锶铅比对钛酸锶铅材料性能的影响

目的研究锶铅比对（Sr,Pb）TiO3材料性能的影响。方法在溶胶一凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究。结果改变锶铅比,会使（Sr,Pb）TiO3材料的NTC—PTC特性发生明显的变化,从而使其半导性及应用范围发生变化。结论通过改变锶铅比,可以调节（Sr,Pb）TiO3的居里温度％,这对扩大（Sr,Pb）TiO3材料的应用范围,具有积极的实用意义。     

钛酸锶铅材料半导性研究

目的研究掺杂对(Sr,Pb)TiO3半导性及微观组织的影响。方法在溶胶-凝胶法中,采用不同的掺杂浓度及不同的烧结温度来进行研究。结果改善了烧结温度,改进了PTC复合效应,提高了电学特性。结论通过掺杂可以改变(Sr,Pb)TiO3的半导性。     

残余应力与电极电位之间的关系

结合电化学原理，从实验的角度分析论下了残余应力与电极电位之间的对应关系，旨在为应力腐蚀的纵深研究和开拓新的应力测试方法做一点尝试。     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。