外延生长在GaAs(001)表面的磁性薄膜

采用多种实验技术研究外延生长在GaAs(001)表面的Mn,Co和FeMn合金等磁性金属薄膜，研究结果表明外延生长的磁性薄膜的晶体结构和磁学性质与体材料相比有明显的判别，在一些情况下，外延薄膜和衬底之间的界面结构对于磁性薄膜的晶体结构和磁学性质起着决定性的作用。     

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。     

一种具有平顶陡边响应的长波长光探测器

在PIN型光探测器的基础上制备了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的长波长光探测器。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备在GaAs衬底上二次外延生长了具有台阶结构的GaAs/AlGaAs滤波腔和InP基PIN光探测器。高质量的GaAs/InP异质外延采用了低温缓冲层生长工艺;具有台阶结构的Fabry-Pérot(F-P)滤波腔采用了纳米量级台阶的制备方法。通过理论计算优化了实现平顶陡边光谱响应特性的器件结构;并通过实验成功制备出了具有平顶陡边响应性能的光探测器,器件的工作波长位于1 549nm,峰值量子效率大于25%,0.5dB光谱响应线宽为3.9nm,3dB光谱响应线宽为4.2nm,响应速率达到17GHz。     

[Pt_3(CO)_6]_n~(-2)原子簇合成过程的红外光谱表征

本文报导了用红外光谱跟踪[Pt_3(CO)_6]_n~(-2)(n=3、4、5)原子簇的合成过程.研究结果表明,在反应过程中用桥式羰基带的位置和变化情况来判别铂羰基簇的生成和演变是有效的.在选定合成某-n值铂羰其簇的反应条件下,最初形成的原子簇是[Pt_3(CO)_6]_(n 1)~(-2)的结构,经过进一步的还原再转化为[Pt_3(CO)_6]_(n-)~(-2).     

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs量子阱的Type-II特性

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%￣26%时是Type-II结构.     

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.     

L_1[a,b]中依测度收敛的Opial性质及端点

依测度收敛的Optial性质是Banach空间的重要性质,而端点对于几何性质讨论起重要作用,给出了L_1[a,b]中的依测度收敛的Opial性质的等价描述及端点的判别准则。     

山东方言[VP-neg]式反复问句的类型学意义

山东方言反复问句[VP-neg-VP]和[K-VP]两种类型共存。[VP-neg-VP]具体表现为[VP-neg]和[V-neg-VP]两种形式。其中,通行于山东腹地的[VP-neg]式反复问句在其共时特征、演变规律及动态变化层次等方面显示出类型学的意义。从山东方言的分区看,只能或主要使用[VP-neg]形式的山东腹地属于山东方言的西区;[VP-neg]型反复问句的分布情况体现出华北方言、山东西区方言、东北方言之间的一脉相承,三者同属于冀鲁官话或中原官话区;从汉语方言反复问句的分布格局的角度看,山东腹地与河北、河南及以西的地区共同归于华北方言区。     

L1[a,b]中依测度收敛的Opial性质及端点

依测度收敛的Opial性质是Banach空间的重要性质,而端点对于几何性质的讨论起着重要作用.给出了L1[a,b]函数空间中的依测度收敛的Opial性质的等价描述及端点的判别准则.     

Synthesis and Crystal Structure of New Supramolecular Adducts of[PtCl_6]~(2-) with Cucurbit [7] uril:[(H_3O)_2 [PtCl_6]_3 [C_(42)H_(42)N_(28)O_ (14)_2·H_2O

0　IntroductionCucurbit [n]urils (Qn ,Fig .1.)arecyclicoligomersofnunitsofglycolurillinkedby 2nmethylenebridgesderivedfromformaldehyde.Theypossessacharacteristicannularshape,withtwoidenticalcarbonyl fringedportals[1 ,2 ] .Themostcom moncucurbituril,Q6 ,wasreportedtoaccommodatedifferentguestssuchaswater[3] ,THF[4 6] ,xenon[7] ,pyridium[8] andp xylyenediammonium[3] ionsandsoon .ThealkyldiaminesthreadthroughtheQ6 ,andformtherotaxanestructures[9 1 3] .Metalions[1 ,3 6 ,1 4 ,1 5] andclusters[8,…     

Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications

During the past several years, the research and de-velopment of InP material has made great progress due to serving as the substrate for most optoelectronic devices operating at the communications wavelength of 1.31 and 1.55 mm. At present, InP has become an important semi-conductor material together with Si and GaAs. When compared to GaAs, InP has higher electron velocity, higher radiation hardness and better heat-conducting property. The advantage of InP crystal material allows higher f…     

Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications

During the past several years, the research and development of InP material has made great progress due to serving as the substrate for most optoelectronic devices operating at the communications wavelength of 1.31 and 1.55 μm. At present, InP has become an important semiconductor material together with Si and GaAs. When compared to GaAs, InP has higher electron velocity, higher radiation hardness and better heat-conducting property. The advantage of InP crystal material allows higher frequency operation and lower power requirements. Therefore, InP is widely being used for the manufacture of microwave devices, high-frequency devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) which are indispensable for wireless technology, satellite communications^[1—3]. Although n-type and p-type InP can meet actual needs, semi-insulating InP substrates remain to be improved due to their poor uniformity and consistency. For this reason, several possible approaches have been reported to the preparation of SI InP by wafer annealing under different conditions^[4—9].     

甲醛在Ag(110)面上的非均相氧化

用热脱附谱、低能电子衍射和电子诱导脱附离子角度分布(ESDIAD)研究了甲醛与氧在Ag(110)面上的吸附和反应。结果表明,低温条件下每个吸附态氧原子能稳住几个甲醛分子,其中大部分在220K时以甲醛形式脱附。ESDIAD照片(225K)进一步证明了HCOOH_(a)中间体的存在,该中间体在235K进一步脱氢,在晶体表面上留下较稳定的吸附态甲酸脂(HCOO_(a))。在250K还出现一个水脱附峰和一个较小的甲醛脱附峰。吸附态甲酸脂在395K分解成CO_2和H_2。对反应机理作了探讨。     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

Au吸附在GaAs（110表面的研究

研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致.     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV     

GaAs／Ge_xSi_（1－x）系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响．     

1-D链配位聚合物[Cu(C5H5N)2Cl2]n通过氯离子(μ-Cl-)桥连构建

在标题配位聚合物[Cu(C5H5N)2Cl2]n中,每个铜离子与4个氯离子和2个吡啶氮原子配位,形成[4 2]拉长的八面体几何构型.其中2个铜离子通过μ-Cl-桥连中心对称的二聚体,同时二聚体再通过μ-Cl-桥连,得到1-D链沿着a-铀方向延伸,这种无限1-D链进一步通过氢键C-H…Cl相连,在(001)平面内得到2-D网状的超分子.     

GaAs／Ge_xSi_（1－x）系统的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＣｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层的带间光跃迁振子强度，以及生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的三次非线性光极化率．