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C60薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成
引用本文:
刘大军.C60薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成[J].郑州大学学报(自然科学版),1997,29(3):31-33.
作者姓名:
刘大军
摘 要:
用微波等离子体化学气相淀积方法,以C60薄膜作为在硅衬底上的过渡层,无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件,在C60薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。
关 键 词:
金刚石薄膜
MPCVD
硅
过渡层
碳60薄膜
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