Zn_2SiO_4∶Mn~(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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引用本文: | 王燕,朱雪萍,崔飞玲,史威威,贾莹莹,张志伟.Zn_2SiO_4∶Mn~(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].河北科技师范学院学报,2014,28(3). |
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作者姓名: | 王燕 朱雪萍 崔飞玲 史威威 贾莹莹 张志伟 |
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作者单位: | 河北科技师范学院化学工程学院,河北秦皇岛,066600 |
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摘 要: | 采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0)=2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据。
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关 键 词: | ZnSiO∶Mn+ 电子结构 光学性质 第一性原理 |
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