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| 铋层状结构压电材料的掺杂改性研究 | |
| 引用本文： | 李永祥,杨群保,曾江涛,易志国.铋层状结构压电材料的掺杂改性研究[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
| 作者姓名： | 李永祥 杨群保 曾江涛 易志国 |
| 摘 要： | 作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N. |
| 关 键 词： | 铋层状铁电材料 CaBi_4Ti_4O_（15） 掺杂改性 压电性能 |