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1.
纳米光电材料研究简介   总被引:4,自引:0,他引:4  
综述了光电材料的研究现状和应用前景,介绍了光电材料的分类和光电转化原理,并且着重阐述了纳米光电材料的性质特点、制备方法以及表面修饰。最后,对其表征方法做了简要介绍。  相似文献   
2.
采用水热合成法得到了新颖的过渡金属配位超分子[Co(o-pha)(phen)(H2O)3]·H2O(o-pha=o-phthalic).对该配合物进行了单晶X-射线衍射测定.结构分析表明,在晶体中存在着大量的氢键,将配合物连成了具有1D双链结构的配位超分子.同时对它的UV-VIS-NIR,IR进行了测定和分析指认.  相似文献   
3.
苔藓植物是植物区系的一个重要组成部分,但我国对校园微环境苔藓植物多样性变化的研究仍处于空白阶段.2010年通过样方布设法对内蒙古大学校园内的苔藓植物进行采集,并通过镜下观察,将2010年所采集的标本与内蒙古大学馆藏1964年同样地的标本进行鉴定与比较.整理出1964年有苔藓植物9科、19属、31种,以耐旱藓类和生态幅度宽的藓类植物为主,2010年有12科、20属、42种,除了适应性强的藓类植物外,还增加了一些喜阴湿环境的苔藓植物,物种组成较早年丰富;区系地理成分均以北温带及世界广布种为主,这是研究地大环境地理气候决定的;两个年代苔藓植物物种相似性系数为0.4384,物种相似性较高;1964年校园内生境类型单一,分布物种较少,随着校园的建设,2010年生境类型多样,新增物种及校园内大多数物种主要集中分布于人工林、楼群背阴及开阔地湿润土生生境,另外,校园硬化、裸土面积减少、原水湿环境丧失导致了早年分布的部分物种退出校园环境,突显了生境多样性及环境变化对物种丰富度及分布的影响.  相似文献   
4.
采用均匀沉淀和直接沉淀2种方法合成了纳米TiO2,对所得产物进行了透射电镜和粒度分布的测试.结果表明:均匀沉淀法制备的纳米TiO2粒度分布均匀,团聚少,并且粒径较小,大约在20nm左右,基本呈球形;直接沉淀法制备的纳米TiO2粒度分布不够均匀,团聚现象比较严重,有较大颗粒存在,粒径在40nm左右,近似呈球形.对均匀沉淀法制得的TiO2前驱物采用不同的灼烧温度和灼烧时间,得到了不同晶型和粒径的TiO2粉体.对相同灼烧温度、不同灼烧时间的TiO2进行了XRD测试.并从均匀沉淀法制备的不同粒径的金红石型纳米TiO2中选取3种不同粒径的样品,进行了表面光电压测试和分析.  相似文献   
5.
首次报道了内蒙古乌兰坝-石棚沟自然保护区苔藓植物39科、86属、181种(含1亚种,5变种),其中内蒙古新记录6种,中国新记录4种:长柄紫萼藓Grimmia longirostris Hook.,毛尖连轴藓Schistidium lancifolium(Kindb.)Blom.,平叶真藓Bryum laevifilum Syed.,凹叶毛灰藓Homomallium adnatum(Hedw.)Broth.从种类组成、区系地理成分、地区之间苔藓植物区系的比较等方面对该区苔藓植物区系进行了分析.结果表明:丛藓科Pottiaceae、真藓科Bryaceae、灰藓科Hypnaceae等旱生藓类在保护区占有优势地位,真藓属Bryum、匐灯藓属Plagiomnium、紫萼藓属Grimmia为保护区的主要优势属,本区区系地理成分主要是以北温带成分为主(50.83%),其次为世界广布成分(16.02%)和东亚成分(14.36%).本区与赛罕乌拉自然保护区和七老图山的属、种相似性系数高,体现了蒙新区、东北区和华北区交汇过渡地带的特点.  相似文献   
6.
以内蒙古半干旱区草原的代表煤矿—胜利煤矿及周边的贝子庙、植物园、南山水库为研究区,通过对苔藓植物群落特征和土壤理化性质的相关性研究,分析了复垦过程中土壤对苔藓植物分布的影响.结果表明,胜利矿区苔藓植物有4科6属7种,各生境苔藓总盖度排序为贝子庙>植物园>矿区南排土场>水库>人工林>矿区北排土场.多样性指数分析结果表明,南排土场苔藓群落物种复杂程度高.对苔藓植物群落盖度与土壤理化性质的相关性分析表明,土壤pH值、粉粒含量、沙粒含量和石砾含量对苔藓植物的分布都有显著影响.通过对苔藓植物群落结构与土壤理化性质的多元分析,发现不同研究区苔藓植物群落结构的差异性与环境因子的综合影响有关.  相似文献   
7.
采用水热合成法得到了新颖结构的配位聚合物{[Mn(C8H4O4)(phen)(H2O)2]·H2O}n.对配合物进行了单晶X-射线衍射测定.结构分析表明,晶体中存在着大量的氢键将配合物连成了1D双链结构. 对配合物的UV-VIS-NIR,IR及荧光光谱进行了测定和分析指认.同时测定了配合物的表面光电压光谱(SPS)和场诱导表面光电压光谱(FISPS).配合物的SPS在300~600 nm范围内呈现出正的光伏响应带,FISPS表明配合物呈现出一定的P-型半导体的特征.  相似文献   
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