纵向驱动巨磁阻抗效应的解释

测定了Fe73 Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的曲线 .从相频曲线的峰位可确定出样品趋肤效应的临界频率 .从临界频率随外磁场的变化 ,解释了纵向驱动巨磁阻抗效应与趋肤效应的关系 .从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律得出 ,低频纵向驱动巨磁阻抗效应是磁电感效应 ,与磁损耗相应的 μ″随外磁场的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因 .     

FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应

采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应．实验结果表明：不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0．8,1．5和3．0μm厚薄膜样品在40kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60．112％,262．529％和400．279％,外场灵敏度分别为1．06％,3．85％和3．03％／（A·m^-1）．采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应．     

真空蒸镀法制备巨磁阻抗材料

采用真空蒸镀法在玻璃基片上制备具有巨磁阻抗效应的单层FeS iB薄膜.通过改变驱动电流方向和外磁场方向,得到4种测量巨磁阻抗效应的方式.通过比较发现,只有当外加磁场和单轴磁各向异性方向垂直时才有比较明显的巨磁阻抗效应的出现,并比较了磁各向同性和磁各向异性FeS iB薄膜的巨磁阻抗效应.验证了用真空蒸镀法能够制备具有巨磁阻抗效应材料的可行性.     

磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应影响的研究

研究了Fe基纳米晶粉芯线圈与电容并联成LC回路的共振频率，fr)随外加磁场变化的特性，讨论了磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应的影响，认为在纵向驱动巨磁阻抗效应中，磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗有十分灵敏的影响。     

CoFeBSiNb非晶合金带材纵向驱动巨磁阻抗效应研究

采用单辊快淬法制备了具有强非晶形成能力的Co63Fe4B22Si5,6Nb5非晶合金带材。利用HP4294A阻抗分析仪测量了经不同温度退火的Co基非晶合金带材在纵向驱动模式下的巨磁阻抗效应（GMI）．实验结果表明：材料经去应力退火后,其软磁性能得到了有效的改善,其中经580℃退火1h的Co基非晶薄带在475kHz电流驱动下的GMI比值可高达2400％,其灵敏度达114％／（A·m^-1）．     

Ni80F20复合结构多层膜的巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni80Fe20/SiO2)n/Cu/(SiO2/Ni80Fe20)n复合结构多层膜,并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明,采用多组双层结构(n＞1)后,样品的巨磁阻抗效应明显增大;当n=3时,观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%,最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时,巨磁阻抗效应比n=3时略有减小.由XRD谱和磁滞回线等,研究了双层结构(Ni80Fe20/SiO2)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化,以及对样品巨磁阻抗效应的影响.     

焦耳热调制CoFe基微丝的GMI与畴结构相关性分析

采用常规焦耳热退火调制熔体抽拉Co68.15Fe4.35Si12.25B13.75Nb1Cu0.5非晶微丝的巨磁阻抗效应,并观测不同电流幅值(0 mA～100 mA)退火后微丝表面磁畴结构,分析其磁阻抗性能与畴结构的相关性,以此提出表征微丝GMI效应的一种方法.研究结果表明:随着退火电流幅值的增大,磁阻抗效应比值呈现先增大后减少的变化规律.制备态时,微丝内部残余较大径向应力,表面周向畴较弱,磁阻抗效应较低.80 mA焦耳热退火后,其表面周向畴规则分布,阻抗比值[Z/Z0]max(％)值达到114.0％,对应的场响应灵敏度为127.7％/0e;100 mA焦耳热退火后,大量焦耳热促使微丝内部局域晶化较明显,其磁畴壁出现钉扎现象,周向畴被破坏,阻抗性能降低.     

纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了９８ＭＰａ应力退火生成的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｖ２Ｓｉ１３．５Ｂ９纳米微晶带纵向驱动微磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律，说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应，大于特征频率时是磁阻抗效应，且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。     

FeCo基合金的一种环向磁化特性

测定了Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2合金非晶管在环向磁化场作用下的纵向驱动巨磁阻抗效应,发现样品的阻抗比曲线在频率低于600 kHz时呈"双峰"现象,频率高于600 kHz时呈"单峰"现象,并对环向磁化场作用有良好的线性响应.用磁力显微(MFM)观察了样品的纵向和环向磁畴结构,分析认为是合金非晶管的分层磁畴结构分布导致了环向良好的线性磁特性.     

FeNi基非晶薄带的巨磁阻抗效应研究

采用甩带快淬法制备了FeNi基[(Fe50Ni50)77.5Cr0.5Si11B11]软磁非晶薄带,测试与分析了FeNi基合金薄带的微结构、静磁性能和磁阻抗.结果表明:FeNi基合金薄带在快淬态便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应,薄带的几何尺寸对其GMI效应有明显影响,尺寸为宽2 mm,长20 mm的薄带具有最佳GMI效应,在5 MHz下,最大纵向GMI比达到25.0%,最大横向GMI比达到19.7%.讨论了最佳几何尺寸样品的磁阻抗比在不同的频率下随外加直流磁场的变化规律.     

利用GMI效应表征FeCuNbSiB薄带的磁结构

介绍了利用GMI效应表征540℃加不同加张应力退火的FeCuNbSiB薄带的磁结构,并结合磁力显微镜观测法进行分析。实验结果表明:该样品具有横向易磁化结构和纵向易磁化结构的复合结构,随着应力的增大,横向各向异性场呈线性增大,这跟其他研究者的研究结果相一致。采用GMI效应表征软磁材料磁结构的方法是传统磁结构表征方法的一个有益补充。     

用于高频磁阻抗效应的软磁薄膜研究

讨论了用于高频磁阻抗效应传感技术的ＮｅＦｅ软磁薄膜制备和薄膜单轴各向异性产生方法及机理．用射频磁控溅射法在几十ｋＡ／ｍ磁场定向下制备出具有一定单轴各向异性的Ｎｉ８１Ｆｅ１９软磁薄膜,并对所测得的薄膜各种磁化曲线进行了分析     

一种新型巨磁阻抗磁敏开关的设计

利用540℃和17．8MPa退火后的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金薄带具有宽平台和陡峻下降沿的巨磁阻抗特性研制了一款新型磁敏开关,并介绍了磁敏材料的GMI特性及磁敏开关的电路设计原理．实验结果表明：该磁敏开关的重复性好（2．06％）,迟滞误差小（2．71％）．     

钴基玻璃包裹丝软磁性能的优化

采用高频感应加热熔融快淬法制备钴基玻璃包裹丝,研究了包裹丝的直径和退火电流密度对于巨磁阻抗效应(Giant Magnetoimpedance,GMI)和磁场灵敏度的影响.结果显示,随着包裹丝直径的增大,GMI和磁场灵敏度先增大后减小,当包裹丝总直径为29μm时,软磁性能最好.用此直径的包裹丝进行不同电流密度的电流退火处理,发现当退火电流密度为120A/mm~2时,磁场灵敏度最高为602%/Oe(1 Oe=1000/(4π)A/m).     

自组装制备磁性复合微球聚集体

用部分还原法制得纳米Fe3O4,用微乳液聚合法制备聚（苯乙烯-丙烯酸）高分子微球P（St-co-AA）,再以球形P（St-co-AA）为模板与Fe3O4磁粉通过静电自组装和氢键自组装制得磁性复合微球聚集体Fe3O4／P（St-co-AA）;利用XRD、TEM、SEM、IR等对样品进行表征,采用VSM对样品进行磁性能测试．结果表明所得样品为Fe3O4单相,平均粒径约10nm．P（St-co-AA）平均尺寸为约70nm,表面含有羧基,所制磁性复合聚集体Fe3O4/P（St-co-AA）的形貌为球形、多孔、粒径约5μm,磁粉含量为29％．磁性能测试表明当外加磁场为6KOe时,磁化强度达到饱和,饱和磁化强度为69emu.g^-1．研究表明pH、搅拌等对磁性复合微球聚集体的形成有重要影响．     

Fe-Si-B-Nb-Cu-Zr非晶（纳米晶）合金的磁性机理研究

采用单辊甩带法制取了Fe-Si-B-Nb-Cu-Zr非晶合金薄带。利用X射线衍射仪（XRD）、差示扫描量热法（DSC）和振动样品磁强计（VSM）等手段对非晶态和晶化后的薄带的微观结构和磁性能进行了表征和测试,研究了Fe-Si-B-Nb-Cu-Zr合金中磁性能随着Zr含量以及退火温度变化的磁性机理。结果表明,在铸态Fe-...     

计算机集成自动化制备油基磁性液体

报道了采用计算机集成自动化制备系统(CIAPS)制备的聚烯烃合成油和真空泵油基磁性液体的研究结果。采用透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对其进行结构表征和性能测试。结果表明,所得到的材料是均匀分散、球形、单畴的立方相Fe3O4纳米材料,粒径集中在大约7~13nm范围,两种磁性液体的饱和磁化强度分别达到26.90 kA/m和17.92 kA/m。     

射频场感应的传导骚扰抗扰度试验辐射场研究

针对射频场感应的传导骚扰抗扰度试验中存在的电磁辐射问题,以电能表作为受试设备,利用场强仪和频谱分析仅对电磁脉冲辐射场进行了试验研究。试验结果表明,射频传导试验中的辐射场具有很大的场强,在电能表附近住置,可以达到90V／m。有比较宽的频谱,主要分布在几十至几百MHz之间。     

大西沟难选菱铁矿石综合利用新工艺

采用强磁预选—磁化焙烧—磁选联合工艺对大西沟难选菱铁矿石进行试验研究.结果表明:在磨矿细度-74μm占55%、强磁粗选磁场强度318kA/m、强磁扫选磁场强度717kA/m的条件下，可得到TFe品位为28.47%、回收率为96.78%的强磁精矿；强磁精矿在中性气氛中于焙烧温度700℃、焙烧时间40min、磨矿细度-43μm占95%、弱磁选磁场强度104kA/m的综合条件下，获得TFe品位为59.29%、回收率87.50%的精矿产品.XRD、光学显微镜和VSM等分析结果表明:难选菱铁矿和褐铁矿经焙烧后转变为易选磁铁矿，新生成的磁铁矿表面疏松多孔，多呈胶状，与脉石矿物紧密共生，其磁化强度和比磁化系数均显著提高.