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| 化学汽相淀积钨及硅化钨膜 | |
| 引用本文： | 王永发,王季陶.化学汽相淀积钨及硅化钨膜[J].复旦学报(自然科学版),1987(4). |
| 作者姓名： | 王永发 王季陶 |
| 作者单位： | 复旦大学材料科学系 (王永发)，复旦大学材料科学系(王季陶) |
| 摘 要： | 随着集成电路技术的迅速发展,对材料的性能及材料的制备工艺提出了更高的要求.为满足大规模和超大规模集成电路的特殊需要,耐熔金属和硅化物主要用在下列三个方面:(1)用作接触阻挡层,保护浅结电路,防止铝“尖锋”失效.(2)用作低阻栅材料,代替多晶硅栅,可以有效地减小栅极的薄层电阻,提高器件的速度.(3)用作连线材料,代替铝线,在高温大电流的场合下使用,可提高器件的可靠性和使用寿命.由于化学汽相淀积(CVD)钨和硅化钨在材料和工艺两方面具有许多优点,已被广泛地采用. WF_■作为淀积的钨源,钨膜的淀积可以采用硅还原或者氢还原工艺: |
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