IGBT特性分析与驱动参数的优化配置

详尽分析了IGBT的特性及驱动条件,概述了IGBT有效保护的要求,以TEM-2型电磁法发射机中的全桥变换电路及GT60M302型IGBT为例,对驱动参数的优化配置进行了较为详细的研究,并给出了TEM-2型发射机的驱动参数.     

TEM-2型瞬变电磁法发射机中的过流保护技术

详尽分析了 IGBT的有效保护要求和 EXB841驱动电路的过流状态自识别保护过程 ,对其保护特性的不足进行了深入探讨 ,给出了 TEM- 2型电磁法发射机中 EXB841驱动电路的改进设计和基于电流检测方法的过流保护电路。     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求，结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论，并给出了一些典型电路以供大家参考。     

无辅源宽范围可调脉冲IGBT驱动模块研制

针对传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)隔离驱动方式存在的一些缺陷,提出了一种新的可调脉冲IGBT变压器隔离驱动方式.利用控制脉冲的前、后沿所形成的窄脉冲对IGBT的门极电容进行充放电来控制IGBT的开通和关断,使其可以工作在较低的输出脉冲重复频率,同时可以用作斩波的驱动,其输出信号的占空比可达5%⁹5%.这种驱动电路结构简单、成本低廉.     

IGBT的驱动与保护

本文讨论了IGBT驱动电路的特点及设计驱动电路应考虑的问题,并叙述了IGBT使用时故障产生的机理及基本的保护方法。在此基础上,给出了一些实用的驱动与保护电路。     

车用大功率电力电子器件研究进展

 车用电机驱动变流器是电动汽车电机驱动的关键部件,大功率电力电子器件是其核心。对比分析了国内外电动车辆用电机驱动变流器的拓扑结构、变流器控制特点及体积功率密度等关键指标,指出车用电机驱动变流器的技术创新重点在于硅基绝缘栅双极性晶体管(IGBT)芯片及封装技术持续改进碳化硅(SiC)器件的应用。综述了硅基IGBT芯片的演进和IGBT模块封装技术的创新,介绍了碳化硅器件的技术特点。     

IGBT驱动模块2SDl06AI的性能及应用

性能良好的驱动电路是保证IGBT正常工作的前提．选用2SDl06AI做为IGBT的驱动模块,介绍了2SDl06AI驱动模块的基本性能,分析设计了相应的外围电路及设计中的关键参数,并在逆变电路中进行了应用．实验结果表明,基于2SDl06AI的驱动电路性能稳定可靠,能很好地满足应用要求。     

高压IGBT暂态机理模型分析

在已有的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)机理模型的基础上将IGBT分为金属-氧化层-半导体-场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)和双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)2部分,分别对其进行建模,同时给出了模型参数的提取方法。模型在Matlab中实现。以FZ600R65KF1型IGBT为例给出了模型参数值,并完成了该型号IGBT的单管测试实验。通过对高压IGBT开通暂态、关断暂态和开关损耗的仿真结果和实验结果进行比较,验证了机理模型对于高压IGBT的适用性。     

核磁共振找水仪发射机主回路的设计与仿真

为保证核磁共振找水仪的发射机主回路发射大功率电流,加大探测地下淡水资源的深度,针对发射机主回路在运行中产生的瞬态电压和浪涌电流问题,对几种典型缓冲电路进行了分析与计算.通过仿真实验,确定了发射机主回路的缓冲电路和快速关断电路关键器件的最佳参数.使IGBT(Isolation Gate Bipolar Transistor)的C、E两端瞬态电压尖峰降低了150 V,IGBT的电流不超过发射机所能发射的最大电流(最高电流为400 A).从而保证了IGBT的C、E两端电压平稳;保证大功率电流可靠、有效地发射.     

基于时间序列DTW差异的IGBT模块缺陷辨识方法

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块是电力电子装置中关键可靠性敏感元件之一,辨识IGBT模块缺陷,是避免突发故障,增强电力电子装置可靠运行的重要举措之一。为此,笔者提出一种基于时间序列动态时间弯曲(DTW)差异的IGBT模块早期缺陷的诊断方法。该方法利用缺陷对IGBT模块门极寄生参数的影响,通过分析缺陷前后,门极电压信号序列DTW的差异,判断IGBT模块内部是否存在缺陷。实验研究结果验证了其诊断结论的正确性和实用性。     

基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计

分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IG-BT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。     

全桥移相软开关IGBT弧焊逆变电源设计

针对普通的PWM控制的弧焊逆变器 ,在高频情况下会产生很大的开关损耗 ,影响电源的可靠性问题。提出了功率管利用谐振电感和谐振电容的谐振 ,在零电压下开通或关断。来减小开关损耗的方法。设计了采用IGBT作为开关元件的软开关弧焊电源 ,实现了移相控制的电压软开关桥式逆变电路和采用电流传感器的电流反馈系统及驱动电路。试验结果证实了该电路具有开关损耗低 ,可靠性高的优点。     

IGBT高压串联组件的失效检测与恢复策略

针对IGBT串联组件中失效器件导致整个装置异常的问题,提出了一种IGBT器件开路失效的检测方法与组件功能恢复策略。从IGBT的内部结构分析了器件失效机理,借助于IGBT驱动电路监测组件中各个IGBT的状态,根据状态反馈对IGBT器件的开路失效故障进行诊断和定位,针对IGBT的开路失效故障,设计了在串联组件阻断后吸合相应旁路开关以恢复组件功能的重启动策略。建立了串联组件中IGBT失效监控实验系统。实验结果表明该系统能准确识别组件内失效的IGBT器件,并及时可靠地恢复了IGBT串联组件的正常开关功能。     

IGBT数值模型建立及在三电平逆变电路的应用

采用PSpice仿真分析N沟道IGBT数值模型,该数值模型体现了MOSFET和双极型PNP晶体管特征。目前的许多仿真工具都很复杂,而且不能反映工作温度变化对器件参数的影响。本文参照测量和数据手册参数,提出了一种新颖、简捷的IGBT建模方法。根据FGW50N60HD型IGBT参数,建立该型号IGBT模型,并在三电平逆变电路中验证。该模型在外部温度环境变化时,容易修改模型的内部参数。仿真与实验结果证明了在不同温度条件下该模型的正确性。     

IGBT驱动电路的应用与改进技术

对ＩＧＢＴ驱动电路特性进行了详细分析,就ＥＸＢ８４０／８４１提出了应用和改进技术,在逆变焊机中得到了成功应用。     

MOSFET与IGBT的驱动和保护方法

半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT都具有低损耗开关特性,但其驱动方法和保护方法却有明显的区别。本文从其结构。速率、驱动功率、开关损耗、驱动要求及保护方式等方面阐述它们的差别。     

高压大功率单元IGBT的驱动保护

合理设计驱动电路不但可以减少IGBT开关次数和开关过程损耗,降低发热量与输出电压波形畸变率,而且还可以减少事故发生概率,提高系统安全性、可靠性与系统持续可运行时间。文中首先通过分析各种调制控制方法与驱动电路优缺点,设计了IGBT驱动调制技术方案,接着又分析了IGBT的工作特性、驱动电路要求与SCALE模块结构原理,然后,使用SCALE作为驱动元件设计IGBT驱动保护电路。经过长时间运行验证,该电路可以很好满足使用要求。     

开关磁阻电动机开关元件的选择与研究

本文讨论了开关磁阻电动机驱动装置中开关元件的选择、设计，及其额定值的计算。着重分析了ＩＧＢＴ在开关磁阻电动机中的应用，并且给出了一种典型的驱动电路。样机实验结果验证ＩＧＢＴ是开关磁阻电动机理想的开关元件。