准一维聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的光学性质

利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质．以噻吩为基的共聚物具有阱-垒-阱结构特征，阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩，垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料．计算发现，改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光，跃迁能随链长的增加而减小，表现为光吸收谱红移．     

齐分子噻吩乙炔的带电态研究

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子噻吩乙炔带电态的几何结构性质,和中性态相比,由于一维电子-声子相互作用,带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著变化;不同的掺杂电荷方式和掺杂电荷的波函数是限制的波函数还是未限制的波函数,其分子结构的变化形式是不同的,相应地产生不同的元激发,即极化子或双极化子.     

齐分子噻吩乙炔的几何结构特性

采用半经验的Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子Poly(Thienylene Vinylene)(PTV)的中性态和掺杂态的几何结构特性.与中性态相比,带电态下齐分子PTV的几何结构表现在C-C键键长发生显著的变化,单电荷掺杂导致极化子元激发;双电荷掺杂产生双极化子元激发,即使增加链长,仍在链中产生双极化子而不是两个分立的单极化子;掺杂4个电荷时,在齐分子PTV链中产生两个分立的双极化子.     

富勒烯C60吡咯烷键联噻吩基分子设计的理论研究

利用AM1半经验分子轨道法对所设计的3个富勒烯C60吡咯烷键联噻吩基分子进行优化．计算结果表明,目标物(3)具有较低的跃迁能、较大偶极矩和较高的生成热．LUMO集中分布在C60部分,而HOMO则集中在噻吩环上．通过HOMO和LUMO轨道的比较及电荷分布情况,预测所设计的目标物(3)在基态下可能产生长寿命的电荷分离态．     

t''''次近邻跃迁对角分析光电子谱的影响

以SDW波模拟赝能隙,基于具有自旋密度波(SDW)和d-波超导对称性(DSC)的Hubbard唯象模型,同时考虑近邻、次近邻跃迁效应,在平均场近似下计算谱函数及态密度,研究赝能隙和次近邻跃迁(t')对ARPES的影响.发现考虑次近邻跃迁后得到的结果与铜氧化物高温超导体的性质符合的更好.     

t′次近邻跃迁对角分析光电子谱的影响

以SDW波模拟赝能隙,基于具有自旋密度波(SDW)和d-波超导对称性(DSC)的Hub bard唯象模型,同时考虑近邻、次近邻跃迁效应,在平均场近似下计算谱函数及态密度,研究赝能隙和次近邻跃迁(t′)对ARPES的影响。发现考虑次近邻跃迁后得到的结果与铜氧化物高温超导体的性质符合的更好。     

Fe_x(In_2O_3)_(1-x)磁性颗粒膜的微结构及光学性质

用射频溅射法制备了金属／半导体Ｆｅ_ｘ（Ｉｎ_２Ｏ_３）_(１－ｘ)颗粒膜。实验结果表明：纳米尺度的Ｆｅ颗粒比较均匀地分布在非晶态母体Ｉｎ_２Ｏ_３中。该样品在室温下表现出超顺磁弛豫，符合Ｌａｎｇｅｖｉｎ方程。光学测量表明：嵌Ｆ３的磁性颗粒膜，其电子的带间跃迁由Ｉｎ_２Ｏ_３的直接跃迁变为间接跃迁，基本吸收过红移；随磁性增强，局域态尾变宽，带隙变窄。     

氟代呋喃-噻吩齐聚物的合成与表征

呋喃噻吩齐聚物具有优异的性质,主要采用stille交叉偶联合成。有机氟化合物在各个应用领域都显示出独特的性能,目前合成氟代呋喃环的方法非常有限。由于氟原子较强的电负性,将氟原子引入芳香环使得邻位的C-H键易于接受亲核试剂的进攻,从而使简单的氟代化合物能够转变成较为复杂的结构。该研究发展了合成单氟呋喃类化合物的方法,以2-噻吩乙炔为起始原料,在碱的作用下合成单氟呋喃环骨架,并通过溴封端的噻吩-氟代呋喃-噻吩中间体与硼酸酯反应制备氟代呋喃-噻吩齐聚物,考察了氟代呋喃-噻吩齐聚物的结构等对样品的光谱吸收范围、发光波长和热稳定性能的影响。     

从噻吩合成3-(3-噻吩酮)噻吩

以噻吩作为起始化合物，经溴化、去α—溴、卤素—有机金属锂置换、酰化、羟基加成、氧化等6步反应，制备得到3—(3—噻吩酮)噻吩，总产率20％。3—(3—噻吩酮)噻吩是合成低能隙聚合材料聚合双噻吩芴酮PCDT、氰PCDM的重要原料。     

新型芴类发光共聚物

采用Suzuki偶合方法合成了萄与低带隙单体噻吩（Th)及其衍生物乙烯基二氧噻吩（EDT），4，7－二噻吩－2，1，3－苯并噻二唑（DBT），4，7－二噻吩－2，1，3－苯并硒二唑（BTSe)的二元无规共聚物，实现了聚芴颜色的调节，得到了发蓝绿光到黄光（峰值波长在490－560nm之间）以及饱和红光（峰值波长在628－718nm)的聚合物，所得到的共聚物的最大电致发光（EL）外量子效率为0．45％，芴与EDT共聚物的最大EL外量子效率为1．8％，芴与DBT共聚物的最大EL外量子效率为1．4％，均比文献中所报道的相应聚合物高得多，实验中还观察到了由于激子在低带隙单体DBT和BTSe位置的捕获而产生的有效的能量转移，这表明采用Suzuki偶合方法合成用少量低带隙单体掺杂至大带隙单体所得到的共聚物是一种极大发展前景的新型发光聚合物。