一种新型多孔二氧化钛(P-TiO_2)的光伏特性

通过表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究一种新型的多孔二氧化钛(P-TiO2)材料.结果表明,特殊的多孔结构使得该材料具有丰富的表面态,使P-TiO2的光伏响应区间可扩展至可见光区,并产生了带-带跃迁和表面态跃迁两个强度相当的响应带;表现出表面态对光生电荷的定域效应,使得带-带跃迁和表面态跃迁在外电场作用下产生明显不同.     

量子尺寸效应对超微粉TiO_2表面态的影响

本文研究了ＴｉＯ＿２的晶体结构、粒度分布及表面光电压谱，结果表明，量子尺寸效应对表面态有很大影响。     

单晶硅的表面光电性质研究

建立了有源、无源表面光电压谱测量系统,并对单晶硅的表面光电转移过程开展了研究,为进一步研究复合纳米结构半导体材料表面界面光电荷转移过程,研制高性能光电转移纳米结构材料提供了实验方法。     

复合氧化物苯酚羟化催化活性与光伏响应的关系

利用表面光电压谱和场诱导表面光电压谱研究过渡金属复合氧化物（铁酸盐）的光伏响应特性和它们苯酚羟基氧化催化活性．结果表明，随着掺入的金属离子不同，光伏响应阈值和对外电场响应特性有明显差异，并且，光伏响应阈值和外电场光电响应特性与催化活性之间有很好的对应关系．阈值越小，活性越高．在负电场下，光伏响应增强的催化剂的催化活性也增加．     

基于羟基苯基卟啉骨架的二聚卟啉合成及性能

以1,4-二氯-2,5-二硝基甲苯为桥联剂, 通过一步合成法制备H-2MHTPP卟啉二聚体, 用MALDI-TOF质谱表征卟啉二聚体的结构, 并研究卟啉二聚体的电化学和光化学性质以及表面光电压光谱（SPS）. 结果表明, H-2MHTPP卟啉二聚体是一种p型半导体.     

基于羟基苯基卟啉骨架的二聚卟啉合成及性能

以1,4-二氯-2,5-二硝基甲苯为桥联剂, 通过一步合成法制备H-2MHTPP卟啉二聚体, 用MALDI-TOF质谱表征卟啉二聚体的结构, 并研究卟啉二聚体的电化学和光化学性质以及表面光电压光谱（SPS）. 结果表明, H-2MHTPP卟啉二聚体是一种p型半导体.     

V—O配聚物的研制及表面光电压

采用水热法合成了1种V(Ⅱ)/V(Ⅲ)混合价态的V—O配聚物[(V2+)2V3+(0.5O2)10O6.2H2O]n通过单晶X-射线衍射确定了该配聚物的分子结构.结构分析表明,该配聚物是1个完全由O原子桥连而成的具有2D结构的V—O配聚物.采用表面光电压光谱(SPS)技术研究了配聚物的表面光伏性能.结果表明配聚物在300～800nm范围内呈现出正的表面光伏响应.此外,对该配聚物的UV-Vis-NIR及IR光谱进行了测定和分析指认.     

Dy2O3纳米晶光伏特性及谱带解析

利用紫外-可见反射吸收光谱对不同粒径的Eu2O3纳米晶进行光吸收特性的研究,并结合表面光电压谱技术对其谱带进行了解析.     

M-均苯三甲酸基配聚物(M=Cu和Co)的合成、 结构及光伏性能

采用水热方法合成2种均苯三甲酸根配位聚合物{\[Cu₂(Hbtc)₂(H₂O)₆］·ppz·H₂O}_n(1)和{［Co₂(btc)₂(H₂O)₆］·(H₂ppz)·(H₂O)}_n(2)(H₃btc=均苯三甲酸,
ppz=哌嗪), 通过红外光谱(IR)、 紫外 可见\|近红外吸收光谱(UV-Vis-NIR)、 元素分析和X射线单晶衍射(XRD)对配位聚合物进行表征, 利用表面光电压光谱(SPS)考察配位聚合物的光伏性能, 并将SPS与UV Vis吸收光谱进行关联, 采用半导体能带理论与晶体场理论分析且指认各响应带. 结果表明: 配位聚合物1和2均属于三斜晶系, P-1空间群; 二者具有均苯三甲酸根桥连的1D链状结构, 不对称单元中均包含2个晶体学不等效的M(Ⅱ)离子(M1=Cu,M2=Co); 二者中心金属离子的配位构型不同, 相同有机分子的存在形式不同; 2种配位聚合物在紫外 可见光诱导下均产生光伏响应, 且配位聚合物中心离子的配位环境对光伏响应影响较大.     

纳米SnO2 与α-Fe2 O3复合氧化物光电特性研究

用Sol-gel法制备了SnO2与α-Fe2O3复合氧化物纳米粒子,并用XRD、紫外可见吸收光谱(UV)、表面光电压谱(SPS)以及场诱导表面光电压谱(FISPS)进行了分析和表征．XRD结果证实所制备为两种材料的复合氧化物的纳米粒子;紫外可见吸收表明吸收随两种氧化物复合比例的改变有较大的变化;FISPS发现复合材料的光伏响应强度随所加正电场的增加而增加,最大强度可增加50-60倍,随所加负电场的增加而大大减弱．     

利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁

利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料MEH-PPV的定域跃迁（350 ~420 nm）与非定域跃迁（420~600 nm）. 实验证明, 定域跃迁是由于电子从价带向导带中定域态能级跃迁的结果.     

一个Fe（Ⅲ）配合物的晶体结构及光物理性质

采用水热合成方法得到1个Fe（Ⅲ）配合物｛[Fe（phen）3][Fe（CN）6]·0．5phen ·5H2 O｝（phen ＝1,10‐菲啰啉）．通过红外光谱（IR）、紫外可见吸收光谱（UV‐Vis）、X射线粉末衍射（XRD）、X 射线单晶衍射和表面光电压谱（SPS）对其进行了表征和光物理性质测定．结构解析结果表明,标题配合物是1个以Fe（Ⅲ）为中心的离子型配合物,配阴、阳离子分别是[Fe（CN ）6]3‐和[Fe（phen）3]3＋．丰富而复杂的分子间氢键最终将分子连成了3D网状结构．采用表面光电压谱（SPS ）和场诱导表面光电压谱（FISPS ）探讨了配合物的表面光电性能．结果表明,它在紫外‐可见光（λ＝300～800 nm ）诱导下,呈现出明显的表面光伏响应,表明其具有一定的光‐电转换能力．同时对配合物的U V‐Vis吸收光谱和IR光谱进行了分析和指认．     

α-Fe_2O_3/ZnFe_2O_4复合薄膜光生电荷分离与光电性质研究

采用溶胶-凝胶法分别制备出α-Fe_2O_3和Zn Fe2O_4两种胶体,在ITO透明导电玻璃上制备成不同厚度配比的α-Fe_2O_3/ZnFe_2O_4异质结.XRD检测结果表明,复合薄膜两种组分都达到了良好的结晶状态;而且,各复合薄膜体系都呈现出了异质结复合结构的光吸收特性,但光吸收性质差异不明显.稳态表面光电压谱测试结果表明,两组分的厚度分别在1.3μm(α-Fe_2O_3)和1.8μm(ZnFe_2O_4)时达到最佳光伏响应强度.在正的外电场诱导下,组分厚度分别为1.3μm(α-Fe_2O_3)和1.8μm(Zn Fe_2O_4)的复合薄膜具有更为优越的光伏响应特性.     

硒化物半导体纳米材料光学吸收谱的温度特征

目的研究半导体纳米薄膜材料的光学吸收谱由于温度效应产生的吸收边变化和能带移动。方法采用共沉淀法制备了硒化物半导体纳米薄膜材料CdSe,并测量材料在室温至低温下的紫外-可见吸收光谱,观察不同温度下谱带吸收边的变化。结果实验发现光学吸收边随温度降低而发生蓝移的情况,将(αhν)2～hν曲线直线部分外推,与横轴的截距即为材料带隙宽度Eg,数据模拟结果显示Eg随温度变化是非线性的,且能带随温度的变化较好地符合Fernandez公式。结论进而分析造成吸收谱温度效应的原因是温度变化对晶格参数及电子-声子相互作用的影响,引起能带边缘的相对移动,导致吸收边能量位置的漂移,并从理论公式上表达了带隙变化随温度的依赖关系。     

两种含Ni(Ⅱ)配位超分子的研制及光电性能

采用水热方法合成了2种Ni(Ⅱ)的配合物,[Ni(Hdcpz)2(H2O)2].H2O(H2dcpz=3,5-吡唑二羧酸)(1),[Ni(dcp)(H2O)4].2H2O(H2dcp=2,5-吡啶二羧酸)(2).通过X-射线单晶衍射、IR、UV-Vis-NIR吸收光谱和表面光电压光谱(SPS)对其进行了表征.单晶结构分析表明,2种配合物均为分子型配合物,并由氢键进一步将分子网联成3D超分子.这2种配合物的表面光电压谱的测定表明,它们在300~800 nm范围内呈现出正的表面光伏响应.同时,将配合物的SPS与UV-Vis-NIR吸收光谱进行了对比分析,发现SPS中响应带的数量和位置与其UV-Vis吸收光谱中的吸收峰呈现出一致性.     

齐分子噻吩乙炔的电子光跃迁性质

采用半经验的AM1和ZINDO方法研究了齐分子PTV的能带结构及其电子光跃迁性质,齐聚物噻吩乙炔(PTV)的带隙小于对应尺度的齐聚物噻吩(PT)和齐聚物对苯撑乙炔(PPV)的带隙,随着齐分子PTV的共轭长度的增加,第一激发跃迁能逐渐减小,表现为光吸收谱出现红移现象.     

邻苯二甲酸桥联的一维双链锰配位超分子的合成、晶体结构及光谱分析

采用水热合成法得到了新颖结构的配位聚合物{[Mn(C8H4O4)(phen)(H2O)2]·H2O}n.对配合物进行了单晶X-射线衍射测定.结构分析表明,晶体中存在着大量的氢键将配合物连成了1D双链结构. 对配合物的UV-VIS-NIR,IR及荧光光谱进行了测定和分析指认.同时测定了配合物的表面光电压光谱(SPS)和场诱导表面光电压光谱(FISPS).配合物的SPS在300～600 nm范围内呈现出正的光伏响应带,FISPS表明配合物呈现出一定的P-型半导体的特征.     

半导体-液体界面微分光电压谱

本文报导了一种液体探针表面光电压微分谱测量方法。这种方法采用波长调制技术,能够比较精确地测定半导体材料的带隙能量,已应用于GaAs,GaP和CdSe单晶,并且用来测量GaAs衬底上外延层Al_xGa_(1-x)As单晶的合金组分x。实验表明,液体使用乙醇最好。     

ZnO不同微结构/ZnFe_2O_4复合薄膜光生电荷热动力学与光电性质研究

采用不同方法分别制备出ZnO纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米管4种微结构,以ZnFe2O4为无机染料敏化剂在ITO透明导电玻璃上制备成ZnO不同微结构/ZnFe2O4异质结.XRD检测结果表明,所有复合结构中两种组分都达到了良好的结晶状态;而且,各复合薄膜体系都呈现出了异质结复合结构的光吸收特性,但光吸收性质差异不明显.稳态表面光电压谱测试结果表明,各异质结构都呈现出优于单一组分的光伏响应特性;而且,4种异质结构光伏性质呈现出:ZnO纳米管/ZnFe2O4ZnO纳米棒/ZnFe2O4ZnO纳米线/ZnFe2O4ZnO纳米颗粒/ZnFe2O4的特点.在较弱正外电场诱导下,复合薄膜仍然保持稳态下的光伏响应特性;随着外电场逐步提高,ZnO纳米颗粒/ZnFe2O4光伏性质增加非常明显,在+2V电压诱导下,ZnO纳米颗粒/ZnFe2O4已接近ZnO纳米管/ZnFe2O4的光伏响应强度,并明显高于另外两种异质结构的光伏性质.从光阳极微结构、自由电荷扩散长度、空间电荷区厚度、载流子参数、内建电场和能级匹配几个方面,详细讨论了ZnO/ZnFe2O4异质结中光生电荷分离的影响因素以及光生电荷传输机制.     

Li~+离子掺杂TiO_2纳米粒子的表面光电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了纯的和掺Li+的TiO2纳米粒子,利用XRD、XPS、UV-Vis和表面光电压谱(SPS)测试技术对样品结构进行了表征.分析了不同退火温度及不同Li+掺杂量对TiO2纳米粒子表面光电性能的影响,讨论了Li+掺杂对TiO2纳米粒子表面光电性能影响的机制.实验结果表明:Li+掺杂TiO2在退火温度600℃时已完全转化为金红石相,相对于纯TiO2而言,Li+掺杂降低了相转化温度;退火温度为500℃,Li+掺杂量为1%的TiO2纳米粒子的表面光电压显著增强,这可能与Li+掺杂所引起的光吸收能力的提高以及缺陷有关.