FEMD的离子交换行为及其离子筛法提取锂的研究

采用碳电极,在90～95℃范围内,电解氯化锰溶液,制得纤维态电解二氧化锰(简称FEMD)。它是具有纤维态的Y-MnO_2,对于氯化物中的单种或混合阳离子具有交换性质。研究结果表明,以FEMD为基体所制得的锂型离子筛,可用于从海水中提取微量锂,有90％的锂被选择交换。     

微分脉冲阳极溶出伏安法连续测定葛花中微量锌、铜

微分脉冲阳极溶出伏安法测定葛花中微量锌和铜.在0.01mol/L的高氯酸溶液中,锌、铜均有良好的溶出峰.测定结果与原子吸收光谱法以及光度法相符.方法简便、反应灵敏、准确度高.Zn2+在0～0.8ug/ml、Cu2+在0～0.4ug/ml分别与其溶出峰电流呈良好的线性关系.     

锌—铁合金电镀工艺参数对镀层含铁量的影响

本文研究从氯化物体系中电沉积锌—铁合金镀层,讨论了pH值、电流密度、搅拌、温度等工艺参数对镀层含铁量的影响,并优选出获取Zn—0.2％Fe合金镀层的工艺条件。     

阴离子对镉电沉积的极化影响

E. Muller, H. Barchmann曾经研究过Cl~-、Br~-、SO_4~(--)、ClO_4~-等阴离子对锌和镉电沉积极化值的影响。他们从锌和镉的氯化物、溴化物、硫酸盐和高氯酸盐的溶液中测定了锌和镉的极化曲线,极化值按照下列次序增长: 溴化物和氯化物<硫酸盐<高氯酸盐Н.ИЗТарынев研究了NO_3~-、CH_3COO~-、SO_4~(--)、I~-、Br~-等离子对镉电沉积的影响,结果表明极化值依照如下次序递减: 硝酸盐>醋酸盐>硫酸盐>碘化物>溴化物在F. Foerster, K. Klemm的工作中,曾研究过镉在0.9N氯化镉、硫酸镉、高氯酸     

对分析化学中〔Co(NH_3)_6〕~(2+)和〔Co(NH_3)_6〕~(3+)配离子颜色的讨论

本文指出一些定性分析教材中关于〔Co(NH_3)_6〕~(2+)和〔CO(NH_3)_6〕~(3+)配离子的颜色存在矛盾之说,实验证实〔Co(NH_3)_6〕~(2+)络离子是红色,〔Co(NH_3)_6〕~(3+)为土黄色,而〔Co(NH_3)_5Cl〕~(2+)或〔Co(NH_3)_5H_2O〕~(3+)离子为红色。     

射频磁控溅镀掺杂铜对钛酸锌薄膜中相变化及微结构的影响

探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近.     

电沉积铜镍纳米多层膜的机理

采用动电位扫描、循环伏安法以及交流阻抗等方法，研究了从柠檬酸盐体系中电沉积铜镍纳米多层膜的电沉积机理。研究结果表明：在研究体系中铜的沉积是扩散控制的电极过程，而镍的沉积则是首先形成类似Ｎｉ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态。     

类仿生溶液中电沉积羟基磷灰石涂层机理的探讨

在类仿生溶液中用电化学沉积法在阳极氧化后的钛表面直接得到了羟基磷灰石（HA）涂层,通过极化测量和电化学反应分析探讨了在类仿生溶液中电沉积羟基磷灰石涂层的过程,提出了电化学反应、扩散和涂层生长3个阶段的反应机理,理论计算的电化学反应电位和极化曲线所测得的转折电位有较好的一致性。研究结果表明在类仿生溶液中直接电沉积HA涂层具有明显优势,可以通过控制pH值和溶液成分制备出不同性能的HA涂层。     

恰有1+(1/2)m(m-1)个顶点的环——分布图的最多边数

令f(n)为任二环均有不同长度的恰有n个顶点的图的最多边数。1975年,Erdos提出了确定f(n)的问题(见〔1〕)。1986年,y,shi证明了f(n)≥n+〔((8n-23)~(1/2)+1)/2〕(n≥3)且当3≤n≤17时,等号成立。于是猜想:对任何整数n≥3,有f(n)=n+〔(8n-23)~(1/2)+1)/2〕本文证明了,当n=1+1/2m(m-1)(m≥3)时,本猜想成立。     

水溶液体系电积砷的析AsH_3过程分析

计算了水溶液中As(Ⅲ )的理论溶解度 ,分析了电沉积过程AsH3的形成机理 研究指出 ,As(Ⅲ )在碱性水溶液中的溶解度比在酸性或中性水溶液中大得多 ,因此 ,在碱性溶液中电沉积砷更有利 ,防止产生AsH3的有效途径是提高氢的析出电势     

Zn~(2+)对电化学合成聚苯胺膜的影响

应用循环伏安法和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnSO4 对电化学合成聚苯胺(PAN)的影响.结果表明,在含0.1 mol/L苯胺的1.0 mol/L硫酸溶液中加入 0.1~1.0 mol/L的 ZnSO4,能提高 PAN膜的电沉积速度;Zn2+还能使电聚合的PAN膜在1.0 mol/L H2SO4 溶液中的电化学降解速度降低,并导致PAN膜的表面呈现多孔状的形貌.     

EMD在Pb-Ag-Ca新型合金阳极上电沉积杌理研究

根据对在实际电解条件下的电解液的吸收光谱谱图的测定,确定了在电解反应过程中有Mn~(3+)和MnO_4~-等生成。据此,可认为电解二氧化锰沉积(EMD)机理首先为各种价态的Mn离子在不同甲下的反应为(3)(4)(5)式,电解液最终存在如下平衡。 2Mn~(3+)+2H_2O=MnO_2+Mn~(2+)+4H~+ ΔG=-108.76K_J (1)     

白光LED用铽铕共掺铝酸锌微晶玻璃的制备、结构与发光性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+/Eu3+共掺Zn Al2O4微晶玻璃,研究了热处理温度对材料显微结构的影响以及不同稀土离子掺杂材料的发光性能.X射线粉末衍射测试结果表明,干凝胶样品在900℃温度热处理后可得到透明的含尖晶石结构Zn Al2O4微晶玻璃.发射光谱分析表明,在900℃热处理Tb3+∶Zn Al2O4和Eu3+∶Zn Al2O4微晶玻璃样品中,Tb3+离子与Eu3+离子分别发射绿光和红光.Tb3+/Eu3+∶Zn Al2O4发黄橙光,并且发光颜色随着Eu3+离子浓度的变化可调,该材料在白光LED领域具有潜在的应用前景.     

无机化学中的近似计算

让我们从教科书中的一个例题谈起。 《无机化学》编写组编写的《无机化学》教科书上册第259页例题2的解答很有意思,值得研究一番。为了便于说明问题,特将全文抄录于下: 例题2 在25℃时,比较一升6M氨水和一升0.01MKCN溶液中溶解几个摩尔AgI? 解:第一步求AgI在6M氨水中的溶解情况,AgI在6M氨水中的络合溶解平衡为: AgI(固)+2NH_3(?)Ag(NH_3)_2~++I~- K=K_稳×Ksp(AgI) =1.6×10~7×1.5×10~(-16) =2.4×10~(_9) 设在6M氨水中能溶解X个摩尔AgI,则平衡时各成分的浓度分别为〔Ag(NH_3)_2~+〕=X,〔I~-〕=X,〔NH_3〕=6-2X则     

水溶液体系电积砷的析AsH3过程分析

计算了水溶液中As(Ⅲ)的理论溶解度, 分析了电沉积过程 AsH3的形成机理.研究指出, As( (Ⅲ) 在碱性水溶液中的溶解度比在酸性或中性水溶液中大得多, 因此,在碱性溶液中电沉积砷更有利, 防止产生 AsH₃的有效途径是提高氢的析出电势.     

8-羟基喹啉修饰电极测定铜的研究

本文研究了Cu(Ⅱ)在8-羟基喹啉修饰玻碳电极上的阳极溶出伏安特性。电极过程为不可逆过程。当底液为0.1MHAc-0.1MNaAc溶液,预电解电位为-0.6V(Vs.Ag-AgCl)时,铜的阳极溶出峰高比未修饰的纯玻碳电极提高约5倍。检出限可低至0.05ng/ml.150倍Cu(Ⅱ)浓度的Fe3+、50倍的Zn2+、Mn2+、Cr3+、Tl+,25倍的Co2+、Sn2+、Ni2+、Bi3+、Pb2+,5倍的Sb3+、Cd2+和2倍的Hg2+对铜的溶出峰不影响。本法测定了尿铜,对4ng/ml的Cu(Ⅱ)测得     

KPS引发丙烯酸乙酯与玉米淀粉的接枝共聚反应及产物的某些性能——乙烯基类单体与淀粉的接枝共聚反应(Ⅸ)

发现K_2S_2O_8(KPS)是丙烯酸乙酯与玉米淀粉接枝共聚的有效引发剂。当〔KPS〕在6.36×10~(-3)～8.17×10~(-3)mol/L、〔EA〕在0.45～1.0mol/L范围内、50℃、反应6h,接枝共聚物的接枝率及接枝效率均较高。在碱溶液中将接枝共聚物皂化,得到粘度较高、且相当稳定的溶液。     

平面曲线的相对曲率公式的几种证明方法

在平面曲线的理论中,相对曲率k~r 是最重要的量。关于它的计算公式k_r=(x′y″-x″y′)/(x′~2 y′~2)~(3/2) (1)的证明,国内的教科书基本上都是借助于x 轴上的单位向量(?)到曲线的切向量(?)的有向角(?)(见参考书目〔1〕、〔2〕),但〔3〕、〔4〕指出(?)可能不连续,因而没有定义好,故这种推导不理想。国外有的教科书利用空间曲线曲率k 的计算公式,先求出丨k-r丨(?),再讨论其符号而得出,这也显得麻烦。本文给出直接利用平面曲线的基本公式,不依赖于角(?),证明相对曲率计算公式(1)的几种简单方法,以供参考。     

弱酸性KCl溶液中Zn_2_在铜电极上沉积机理的探讨

本文通过线性电位扫描、循环伏安、交流阻抗等实验方法对弱酸性氯化钾溶液中Zn~2+在铜电极上的沉积行为进行了研究,得到了动力学参数Tafel斜率bc=111mV,反应级数Z=0.95.由此认为Zn~2+在铜电极上的沉积机理是由两个连续的单电子步骤所组成,且反应的第一步是速度控制步骤.反应过程中生成吸附态的一价锌离子(Zn~+ads)中间体.     

Zn_2SiO_4∶Mn~(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0)=2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据。