| 电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究 |
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| 引用本文： | 史济群,周京英,马稚尧,马洪磊.电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1998(3). |
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| 作者姓名： | 史济群 周京英 马稚尧 马洪磊 |
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| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术工程系，山东大学光电材料与器件研究所 |
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| 摘 要： | 论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理，讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜，电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ，可见光范围内平均透过率高于９０％．
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| 关 键 词： | ITO膜 电子束 氧空位 蒸汽分压 |
A Study on Transparent & Electrically Conducting Film (ITO) Deposited by Electron Beam |
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| Shi Jiqun Prof., Dept. of Electronics Sci. & Tech.,HUST,Wuhan ,China. Zhou Jingying Ma Zhiyao Ma Honglei.A Study on Transparent & Electrically Conducting Film (ITO) Deposited by Electron Beam[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1998(3). |
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| Authors: | Shi Jiqun Prof Dept of Electronics Sci & Tech HUST Wuhan China Zhou Jingying Ma Zhiyao Ma Honglei |
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| Institution: | Shi Jiqun Prof., Dept. of Electronics Sci. & Tech.,HUST,Wuhan 430074,China. Zhou Jingying Ma Zhiyao Ma Honglei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium tin oxide (ITO) film electron beam oxygen vacancies vapour partial pressure |
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