鲁棒迭代学习控制及在高精密平台中的应用

针对不确定性系统,提出一种非因果的鲁棒迭代学习控制方法。采用反馈控制和迭代学习控制分别设计并统一进行鲁棒性分析的方法,以提高系统的反馈性能和学习性能。首先采用H_∞控制方法,保证反馈部分的鲁棒稳定性;其次采用二次型优化迭代学习控制律来提高系统的学习效率;最后结合μ分析理论,对迭代学习控制系统进行鲁棒性验证,并对优化学习律的参数进行修正。该方法吸取了非因果迭代学习律学习性能好的优点,也充分利用μ分析保守性小的特点来提高系统的性能。算例结果验证了方法的有效性。     

GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术

利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上, 并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底. SEM和PL观察表明, 利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质. XRD(S射线衍射)结果分析显示, 键合后的样品中出现了新的合金和化合物: AuGa₂, Ni₄N, 意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合, 保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻, 成功地完成了键合, 为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.     

中国高能同步辐射光源及其验证装置工程

同步辐射光源已成为众多学科前沿领域不可或缺的大科学装置.我国现有的同步辐射光源都是中、低能光源,然而与国家重大需求和工业核心创新能力相关的研究急需高性能的高能同步辐射光源支撑,因而建设一台高性能的高能同步辐射光源将为国家的重大需求提供重要支撑,并大大缩小我国与国际先进光源的差距.本文阐述了建设高能同步辐射光源的必要性及意义,分析了国内外同步辐射装置的发展现状,重点介绍了中国高能同步辐射光源的科学目标、初步方案和技术难点,并系统介绍了国家"十二五"重大科研基础设施发展规划中拟开展的高能同步辐射光源验证装置工程的建设目标和建设方案.     

浅析局域网常见的故障及解决办法

随着全球信息化建设和发展，计算机网络为人们在全世界范围内的信息交流铺设了四通八达的高速公路，从而提高了人们生活的质量、加速了生产效率、拉近了人与人之间的沟通距离。     

浅谈高职院校高等数学精品课程建设

精品课程是高水平、有特色的优秀课程;是具有影响力和示范性的课程。通过建设精品课程,促进教学观念的转变,深化课程体系、课程内容、教学方法和教学手段的改革,体现教学理念的变化。高等数学课程作为高职机电类专业必修的一门公共基础课,肩负为后续专业提供数学知识支撑和学生素质教育双层任务,其精品课程建设显得尤其重要。文章从高等数学精品课程的建设原则及内容等进行论述。根据专业需求设定教学内容,实行以培养学生的学习能力为目标的教学改革思路,从岗位需求出发,立足服务专业的新的教学理念。     

外延生长在GaAs(001)表面的磁性薄膜

采用多种实验技术研究外延生长在GaAs(001)表面的Mn,Co和FeMn合金等磁性金属薄膜，研究结果表明外延生长的磁性薄膜的晶体结构和磁学性质与体材料相比有明显的判别，在一些情况下，外延薄膜和衬底之间的界面结构对于磁性薄膜的晶体结构和磁学性质起着决定性的作用。     

论城市轨道交通最小曲线半径标准的选择

我国目前的城市轨道交通线路在选择最小曲线半径标准时有增大的趋势 ,这对降低城市轨道交通造价、改善换乘设计方案是不利的 .因此在收集国内外有关资料的基础上 ,较全面系统地分析了曲线半径对工程可实施性、工程费、运营费、换乘设计方案及车辆选型的影响 ,论述了降低城市轨道交通最小曲线半径标准值的重要性及合理性 .建议在目前车辆条件下可降低车站两端的最小曲线半径标准 ,同时尽快投入力量积极研究适应较小半径曲线的新型车辆     

同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构

半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的又一种新的结构,它可减少二维电子(空穴)气系统中的杂质离子散射,在科学和技术应用上都有重要意义。 δ掺杂样品中的杂质离子仅分布在几个纳米的尺度内,一些常用的结构成分分析方法难以进行检测。如Rutherford背散射(RBS)、中能离子散射(MEIS)只对浓度原子百分比大于10~(-2)％杂质敏感,而二次离子质谱(SIMS)的空间分辨一般为3μm左右。X射线是检测物质结构的有效方法,常规光源的强度不足以测量到足够的衍射振荡来分析δ掺杂的结构。同步辐射光源是高亮度的X射线光源,它已成功地用来测量δ掺杂的结构。 北京同步辐射装置漫散射实验站所用光源来自4W1C光束线,X光经一块压弯的三角形硅单晶单色化并水平聚焦后,再由一块全反射柱面镜进行垂直聚焦和滤去高次谐波,在样品处得到光斑大小为0.3mm×0.5mm、垂直发散度为0.1m rad的单色光。本实验中,三角弯晶为Si(111),所得的单色光波长为0.154nm。衍射平面在垂直方向,以利用同步光的水平偏振和垂直发散度小的特点。样品和探测器