防治钩蚴侵肤研究的新进展

由浙江卫生实验院寄生虫病研究所研究的左旋咪唑防治钩虫幼虫侵肤的科研成果,已于今年一月中旬在杭州通过鉴定,到会的32个单位55位专家和代表对此作了高度的评价,认为这项研究对防治早期钩虫病提供了有效的对策,在钩虫病防治上已达到国内先进水平。钩虫病是我国人体五大寄生虫病中感染人数最多,分布最广的一种地方病。解放后经反复防治,至今严重病例已很少了,但流行范围仍相当广泛。浙江省卫生实验院寄生虫病研究所创用的左旋咪唑涂肤剂配方简     

关于多晶CdS太阳电池不均匀性的研究

通过分隔测量开路电压V_(oc)显示出CdS太阳电池的不均匀性及其对电池效率的影响。结果如下;1.在烧结体和喷涂膜CdS太阳电池中,不均匀现象是普遍而明显的,有时显得很严重,对电池效率影响也很大。2.空气中热处理能使新制的CdS电池的V_(oc)普遍提高,同时使不均匀程度大大减小。3.衰降严重的CdS电池中,存在三种因素使局部地区的V_(oc)特别低;除锡焊点短路、Ag栅短路外,还有所谓的低压小块,它的出现与这一局部地区的Cu_2S组成和异质结特性发生显著变化有关。最后对上述结果作了分析和讨论。     

多晶CdS薄膜——电解液太阳电池的初步探索

本文对多晶CdS薄膜—电介液太阳电池作了初步探索,其中的对阴极是用化学喷涂法在玻璃板上沉积成的SnO_2薄膜,CdS薄膜有两种,一是在上述涂有SnO_2的玻璃上用化学喷涂法沉积成的CdS薄膜(即喷涂膜),另一种是以导电陶瓷((SnO_2—ZnO))为衬底的烧结CdS薄膜(即烧结膜)。电解液为目前常用的NaOH—S—Na_2S混合液。通过实验与测量得到以下几点结果: 1.发现有一个最佳电介液浓度约为0.33M,在这个浓度下,电池得到最大的短路电流和开路电压。 2.在自然阳光下,喷涂和烧结薄膜—电介液(0.33M)电池的Jsc分别达160μA/cm~2和420μA/cm~2,比Chartier的同类喷涂CdS薄膜——电介液(1M)电池在100mw/cm~2的Hg灯光下测得的Jsc=32μA/cm~2大5—14倍,相应的喷涂和烧结电池的Voc分别为0.34伏和0.50伏,前者与Chartier的Voc=0.36伏相当,后者却高出1/3。 3.阳光下测得的Ⅰ—Ⅴ曲线的特性较劣,填充因子FF在0.25以下,表明这种电池内存在很大的串联电阻。这种情况同样存在于Chartier的实验结果中。     

硅太阳电池成本的降低与廉价Si材料生产工艺的发展

本文对近几年来用于太阳电池的廉价Si材料生产工艺的进展作了总结和评论。主要内容有;CZ技术生长大直径单晶、铸造多晶、铸造单晶、Si锭切片、Si带、多晶薄膜和无定型薄膜Si电池。     

a-Si:H/a-Si_(1-x):Ge_x:H PIN二重结太阳电池的设计与计算

本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1.9eV的a-Si:H和E_(g2)=1.5eV的a-Si:Ge:H两种材料的pin单结太阳电池及由它们组成的二重结器件的光伏特性,在条件相近的条件下,a-Si:Ge:H pin单结太阳电池的效率与Mitchell的实驻结果相当接近。我们的二重结计算结果与DMM在相近条件下估算的结果接近。     

a—si pin太阳电池势垒宽度和结电场分布的计算

本文采用自恰法及数字积分运算,对两种不同基体的Pin无定形硅太阳电池的势垒宽度和结电场分布做了计算。所得结果不仅与文献[1]所报导的结电场分布规律相一致,而且与文献[2]所报导的实验值很接近,这就为a—si太阳电池的最佳设计提供了一种新的计算方法。     

掺杂浓度和晶粒度对Sdhottky势垒型CdTe薄膜太阳电池短路电流和光谱响应影响的计算与分析

用晶界复合损失模型分析法计算MS和MIS型CdTe多晶薄膜太阳电池的短路电流和光谱响应。结果表明,掺杂浓度对J_(sc)的影响要比对晶粒度的影响强烈得多,在低掺杂浓度(Nd=10~(14)cm~(-3))下,细小晶粒度电池的J_(sc)很接近单晶电池的水平。与以往实验结果对比,发现在相同掺杂(N_d=10~(14)cm~(-3))和晶粒度(2R=1μm))下,计算值与测量值相当一致。     

一种分析和计算p—n结类型多晶Si太阳电池短路电流和转换效率的新方法

本文首次运用Rothwarf的晶界复合损失模型及其修正因子分析和计算p—n结类型多晶Si太阳电池的光电流和短路电流。导出多晶Si少子有效寿命τ*和扩散长度L*与晶粒度和晶界表面态密度的关系式,根据多晶Si表面态密度的测量数据算出各晶粒度下的τ*和L*,并用它们计算多晶Si电池的二极管暗电流。在上述基础上进一步计算10μ和25μ厚的n+—p和n+—p—p+两种多晶Si太阳电池的效率,得到如下的主要结果和结论。 1.在大晶粒度下10μ和25μ厚电池的Jsc(或η)之间的差别显著,当晶粒度变小时,这种差别不断缩小,而当晶粒半径R=10μ时,无论是n+--p或n+—p—p+类型,两种厚度电池的Jsc(或η)之间的差别同时消失。值得注意的是,有关Jsc和η变化的上述特点也出现在Lanza等用数字计算法解连续方程所得的严格计算结果中。这说明我们采用的分析和计算方法也能象严格数字计算法那样较准确地反映和描述多晶Si太阳电池内部载流子的收集与复合情况,另一方面数字计算法本身难以为其结果中所出现的上述特点提供明确物理解释。而用晶界复合损失模型及其修正因子却能给以清晰地说明。这也许是本方法的优点之一。 2.发现我们计算的Jsc和η随晶粒度而增长的规律显著不同于Hovel的结果。Hovel的Jsc从R=O.1μ开始明显上升,并在尺=10μ达最大值(即单晶水平)。而我们的Jsc和η从尺>1μ开始明显上升,但直到R=500μ还未完全达到最大值。用巳有多晶Si电池在各晶粒度下的Jsc测量数据与上述两种计算结果和规律对照,发现我们的结果和规律更符合实际,因而可作出初步判断;即我们所采用的分析计算方法比Hovel的方法有更大的合理性。     

第二种残余内应力对平均晶格大小的效应

第二种残余内应力引起德拜谱线加宽的现象,早在1925年[Davfy 1925]就被发现.当时只是解释为晶格不同程度畸变的叠加,而这种畸变代表不同程度的格子扩大同缩小,因此造成衍射谱线向两边对称地加宽.直到1940年史密斯同乌德[Smith and Wood 1940]比较退火a一黄铜与它冷轧后的德拜谱线,才发现谱线加宽的不对称性,这就意味着位移的存在.并把它看成晶格的永久畸变.