脉冲激光淀积制备LiTaO3光波导薄膜的研究

报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在（００１）和（０１２）蓝宝石衬底上制备ＬｉＴａＯ３光波导薄膜的实验研究。利用Ｘ光衍射和Ｒａｍａｎ光谱术鉴定所生长薄膜的微结构，研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响，而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备了优质的外延膜，薄膜显示了优异的光波导性     

多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长

研究了在常压SiH_4-H_2系统中,于1050C下,在不同衬底上所获得的多晶硅淀积层的结构和核化生长过程。实验发现,衬底性质对核化过程和早期淀积层结构有影响。与热生长SiQ_2衬底比较,SiO_2+Si_3N_4 复合衬底上的淀积具有核化过程发生早,岛核尺寸小密度高,淀积层晶粒细密等特点。SiO_2 同H_2及淀积硅的反应是影响高温条件下在SiO_2衬底上核化和生长的原因。文章还讨论了核化阶段的相变过程。     

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体,氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺,在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察,研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程。实验结果表     

低温光化学生长金属钯薄膜研究

报道了新一代紫外光源--激发态双分子(Excimer)紫外光源在制备金属薄膜材料方面的应用研究.金属钯是一种优良的催化剂,首先在各种衬底如Al2O3、AIN、玻璃以及聚合物等上面淀积钯的金属有机化合物薄膜,通过紫外光分解钯的金属有机化合物,形成数埃到几十埃的钯膜,然后再利用钯的催化效应,在无电极电镀液中淀积出几十纳米到几微米厚的各种金属薄膜(如Cu、Au、Ni等).     

C60薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成

用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件，在Ｃ６０薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。     

用等离子体化学传输淀积[PCTD]法制备非晶硅合金膜及其特性

等离子体化学传输淀积[PCTD]法,是我们用来制备非晶硅合金膜的第二种新方法。在这方法中,我们利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在付蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅和掺杂材料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与H_2及电极和衬底表面起反应,在淀积区电场中的衬底上淀积出非晶硅合金膜。文中对淀积的机理、制备方法以及膜的结构和性质作了报导和讨论。     

等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

相变型光存储薄膜的脉冲激光制备

系统地探索脉冲激光闪蒸法制备相变型光存储薄膜的工艺,发现激光脉冲能量的大小和淀积衬底的温度都是影响薄膜质量的重要因素.当激光能量高时,膜粗糙、成份与靶材保持一致;而当激光能量较低时,膜均匀、光滑,而成份与靶材有偏离.当衬底温度在约25℃时,形成非晶膜;而当衬底温度较高时,可形成多晶膜;衬底温度过高,则不能形成连续膜.     

电淀积CdSe_xTe_(1-x)薄膜的相结构和成分分析

本文采用阴极电淀积法在镀Ni黄铜衬底上制备CdSe_xTe_(1-x)多晶半导体薄脱。用X射线衍射仪和X射线能谱分析仪,对淀积物的相结构和成分作了分析和测定。由此可肯定淀积物具有立方闪锌矿结构,它实际上是由结构相同的CdSe和CdTe组成的两相混合物。同时也指出在淀积层中还含有相当数量的游离镉金属。     

自组织生长Ge量子点材料研究

利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料,具有较好的晶体质量.     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．     

用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷

在顶非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃.60分钟退火形成硅化钛.在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷.而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除.     

LPCVD设备维护保养的重要性分析

LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行讨论,分析和总结其维护及保养措施。     

二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

采用火焰水解法 ( FHD)在 Si片上快速淀积出 Si O2 厚膜材料 ,材料膜厚 40 μm以上 ,生长速率 8μm/ min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理 ,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料 .利用 XRD,SEM,电子显微镜等仪器对 Si O2 膜的表面和膜厚进行测试分析     

辉光放电无定形锗硅合金膜的红外吸收和氧的扩散

本工作主要着眼于锗硅合金(Si_(1-x) Ge_x∶H)红外吸收谱的某些变化和生长参数的关系,以寻求较合适的生长条件.实验中改变的参数有三个:锗含量,衬底温度,射频功率.我们首次观察到空气中的氧能扩散进某些条件下生长的锗硅合金膜.样品的制备和测量所用无定形锗硅合金膜,是在射频辉光放电中分解一定体积比的硅烷(SiH_4)和锗烷(GeH_4)淀积而成.硅烷、锗烷的纯度为99.999%,水和氧的含量都少于五百万分之一.红外测量的样品是淀积在粗抛过的高阻硅单晶片上.用涡旋分子泵把真空室抽空至真空度高于3×10~(-8)乇,然后通进硅烷和锗烷,按所要求的体积比进行混和,并把总压力固定在0.25乇.锗的含量x 在0和0.75之间变化,衬底温度在228—     

化学汽相淀积钨及硅化钨膜

随着集成电路技术的迅速发展,对材料的性能及材料的制备工艺提出了更高的要求.为满足大规模和超大规模集成电路的特殊需要,耐熔金属和硅化物主要用在下列三个方面:(1)用作接触阻挡层,保护浅结电路,防止铝“尖锋”失效.(2)用作低阻栅材料,代替多晶硅栅,可以有效地减小栅极的薄层电阻,提高器件的速度.(3)用作连线材料,代替铝线,在高温大电流的场合下使用,可提高器件的可靠性和使用寿命.由于化学汽相淀积(CVD)钨和硅化钨在材料和工艺两方面具有许多优点,已被广泛地采用. WF_■作为淀积的钨源,钨膜的淀积可以采用硅还原或者氢还原工艺:     

Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作

利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.     

SiO_2/GaAs界面的AES深度分析

利用 AES 和离子溅射剥离技术,对 SiO_2/GaAs 界面进行了深度分布测量.SiO_2膜是采用 CVD 方法在400℃下淀积在 GaAs 衬底上的.结果表明,在界面区中存在 Ga的氧化物(可能是 Ga_2O_3)和自由元素 As,即这种界面实际上是 SiO_2/Ga 的氧化物十元素As/GaAs 系统.     

椭偏光谱法研究激光脉冲沉积MgO薄膜材料生长

用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不间衬底温度和不同激光脉冲能量的Mgo薄膜。对生长、制备出的一系列Mgo薄膜进行了椭偏光谱测量研究，在300-800nm光谱波长范围内，得到了不同条件下生长制备的MgO薄膜的光学常数谱和膜厚，其结果显示：真空度、衬底温度和激光脉冲能量对生长Mgo薄膜的折射率、膜厚均有影响，高真空、高衬底温度和适中的激光脉冲能量有利于生长制备高折射率、高密度和高质量的Mgo薄膜。