基于沉积过程的储层表征研究进展及发展趋势

沉积过程的分析是从沉积成因角度恢复和再现地质体的沉积演化过程,同时是阐明沉积地质体形成机理的重要研究手段。基于沉积过程的储层表征以沉积成因为切入点,通过合理的重建储层沉积过程表征储层,更有利于储层形成机理的研究。近年随着沉积学的发展及相关学科科学技术的进步,沉积过程的研究呈现全面发展的态势:利用现代沉积提供的不同时段沉积影像资料,获取不同时期沉积特征进而重建连续的沉积演化过程;通过物理沉积模拟实验,在短时间内再现和重建沉积过程;利用数值模拟方法,在给定合理参数的前提下定量模拟沉积过程;利用露头结合探地雷达,精细刻画储层内部结构,进而探讨沉积过程理解储层形成机理;在地下密井网条件下,应用多井所揭示的沉积构型特征及其之间的关系,结合地震连续切片成果,明确储层三维空间展布,在沉积学原理指导下恢复其演化过程。各种研究方法为储层沉积过程的研究提供了技术支持,同时各方法又存在其自身的不足,有待进一步完善。今后储层沉积过程的研究应在完善各研究方法的基础上不断融合发展,综合多方面的资料,借鉴不同方法所给予的启示,最终合理的重建沉积过程更好的表征储层并揭示储层形成机理。     

沉积学发展现状与前瞻

沉积学的概念源于１９世纪初,其发展大致经历了沉积岩石学、沉积学、沉积地质学三个阶段。目前,随着各种边缘、分支、交叉及横断学科的发展,沉积学研究取得了重大进展,主要表现在层序地层学、事件沉积学、矿床沉积学、实验沉积学、大地构造沉积学、储层沉积学、全球旋回地层学等的诞生和发展。预计到２１世纪,沉积学除在大陆动力学、全球变化方面进一步深入发展外,还将与资源和环境密切结合,形成新的学科领域,主要包括资源沉积学、环境沉积学、大陆动力沉积学、全球变化沉积学诸方面,进而为人类生存与发展作出重大的贡献。     

广西沿海主要岛屿区海滩沉积

广西沿海主要岛屿区海滩沉积物分为砾质沉积、砂质沉积、生物碎屑沉积。研究了岛屿区海滩沉积的结构、结构、物积组成特征，并论述了海滩沉积物的分布规律及其厚度变化。     

东海全新世沉积强度分区

主要按年代地层学10.3kaB.P.～12kaB.P，参考岩性和生物地层学方法，统一和确认了东海全新统底界，综合分析东海52个钻孔和桂状岩芯资料，进行了全新世沉积强度分区，按沉积速率高低分为现代长江水下三角洲沉积区，浙闽近岸浅海沉积区，陆架东北冷涡沉积区，陆坡与冲绳海槽沉积区以及陆架残留沉积区，并对各区的沉积机理作了分析解释。     

水溶液中镁-镍合金的电沉积合成

由于水溶液中镁离子的还原电位较负,镁难以从水溶液中沉积出来,且镁与镍的沉积电位相差2V以上,镁与镍很难共沉积,研究表明,镁一镍合金确实可以从一水溶液中沉积出来,镁一镍的共沉积也被XRD和AAS的分析所证实．XRD及循环伏安法研究还发现,沉积合金具有多相的结构,恒电流暂态极化实验表明镁一镍合金的电沉积过程是一成核长大过程．     

塔里木盆地柯坪塔格组沉积格局与演化

以沉积大地构造背景分析为基础,指出塔里木板块南缘由拉张背景转变为挤压,大地构造运动造成的东西向坳隆相间的古地形控制了塔里木盆地内柯坪塔格组的沉积格局和沉积发育史．结合沉积相的精细解释,将柯坪塔格组划分为潮坪-陆棚-潮坪三个沉积演化阶段．     

脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向。着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响。     

我国南方中生代含煤岩系中的沉积叠瓦状构造及其成因类型

本文给出了沉积叠瓦状构造的一般定义,指出了该种沉积构造是同沉积构造的重要类型之一.在对其沉积特征描述基础上,划分出了沉积叠瓦状构造的主要成因类型,并初步探讨了沉积叠瓦状构造形成的地质背景以及在盆地分析中的重要意义.     

沉积电压对辅助加热PCVD—TiN涂层的影响

研究了不同的沉积电压对辅助加热式ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的影响。实验证明,提高沉积电压可以细化ＴｉＮ涂层的柱状晶结构,增加ＴｉＮ涂层的显微硬度和沉积速率。在试验范围内,涂层内残存的氯含量基本不受沉积电压的影响。     

沉积工艺对聚苯胺涂层电学性能的影响及其抗磨损性能

神经电极表面涂层对电极性能有重要影响,其中沉积工艺是重要的影响参量.本文着重考察涂层沉积工艺对其电学性能的影响,并对最佳沉积工艺所得涂层的抗磨损性能进行研究.具体而言,在控制沉积过程中电极通过电荷量相当的前提下,比较3种聚苯胺电化学沉积方法的优劣.结果显示:相比裸电极,循环伏安沉积电极阻抗降低了29.7%,CV面积增加了4.05倍;恒电流沉积电极阻抗降低了39.8%,CV面积增加了5.4倍;恒电位沉积电极阻抗降低了4.3%,CV面积增加了4.9倍,恒电流法效果最佳.较低的阻抗及较大的CV面积意味着较好的电学性能.在此标准下,恒电流沉积时间为600～700 s时,沉积效果较好.为考察聚苯胺涂层磨损后对电极性能改善效果的影响,设计了一种模拟体内磨损装置进行相关试验.结果显示:磨损过程中涂层的电学性能改善效果逐渐下降,经4 h磨损后,修饰电极的阻抗值甚至高于裸电极阻抗.因此,在对导电涂层的评估中,其抗磨损性能应引起重视.     

电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相.     

双源法制备CuInSe2多晶薄膜的研究

利用氮气作保护气体,用元素合成法进行开管烧结,合成具有单一相黄铜矿结构的ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶材料．用真空双源蒸发方法,通过精确控制ＣｕＩｎＳｅ２ 源和Ｃｕ 源或Ｓｅ 源的温度和蒸发速率以及衬底温度,制备ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶薄膜,并对ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶薄膜的组份、结构、工艺条件及电学性质进行了分析、研究     

CuInSe2薄膜太阳电池

ＣｕＩｎＳｅ２是极具潜力的太阳电池新材料,其能量转换效率、使用寿命和抗辐射性能力是当今复晶及非晶薄膜太阳电池研究中的最高纪录。本文从材料科学的观点来介绍ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的特性及制作过程并提及其材料品质可改善的程度。这方面的了解将有助于我国对于高效率薄膜太阳电池的研究。     

光电材料CuInSe2薄膜

概述了CuInSe2太阳能电池技术,CuInSe2材料的最新发展;同时也介绍了CuInSe2薄膜的特性非常高的光吸收系数(>105 cm-1),可以将薄膜做的很薄(1～2 μm),长期的稳定性,抗辐射性等.对CuInSe2材料的认识、了解将有助于对高效、低成本的薄膜太阳能电池的研究.     

基于硝酸盐为前驱体的溶胶凝胶法制备CuInSe2薄膜

采用低成本的无机盐为前驱体,通过溶胶凝胶法制备了高质量的黄铜矿结构CulnSe2太阳能电池光吸收层薄膜.先将制备得到的溶胶通过旋涂甩胶的方法成膜,再先后置于氢气中还原和在硒蒸气中进行硒化处理,即可得到所需薄膜.通过XRD,XRF,SEM和Raman散射等对材料的结构和形貌进行表征.结果表明:采用这种简单的方法所制备的薄膜除了具备平整度好、结晶度高和致密性好等优点外,Raman散射还表明薄膜表面不存在Cu2-xSe等杂相,上述优点非常有利于后续高质量的薄膜太阳能电池的制作.最后,讨论了CuInSe2薄膜中分层现象的产生以及形成机理.     

印刷法制备多晶硅薄膜

本文以TiO2溶胶与硅粉混合采用印刷法制备了多晶硅薄膜,利用X射线衍射、I-V测试系统、扫描电镜以及分光光度计表征了样品结构与特性．研究了薄膜退火条件及TiO2晶相对多晶硅薄膜性能的影响．结果表明：在550℃退火1h,TiO2为锐钛矿相的条件下,所制多晶硅薄膜的电导性最好,其电导率与其他条件下的样品相比提高了约1个数量级．     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。     

TeO2薄膜非水解溶胶-凝胶法制备及聚合机制

分别以1,2-丙二醇碲和四氯化碲为原料,采用非水解溶胶-凝胶法制备TeO2薄膜.研究了非水解溶胶-凝胶聚合过程的聚合机制以及TeO2薄膜热处理过程中的微观结构变化.研究结果表明,1,2-丙二醇碲为链状齐聚团簇结构,齐聚团簇间通过非水解脱醚聚合反应形成凝胶网络;四氯化碲则先与乙醇发生部分取代反应生成中间产物氯代乙醇碲,中...     

Influence of annealing temperature on structure and photocatalytic activity of TiO2 thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering method

Transparent TiO₂ thin films were successfully prepared on high purity silica substrates by DC reactive magnetron sputtering method and annealed at different temperatures. The effects of the annealing temperature （300-600 ℃） on crystalline structure, morphology, and photocatalytic activity of the TiO₂ thin films were discussed. The photocatalytic activity of the films was evaluated by photodegradation of methylene blue solution. With increasing annealing temperature, the photocatalytic activity of the TiO₂ thin films gradually increased because of the improvement of crystallization of anatase TiO₂ thin films. At 500 ℃, the TiO₂ thin film shows the highest photocatalytic activity due to the improvement of crystallization of anatase TiO₂ thin films. When the annealing temperature increases to 600 ℃, the photocatalytic activity of thin film decreases owing to the formation of rutile phase and the decrease of surface area.