶化样品Nd8.60Fe8 0.80Cu0.3Nb2B8.30具有最佳的磁性能:Br=0.89T,H ci=479.1kA·m-1,(BH)max=107.4kJ·m-3.     

B位掺杂对固体氧化物燃料电池连接材料La0．85Sr0．15CrO3性能的影响

研究La0.85Sr0.15CrO3 B位(Cr位)掺杂不同的金属离子(Ni、Cu、Co、Ti、Ni Co) 的烧结性能、热膨胀和电子电导率.实验发现:离子掺杂可以降低La0.85Sr0.15CrO3的烧结温度;掺杂Ni对提高系统烧结性能最有效,La0.85Sr0.15Cr0.95Ni0.05O3的相对密度可达到94%;掺杂Co或者Cu能提高La0.85Sr0.15CrO3的热膨胀系数,而Ni和Ti 掺杂则有相反作用.所有试样在300 ～ 1 000 ℃具有线性热膨胀性,La0.85Sr0.15Cr0.95Ni0.02Co0.02O3在1 000 ℃空气气氛中的热膨胀系数为10.6×10-6/℃,和摩尔分数为8%的Y2O3稳定的ZrO2 (8YSZ) 电解质的热膨胀系数相匹配.与B位一元掺杂的La0.85Sr0.15CrO3试样相比,La0.85Sr0.15Cr0.95Ni0.02Co0.02O3 在675 ～ 850 ℃温度范围内显示出更高的电子电导率.     

Bi系高温超导氧化物中掺杂(Pb、Sb、Eu)的研究

采用空气中固态反应的方法制备了一系列掺 Pb、Sb、Eu的 Bi系高温超导氧化物 .对这些样品进行了超导性能的测量 ,X射线衍射 ( XRD)分析以及扫描电镜 ( SEM)的形貌观察 ,发现 Pb、Sb的掺杂对 Bi系材料超导相 2 2 1 2相、2 2 2 3相的形成有明显的促进作用 ,而 Eu的掺杂只有利于 2 2 1 2相的形成却不利于 2 2 1 2相向 2 2 2 3相的转变 .在掺 Eu的样品中发现有Ca2 Cu O3 存在 .对 Bi系材料中调制结构的形成机制给予了定性解释     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.     

大变形菇状件挤压工艺设计及数值模拟

分析了大变形菇状零件的工艺特点,设计并比较分析了工艺方案,设计了工艺参数。运用专业锻造分析软件QForm2D/3D进行了数值模拟分析,得到了零件成形过程的位移—载荷曲线和成形时的应力分布图,经分析后进行工艺参数优化,确定合理的工艺,为生产实践提供指导。     

埕东油田铬冻胶堵剂的改进

本文分析了埕东油田铬冻胶堵剂的优缺点,研究了铬东胶成冻时间和冻胶强度的影响因素,提出了铬冻胶堵剂的改进配方,并讨论了铬冻胶由半液法堵剂改为双液法堵剂的有关问题。     

肯尼亚红碎茶与滇红工夫香气成分比较分析

采用固相微萃取(Solid Phase Microextraction,SPME)和气相色谱-质谱(GC-MS)对五个肯尼亚红碎茶和我国的滇红工夫进行香气成分的比较分析.从六个茶样中一共检测出152种香气成分,其中1号茶样59种,2号茶样66种,3号茶样52种,4号茶样61种,5号茶样63种,滇红工夫58种.滇红工夫、1号、5号和3号茶样以醇类化合物的相对含量最高,分别占主要香气成分总量的60.71%,50.76%,47.33%和37.13%.2号和4号茶样以醛类化合物的相对含量最高,分别占42.52%和36.57%.参照Owuor香气指数(F1),1号、5号和滇红工夫茶样的F1值最高,其次是3号茶样,2号和4号茶样的F1值较低.F1值越高的红茶,其香型较好,这与实际茶叶审评中香气审评结果一致.     

二阶递归数字滤波器的极限环分析

The problems of limit cycles in second-order recursive digital filters with a rounding off quantizer have been studied more systematically in this paper. The properties of limit cycles have been summarized,the distribution regions of various limit cycles on the coefficient planes(β1,β2)have been pointed out, and the linear stability conditions of second-order recursive digital filters have been derived, All conclusions in this paper have been verified by computer simulations.     

高频开关电容滤波器的设计与实现

本文探讨了影响开关电容滤波器(SCF)高频应用的主要问题,并介绍了解决这些问题实现高频 SCF 的几种设计与实现的方法,同时指出了各种方法的优点与局限性.最后,提出本课题的研究发展方向.     

Solution and order number methods for multiple ob－jective decision making with incomplete knowledge

Ｓｏｌｕｔｉｏｎａｎｄｏｒｄｅｒｎｕｍｂｅｒｍｅｔｈｏｄｓｆｏｒｍｕｌｔｉｐｌｅｏｂ－ｊｅｃｔｉｖｅｄｅｃｉｓｉｏｎｍａｋｉｎｇｗｉｔｈｉｎｃｏｍｐｌｅｔｅｋｎｏｗｌｅｄｇｅＪｉａｎｇＹｉｃｈｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，Ｓｏｕ...     

紫罗碱二硫醇系列化合物的合成研究

对几种不同碳链的紫罗碱二硫醇化合物进行了合成,通过探索,得到了紫罗碱二硫醇系列化合物较佳的合成条件,并对相关的合成产物用核磁共振、红外光谱进行了结构表征。     

一个硫脲Schiff碱化合物的实验和量子化学研究

合成了一个硫脲Schiff碱化合物,并对其进行了红外、核磁、紫外和单晶X-射线衍射表征.标题化合物的量子化学研究在密度泛函B3LYP/6-31G*水平上进行,在优化构型的基础上,计算了它的电荷分布和热力学函数.理论计算的结果和实验数据进行了对比,显示了二者的一致相关性.     

聚合物快离子导体合成及电性能研究

在室温下,研究了聚醋酸乙烯酯(PVA_c)与NaSCN,聚醋酸乙烯酯——乙烯共聚物(EVA)与NaSCN在摩尔比分别为2∶1,1∶1,0.5∶1的络合物膜,及聚环氧氯丙烷(PECH)和NaSCN,在金属∶氧原子(M∶O)摩尔比为1∶1,1∶4,1∶8的络合物膜的导电性能。在不同温度时,对环氧氯丙烷——环氧乙烷共聚物(PECH-PEO)与LiClO_4,环氧氯丙烷-环氧乙烷-环氧丙烷共聚物(PECH-PEO-PPO)与LiClO_4的M∶O,分别为1∶2,1∶4,1∶8,1∶10,1∶12的络合物膜的导电性能进行了研究。并对PECH-PEO,PECH-PEO-PPO与LiClO_4络合体系进行了红外光谱分析。