| 掺杂浓度和温度对δ掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响 |
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| 引用本文： | 杨双波,赵恒飞.掺杂浓度和温度对δ掺杂的Al_xGa_(1-x)As/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响[J].南京师大学报,2015(2):23-29. |
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| 作者姓名： | 杨双波 赵恒飞 |
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| 作者单位： | "大规模复杂系统数值模拟"江苏省重点实验室南京师范大学物理科学与技术学院 |
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| 摘 要： | 在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As/Ga As双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响.研究发现,系统的本征能量随温度升高或随掺杂浓度的增大而增加;费米能量随温度升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加;子带间总的吸收系数随温度的升高而减小,随掺杂浓度的增大而增加.除子带间跃迁3-6,4-5随温度升高线性光学吸收系数增加外,其他各主要子带间跃迁随温度升高线性光学吸收系数而减小;各子带间线性光学吸收系数随掺杂浓度的增大而增加.
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| 关 键 词： | AlxGa1-xAs/Ga As双量子阱 掺杂浓度 子带间线性光学吸收系数 |
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