ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高，等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸引能力。     

添加剂对低压ZnO压敏陶瓷特性的影响

按照国外低压ＺｎＯ压敏陶瓷中所含添加剂的种类，利用制备ＺｎＯ压敏陶瓷的常规工艺，对基本添加剂进行单因子实验；研究每种添加剂对ＺｎＯ压敏陶瓷性能和微观结构的影响规律；从理论上分析各类添加剂的作用机理；优选出低压ＺｎＯ压敏陶瓷的最佳配方。     

ZnO陶瓷主晶相晶粒生长发育过程的研究

通过对ＺｎＯ陶瓷中晶粒的生长发育过程的详细研究，结果发现烧成初期，在较大粉粒与较小粉粒间表面能差的作用下，首先形成许多原始ＺｎＯ粉粒降集体，粉粒的聚集中心是其附近较大的ＺｎＯ粉粒，粉粒聚集体是ＺｎＯ晶粒的雏形，其中存在许多不规则的微界面，相邻聚集体之界面则是原始的晶界，随烧结温度升高，晶粒不断长大，晶粒中的微界面趋于消失。文中提出了新的ＺｎＯ晶体生长模型，即晶粒的生长发育经历了２个阶段；１是粉聚集     

共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究

本文研究了共沉淀法制备ＺｎＯ压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响．结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ＺｎＯ的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产生．并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论．     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性     

烧结条件对Co_2O_3掺杂ZnO基陶瓷压敏电阻电性能的影响

利用固相反应法制备Co2O3掺杂Zn O-Bi2O3-Ti O2-Mn O2系低压压敏陶瓷,系统研究掺杂量、烧结温度和时间对压敏陶瓷结构、压敏电压梯度、漏电流密度和非线性系数的影响.结果表明:Co2O3掺杂量摩尔分数为1.0%,烧结温度为1 200℃,烧结时间为5 h时过压保护综合性能最好,其压敏电压梯度为17.1 V/mm,非线性系数为15.7,漏电流密度为0.34μA/mm2;Zn O压敏陶瓷电阻由晶粒界面电阻和晶粒内禀电阻组成,当外加电压低于临界电压时,陶瓷样品表现为大电阻,且电压对电阻影响不明显,约为7×104Ω,主要由界面电阻贡献;当外加电压高于压敏临界电压时,界面被击穿,陶瓷样品电阻突然减小至~10Ω,表现为晶粒内禀电阻特性.1     

ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究

利用简便的粉末反射光谱法，测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱，并对其影响机理进行了探讨．研究结果表明，同纯ZnO相比，压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移，红移量随烧结温度的提高而增大；吸收边斜率随着烧结温度升高而变小．吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果．高温烧结的试样在波长为566nm、610nm、650nm处存在光反射谷，反射强度随烧结温度升高而降低．烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷类型与温度变化无关，浓度随烧结温度的升高而增大．     

氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系

采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强与Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿中场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律，利用光学显微方法，观测试样微观结构并用ＺｎＯ晶粒工度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ＺｎＯ晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性，研究表明，临界厚度ｄ０与ＺｎＯ晶料尺寸的分散度成正比；斜率ｂ２与平均晶粒长宽比也成正比，建立了宏观电性能与微观     

TiO2掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

应用晶粒生长动力学唯象理论研究了TiO2对ZnO压敏陶瓷的晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长动力学指数和激活能,探讨了TiO2掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长的作用机理.实验结果表明对于TiO2掺杂ZnO压敏陶瓷,当烧结温度低于l050℃时,其动力学指数n=3,激活能为300±25kJ/mol,此时晶粒生长的速度控制机理是ZnO在Bi4Ti3O12液相中的扩散.而当烧结温度大于1100℃时,其动力学指数n=6,激活能为360±29kJ/mol.这是由于Zn2TiO4尖晶石颗粒钉扎在ZnO压敏瓷的晶粒边界,通过颗粒阻滞机理抑制ZnO晶粒的长大,从而使ZnO压敏瓷的晶粒生长激活能增大.     

纳米氧化锌压敏陶瓷

采用多元掺杂法以纳米级的ZnO为原料制备纳米ZnO压敏陶瓷,通过SEM,TEM,XRD等现代分析方法对其组织结构进行表征,并测量其压敏性能。实验结果表明,压敏陶瓷的粉体平均粒径可达到30nm;压敏电压Vb=462V;漏电流IL=1.2μA;非线性系数α可达到45;而且随着烧结温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大,结构逐渐均匀、致密。     

氧化锌陶瓷低温导电特性研究(英文)

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.     

Production and characterization of ZnO nanoparticles and porous particles by ultrasonic spray pyrolysis using a zinc nitrate precursor

ZnO nanoparticles and porous particles were produced by an ultrasonic spray pyrolysis method using a zinc nitrate precursor at various temperatures under air atmosphere. The effects of reaction temperature on the size and morphology of ZnO particles were investigated. The samples were characterized by energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and scanning electron microscopy. ZnO particles were obtained in a hexagonal crystal structure and the crystallite shapes changed from spherical to hexagonal by elevating the reaction temperature. The crystallite size grew by increasing the temperature, in spite of reducing the residence time in the heated zone. ZnO nanoparticles were obtained at the lowest reaction temperature and ZnO porous particles, formed by aggregation of ZnO nanoparticles due to effective sintering, were prepared at higher temperatures. The results showed that the properties of ZnO particles can be controlled by changing the reaction temperature in the ultrasonic spray pyrolysis method.     

合成致密刚玉-莫来石-锌铝尖晶石复相材料的工艺研究

研究了合成致密刚玉-莫来石-锌铝尖晶石复相材料的工艺条件.通过XRD和SEM分析了煅烧温度与生成物相的关系,采用二步煅烧工艺研究了轻烧温度及轻烧时间对刚玉-莫来石-锌铝尖晶石复相材料的烧结性能的影响.结果发现:采用ZnO、SiO2、Al(OH)3为原料,1300℃时,系统中能够生成刚玉、莫来石、锌铝尖晶石.在轻烧温度为1300℃时,最佳的保温时间为3h,此时显气孔率达到最小,体积密度相应最大.进一步提高轻烧温度到1400℃时,有利于刚玉-莫来石-锌铝尖晶石复相材料的烧结,在此轻烧温度下,最佳的保温度为2h,此时试样的显气孔率达到最大,体积密度相应最小.     

Influence of sintering temperature on the phases and photoelectric characteristics of BiOCl/ZnO composite powders

Zinc oxide is a typical functional oxide that has been widely researched for various industry applications due to its peculiar physical characteristics. However, to achieve its potential in promising applications, much work has been diligently performed to improve the physical properties of ZnO. In this work, an aqueous suspension route was used to prepare BiOCl/ZnO composite powders, and sintering processes were applied to investigate the influence of sintering temperature on the phase evolutions, microstructures, and photoelectric characteristics of BiOCl/ZnO composite powders. The results indicated that the photoelectric properties mainly depend on the relevant content of BiOCl in the composite powders and the sintering temperature. The photoelectric measurements in K₂SO₄ solutions show that the photoelectric properties of the samples with the appropriate BiOCl content (0.3mol% and 2.0mol%) are better than those of ZnO and commercial TiO₂ (P₂₅) powders, but the photoelectric measurements in NaOH solutions indicate that the photoelectric characteristics of the as-sintered samples are only better than those of P₂₅.     

烧结工艺对HA粒子尺寸的影响

为了对比纳米HA与大颗粒或大晶粒HA作为骨填充材料在动物体内的实验效果，通过改变烧结工艺来获得大颗粒或大晶粒HA．扫描电镜检测结果表明，烧结温度对粒子尺寸的影响最为敏感：低于800℃烧结时，粒子长大缓慢甚至没有长大现象；超过900℃后，粒子迅速长大；1200℃烧结时，随烧结时间延长，晶粒呈现不规则长大，并出现二次再结晶现象。     

Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体,用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响,用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明：当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相,晶格常数减小,Li 以替位的形式进入ZnO晶格。当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li 从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格。当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高,当x达到0.08时出现杂质第二相Li2CO3。Li 晶格占位对其磁性能具有重要影响。     

ZnO过量对MnZn铁氧体磁性能的影响

用化学共沉淀法制备了高磁导率MnZn铁氧体,研究了ZnO过量和不同烧结温度对样品磁性能的影响。随着ZnO含量的增加,样品的饱和磁化强度逐渐下降,而样品的磁导率逐渐增加,且样品的截止频率fr大于500kHz.