聚乙炔中的孤子跃迁

孤子在聚乙炔链中的运动可用多声子理论来讨论,在此基础上,引进了耦合坐标 y,使其化成单自由度问题。求得了聚乙炔链中孤子的有效质量为5m_(?),得到了孤子运动跃迁势垒 w_λ(y),并讨论了它与电子晶格耦合参数λ的关系。     

金属与聚乙炔环三端连接的电子输运性质

基于Landauer-Buttiker理论,用求解散射波函数的方法,研究了金属与环状聚乙炔链三端连接的电子输运性质.结果表明,在给定入射端的条件下,电导在正负能量上是对称的,当3个端口满足旋转对称性时,2个出射端的电导相同.电导随着导线与聚乙炔链间耦合强度的不同而呈现不同的性质,弱耦合时电导突变明显;耦合增强后,电导趋于稳定.各端的电导跟电子在该端口碳原子上的局域密度有关,随着导线与碳链间耦合强度的增大,局域密度随能量的振荡会减弱.     

过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究

利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系,指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加是导致空穴载流子浓度随掺杂浓度增加而减少的主要原因.尽管适当增加镁的掺杂浓度可以提高样品中空穴的迁移率,但是超高的重掺杂将会导致样品中的空穴浓度和迁移率同时急剧下降.     

掺杂浓度和温度对δ掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响

在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As/Ga As双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响.研究发现,系统的本征能量随温度升高或随掺杂浓度的增大而增加;费米能量随温度升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加;子带间总的吸收系数随温度的升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加.除子带间跃迁3-6,4-5随温度升高线性光学吸收系数增加外,其他各主要子带间跃迁随温度升高线性光学吸收系数而减小;各子带间线性光学吸收系数随掺杂浓度的增大而增加.     

耦合Morse振子中测度同步的研究

研究了两耦合Morse振子的集体运动行为,研究表明当增大振子间的耦合强度时会出现测度同步现象.单个Moser振子能量随耦合强度的变化显示测度同步实际对应着分离到混合的转变.在这一转变过程中,确定了耦合Moser振子测度同步转变的临界指数率.而进一步研究振子的相位差随振子间耦合强度变化的关系,发现可以通过耦合振子的相锁定引入序参量用来表征这其中测度同步的相变.     

巨磁阻材料Sr1.9 Gd0.1FeMoO6光掺杂的正电子湮没研究

采用固相反应法制备Sr1.9Gd0.1FeMoO6样品,通过X射线衍射检验其为单相.在光照10、20、30、40min后分别做了正电子湮没实验.研究了正电子寿命与先掺杂量之间的变化关系,分析了光掺杂对样品电子结构的影响.结果表明:正电子寿命参数对光掺杂量十分敏感,τ1、τ2随光照时间具有相同的变化趋势;在光照时间t>20 min时,平均电子浓度随光照时间有明显的变化;持续的光掺杂使样品缺陷的平均尺寸相对减小,可能由微空洞、多空穴向双空穴或单空穴转变,使电子结构趋于有序化.     

温度和掺杂浓度对delta掺杂GaAs量子阱电子态结构和子带间光学吸收的影响

在有效质量近似下,通过自洽计算求解薛定谔方程和泊松方程,得到了温度不为零时Siδ掺杂的Ga As量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对系统子带能量、费米能级、电子密度分布和子带间光学吸收系数的影响.发现在一定的掺杂浓度下,费米能级会随着温度的升高而降低,子带间入射光总的吸收系数随温度升高而降低;在温度一定时,费米能级和子带能级随掺杂浓度的增大而增大,子带间入射光总吸收系数随掺杂浓度增大而增大.     

Ba_(1-x)Ca_xTiO_3陶瓷的介电性和正电子湮没研究

采用固相反应法制备Ba1-xCaxTiO3陶瓷样品,运用X射线衍射技术进行物相分析,利用HP4294A阻抗分析仪测量样品在室温下的介电特性随频率和Ca2+掺杂量的变化.实验结果表明:Ca2+掺杂可以提高BaTiO3陶瓷的介电常数随频率变化的稳定性,降低BaTiO3陶瓷的介电损耗,随着掺杂量增加,效果就越明显;用正电子湮没寿命谱学的方法研究样品中的结构缺陷与掺杂量的变化关系.分析了样品的微观结构与掺杂量的大小有关.     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.     

用正电子湮没研究CaO掺杂的CeO2氧离子导体

测量了不同CaO掺杂量的CeO2 氧离子导体 (CaO) 1-x(CeO2 ) x 的正电子寿命谱 .发现正电子寿命随x的增加 (x从 0 .0 5到 0 .5)先增大后减小 ,峰值出现在x =0 .1 2附近 .从掺杂离子与缺陷的相互作用所造成的缺陷组态变化对该现象进行了解释 .     

ZnO压敏材料的PAT研究

ZnO压敏材料自60年代问世以来发展迅速,应用越来越广泛,市场对材料性能也不断提出新的要求.如何从实验中研究出性能优良、价格低廉的实用材料和器件一直成为该领域科技人员努力的目标,其技术突破的关键又在于寻找合适的掺杂配方和烧结工艺.本文试图用正电子湮没寿命方法研究材料性能与掺杂量及烧结工艺之间的内在联系,探讨不同条件下微观结构的变化,以期寻求一种优化掺杂和工艺的新方法.从结果来看,这种研究方法是有意义的.     

Microstructure of polymeric electrolyte PEU-LiClO4 studied by positron spectroscopy

The positron lifetime spectra and ionic conductivity have been measured for polymeric electrolyte PEU-LiClO₄ as a function of temperature in the range of 120≈360 K and as a function of Li-salt concentration at room temperature. From the temperature dependence of positron annihilation parameters, the glass transition and subtransition are observed, and the glass transition temperatureT _g of pure PEU is determined to be 240 K. AboveT _g, the free volume hole size dramatically increases with temperature. The variations of positron annihilation parameters and ionic conductivities with respect to Li-salt concentration at room temperature indicate that the Li salt mainly diffuses into the amorphous region in PEU-LiClO₄. The increase of Li salt concentration brings about an increase in the number of carried ions, and a reduction of the fractional free volume. Supported by the National Natural Science Foundation of China Wang Shaojie: born in Mar. 1942, Professor     

Defect properties of GaAs by positron annihilation

Positron lifetime and Doppler Broadening spectra have been measured for three types of GaAs semiconductors. Direct evidence of native vacancy-type defects is found in the semi-insulating (SI-type) and n-type sample as its average lifetime {ie45-1} andS-parameter are larger than the bulk value. No positron trapping occurred in p-type GaAs. The lifetime spectrum of n-GaAs has also been measured as a function of temperature. The increase in average lifetime {ie45-2} from 226 ps to 234 ps at the temperature range 95–330 K was observed and was explained by the ionization of the vacancy. The slight increase in bulk lifetime {ie45-3} with the temperature was caused by the lattice expansion and expansion coefficient α=14×10⁻⁶K⁻¹ was evaluated. Chen Zhiquan: born in May 1969, Ph.D. graduate student. Current research interest is in positron annihilation. Supported by the National Natural Science Foundation of China     

双钙钛矿Cs2NaInF6:Mn4+荧光材料的发光性质与LED应用研究

高效红光材料开发是制备温暖照明光源的关键一环.利用氟化物较低的声子能量和较弱的电子声子耦合效应,设计了一种Mn⁴⁺激活的双钙钛矿Cs₂NaInF₆红光材料,对材料的晶格结构、元素组成、表面形貌、能带结构、格位占据情况、激发和发射光谱、量子效率和荧光寿命进行了系统的表征和研究.结果表明,材料在紫外和蓝光区的激发带较宽,在红光区的发射峰半峰宽较窄,且掺杂粒子数分数为0.27%的样品具有最强的荧光发射和最高的量子效率(69%),其荧光寿命为5.65 ms.基于“红-黄-蓝”三色组合的白光LED器件具有较高的显色指数(93.0)和较低的色温(2 914 K),表明了其在暖白光LED器件上的潜在应用价值.     

链间耦合对聚乙炔中量子晶格涨落和空间结构稳定性的影响

在Ｓｕ－Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ－Ｈｅｅｇｅｒ（ＳＳＨ）哈密顿量的基础上，加上链间电荷转移项，考虑链间耦合对聚乙炔中量子晶格涨落和空间结构稳定性的影响。考虑了链间耦合作用后，不同的链间结构具有不同的能量。对于能量低的结构，链间耦合将导致孤子禁闭，从而抑制量子晶格涨落。对于能量高的结构，链间耦合将导致孤子扩散，从而加大量子晶格涨落。     

高温超导体YBaCuO光掺杂效应的正电子寿命谱研究

报道了YBaCuO高温超导体进行光掺杂的基本情况,提供了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,讨论了光掺杂机理,并将实验结果与理论模型进行了对比.     

含Zn,Ag或Sc的Al-Li-Cu-Mg-Zr合金正电子寿命谱研究

在深低温到室温的不同温度下，测量了不同时效状态的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金的正电子寿命谱，对ｅ＾＋寿命谱特征参数的分析表明，峰值时的使热空位大量回复，缺陷的数目减少，在深低温下，空位主要以单空位形式存在且随温度升高而激活运动复合成多空位，Ｚｎ或Ａｇ的加入对空间的运动复合有束缚作用，而Ｓｃ却有助于空位的运动复合，所有实验样品低温下基体电子密     

Pr3+掺杂Sr2LaTaO6红色荧光粉的合成和发光性能分析

寻找能应用于白光LED的红色荧光粉,以稀土氧化物为原料,采用高温固相法制备Pr3+掺杂Sr2LaTaO6系列红色荧光粉,再通过XRD、SEM及荧光光谱仪等仪器对样品的物相结构、形貌特征、荧光特性、衰减寿命和荧光热猝灭等性能进行实验分析。结果表明:样品物相纯正、结晶度好,Pr3+的掺杂没有改变基质的晶体结构;样品可以被蓝光有效激发,发出色坐标为（0663 0,0336 6）的红光;Pr3+的最佳掺杂浓度（摩尔分数）为01%,随着Pr3+掺杂浓度（摩尔分数）不断高于该浓度,其荧光强度和衰减寿命都会递减;样品在室温到400 K这一温度范围内热稳定性良好。表明Pr3+掺杂的Sr2LaTaO6红色荧光粉有望应用于白光LED。