半连续金属膜在中断蒸镀后的电阻弛豫研究

在超高真空的环境中蒸镀半连续铌(Nb)膜和银(Ag)膜,中断蒸镀后,立即原位测量样品电阻在10min内随时间的变化(弛豫现象)。发现Nb膜和Ag膜分别表现出电阻升高和降低的不同行为,而且基底温度和膜厚对弛豫强度都有较大的影响。分析表明,这些现象是由膜表面金属原子运动引起的岛的吞并以及岛的边际形变引起的。     

半连续Ag膜的分形结构与光学性质

用真空蒸镀法在ＫＢｒ晶体上制备半连续Ａｇ膜，膜的复盖率由０．３至０．８．由电镜观察膜的形貌随复盖率ｐ的变化：当ｐ很小或很大时为均匀膜；当ｐ接近临界阈值ｐｃ时为不均匀膜．测定了膜的形貌参数随ｐ的变化．及试样在２．５～１２．５μｍ波段的透射光谱．当ｐ＜ｐｃ时，透射率随波长增加而增大；当ｐ＞ｐｃ时，透射率则随波长增加而下降．当ｐｐｃ时，透射率与波长无关，即出现光学逾渗效应．最后，讨论了沉积与凝聚对膜几何参数的影响     

金属—介质多层膜的光学特性

分析了层结构对含极薄金属膜的金属－介质多层膜光学特性的影响，以及金属膜的光学常数及复合膜的光学特性与膜厚的关系。当金属膜为岛状膜时，多层膜的红外反射特性与岛状膜的几何参数有关，计算所得反射率与实验结果一致。     

AlN/Al多层膜的红外反射谱研究

分析了含极薄金属膜的多层膜的红外反射谱，给出了一般的分析方法，包括：极薄金属膜的光学常数与膜厚的关系；岛状薄膜的光学常数与几何尺寸的关系；并进一步分析了多层膜中的表面电磁振动模及其对反射谱的影响．针对ＡｌＮ／Ａｌ多层膜的计算所得结果与实验相一致     

铝合金表面构建超疏水性的化学改性机理

系统研究了刻蚀一化学改性两步法中的蒸镀改性工艺对铝合金表面形貌和润湿性的影响,提出了刻蚀与化学改性同时进行的一步浸泡法制备超疏水铝合金.结果表明,两步法蒸镀改性工艺中,硬脂酸端部的极性亲水羧基与铝合金表面羟基以共价键结合,从而在铝合金表面形成一层硬脂酸膜,使铝合金实现低表面能化,水滴在其表面处于Cassie状态,接触角...     

LiNbO_3晶体的减反射膜

LiNbO_3晶体是 YAG 倍频激光器倍频晶体之一。蒸镀一层 SiO_2的减反膜,其剩余反射率 R≤0.2%。文章对影响减反膜效果的因素进行了探讨,给出减反膜的性能测试结果。     

对入射角高度稳定的消色差相位延迟器

探讨了一类对入射角高度稳定的消色相位延迟器的设计方案，首先选取合适的全反射角，然后通过在全反射界面蒸镀一定厚度的光学介质膜对中心波长处的相位延迟进行补偿，结果不仅可以改善相位延迟对入射角的稳定性，而且可以大大提高器件的消色差性。     

以TiAl金属间化合物为支撑体的多孔Ni膜的制备

为了克服传统有机膜与陶瓷膜的一些不足之处，以TiAl金属间化合物为支撑体，用悬浮粒子烧结法在孔径为10．6um的片状支撑体上制备多孔金属Ni膜。考察了浸浆时间、烧结温度等工艺参数对膜表面形貌和孔径大小、分布等膜性能的影响。结果表明，合适的制膜条件是：浸浆时间为60s，烧结温度为500℃。得到了孔径分布比较窄而且表面比较平整的微滤膜，其平均孔径为0．83μm，膜厚约为30μm。     

垂直磁记录介质Co—CoO薄膜的磁特性和微结构

采用垂直蒸镀的方法,在接近室温的基底上,以较低的沉积速率(R(?)5(?)/S),连续调节通入真空室内的氧气压强PO_2,成功地蒸镀出性能优良的Co-CoO垂直磁化膜。其磁特性完全适用于作垂直磁记录介质。与高沉积速率的蒸镀相比,仅是适于产生垂直磁化膜的氧气压强PO_2的范围小些,薄膜磁特性和微结构对PO_2的变化较敏感,需要更精细地控制PO_2的数值。通过X射线衍射分析和透射电镜观察薄膜表面的复形表明:具有最佳磁特性的垂直磁化膜是hcp Co和fcc CoO的混合物,并形成以Co为中心,外面包围着CoO的柱状结构。当PO_2≥1.5×10~(-4)乇时,膜中出现了极少量钴的高价氧化物(如Co_2O_3,Co_3O_4),则形成以CoO为中心的CoO-Co-CoO相间的内外三层的柱状结构。此时薄膜的Ms变得较小,矫顽力H_(c⊥)和H_(c∥)也减小,磁特性开始变坏。     

窄带高反膜的研究

结合ｎ≈ｋ的超薄金属膜，Ｆ－Ｐ干涉滤光膜及高反Ａｇ膜的光学特性提出了设计窄带高反膜的一种新方法，给出了可见光区的窄带高反膜的膜系结构，定理地分析了膜系的反射率，反射峰值，反射半波带宽等光谱反射特性，实验证实了理论设施和分析。同时，还提供了设计非可见光波段的窄带高反滤光片的方法。     

金刚石表面的金属化

用真空蒸镀法在金刚石镀覆Ｔｉ层，并经扩散处理使金刚石表面形成ＴｉＣ膜，实现了金刚石表面的金属化，Ｘ射线衍射分析证实了ＴｉＣ的存在，利用ＸＰＳ定量分析验证了在金刚石表面碳原子与钛镀层之间的反应模型，经表面金属化的金刚石烧结体的力学性能测试表明，金刚石与粉末合金界面上的结合得到增强。     

电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％．     

膜厚控制波长的校正

在真空蒸镀光学薄膜时,为了便于用光学方法控制膜厚(如极值法、双色法,波长调制法),膜系中膜层的光学厚度,常常是用光波波长的四分之一来表示的。而基片上的膜厚是通过测量控制片上的膜厚来控制的。但由于:(1)控制片和基片相对于蒸发源的位置和转动情况不同;(2)光线在控制片上的入射角不同;以及(3)膜片在使用时光线的入射角不同。所以膜系中规定膜厚的波长,不能直接用作控制波长,而必须加以校正。下面分三种情况分别讨论。一、因控制片和基片相对于蒸发源的位置和转动情况不同,而引起的膜厚增长率不同的     

电子束法沉积ITO透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分,氧分压,衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响,在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０＾－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％。     

金刚石覆镀TiN膜的工艺改进及效果

阐明了金刚石覆盖的最佳途径－真空离子覆镀TiN膜。同时通过对从清洗、轰击、到物料的振动与翻滚等全部工艺过程的论述，说明了金刚石覆镀TiN膜的实施过程。通过结果讨论，说明金刚石覆镀TiN膜后的综合性能明显优于未镀和其它覆镀的性能。     

日本利用印刷方法制造有机EL元件新技术

<正>日本山形大学有机电子研究中心的城户淳二教授领导的研究小组成功开发出了利用印刷技术制造有机EL(Electro-Luminescence)元件的技术。与现有的真空蒸镀技术相比,该印刷技术的电力消耗可降低到百分之一以下,极大地降低了生产成本。现有的有机EL元件利用真空蒸镀技术在基板上蒸镀数层几纳米至几十纳米的化合物,尤其是电子注入层必须在真空环境下蒸镀金属以及绝缘材料,利用印刷技术难以实现。     

提高真空镀膜机在物理实验中的利用率

由于本系实验室的真空镀膜机无法控制镀膜厚度,因而大大缩小了真空镀膜机在物理实验中的应用范围.为了解决有关的物理实验对膜厚的需求问题,笔者设计了本实验,研究了膜厚与蒸镀时间、反射系数以及分束比的关系,提高了真空镀膜机的利用率,为教学和科研提供了方便.     

蒸镀Cu-In合金硒化制CuInSe2薄膜

利用两源蒸镀Cu-In合金膜，在半封闭石墨盒中硒化，制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS）薄膜，实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系，探讨了不同硒化温度对CIS薄膜组织结构，成分和晶粒尺寸的影响，结果表明，单一结构有利于Cu-In合金膜的均匀和平整，硒化过程中，随着硒化温度的升高Cu的损失量增加，In的损失量相对减少，在300℃硒化时开始出现CIS黄铜矿结构，350℃硒化所得薄膜绝大多数为CIS结构，500℃制得单一结构的CIS薄膜。     

CoCr的选择蒸镀和垂直磁化膜的研究

用电子束蒸镀CoCr制备垂直磁化膜时发现膜成分受众多因素影响,而成为CoCr膜实现垂直磁化的首要问题。选择蒸发是造成成分控制困难的主要原因。本文对有关问题进行了研究,分析计算了理论公式,与实验作了比较,结果符合得很好;对选择蒸发及其对各种制膜工艺的影响;及CoCr膜垂直磁化性能;膜的微观结构和磁畴,都进行了研究和必要的讨论。     

钢基底上预镀中间层沉积金刚石膜

利用表面预镀中间层在４５号钢上化学气相沉积（ＣＶＤ）得到了金刚石膜。钢基底表面金刚石涂层具有许多潜在应用价值，但直接在钢上沉积生长金刚石面临长的形核期，铁原子的触媒作用和热膨胀不匹配等严重问题。文中采用钢基底表面预镀中间层的方法，阻止碳向基底中扩散，增强膜基结合和抑制ＳＰ２杂化碳的沉积。分别研究了直接在钢基底上、表面预镀铜膜和表面预镀硅膜钢基底上热丝法沉积金刚石膜的工艺特点。通过ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ谱和划痕法检验表明，钢基底表面预镀硅膜作为中间层，是一种在钢上沉积金刚石膜的有效方法。