铋对阴极铜沉积微观结构的影响

文章用扫描电镜、Ｘ射线衍射仪、原子吸收光度计和Ｘ射线色散能谱等仪器，研究了含有铋离子的酸性硫酸铜电解液中阴极铜沉积的电结晶生长形态、结晶的晶面取向以及铜沉积层的化学组成。研究结果表明：６０℃时在通常的电解电流密度ｉ＝２００Ａ·ｍ－２下电解，铋不会在阴极沉积；铋离子对铜沉积层的晶面择优取向（２２０）基本不影响，高浓度铋离子存在于电解液中时对（２２０）晶面生长起促进作用，对其它晶面生长起较强的抑制作用；铋离子影响铜沉积的电结晶生长形态和铜沉积层的晶胞尺寸。     

高电流密度电解对阴极铜质量的影响

在铜电解液中加入亚砷酸铜净化脱除锑和铋,当电解液中As质量浓度从6 g/L增加到12 g/L后,电解液中锑和铋的质量浓度分别从0.65和0.15 g/L降到0.30和0.07 g/L,锑、铋去除率分别达到53.85%和53.33%.铜电解液净化后,在铜离子质量浓度为45～50 g/L,硫酸质量浓度为180～210 g/L,电解液温度为65 ℃时,电流密度为300 A/m2条件下进行电解得到的阴极铜达到高纯阴极铜质量标准(GB/T 467-1997).连续电解7 d所得阴极铜铜质量分数为99.996 0%,阴极电流效率为99.1%.电解液中砷、锑、铋质量浓度分别为13.65,0.36和0.075 g/L.电解过程中56.2%锑、88.3%铋进入阳极泥,而78.8%的砷进入电解液.电解3 d后,铜离子质量浓度从45上升到51 g/L,硫酸质量浓度从210下降到175 g/L,槽电压从0.21上升到0.27 V,采用脱铜补酸处理可维持电解的正常进行.     

添加剂对高铋电解铜体系中铜沉积过程的影响

用稳态法研究了添加剂Ｃｌ－、ｇｌｕｅ、（ＮＨ２）２ＣＳ对高铋电解铜体系阴极铜沉积反应的影响。用ＡＡ、ＳＥＭ、ＸＲＤ等仪器研究了添加剂对阴极铜沉积的组成和晶面取向的影响。结果表明：Ｃｌ－对铜沉积反应起去极化作用。ｇｌｕｅ对铜沉积反应起强极化作用。（ＮＨ２）２ＣＳ能改变铜沉积过程的电化学反应机理,使铜沉积反应出现由扩散控制的极限电流。当Ｃｌ－、ｇｌｕｅ、（ＮＨ２）２ＣＳ共存于电解液中时,既对铜沉积反应起强极化作用,又使铜沉积过程的极限电流降低。以低电流密度（２００Ａ·ｍ－２）电解,添加剂存在时可使阴极铜沉积中铋含量从０．０１３％降至０．００２１％,但添加剂不影响铜沉积的晶面择优取向（２２０）。以高电流密度（１５００Ａ·ｍ－２）电解时,添加剂的存在,会改变铜沉积的晶面择优取向。     

添加剂对铜沉积过程的影响

用线性扫描伏安法、循环伏安法、XRD及SEM研究了添加剂Cl^-、骨胶(Glue)和硫脲[(NH2)2CS]在铜沉积过程中的行为。结果表明：当Cl^-、Glue、(NH2)2CS单独存在于电解液中时,Cl^-的去极化作用使铜沉积反应的峰电流密度增大;Glue和(NH2)2CS的极化作用使铜沉积反应的峰电流密度降低,峰电势负移;当Cl^-、Glue和(NH2)2CS共存于电解液中时对铜沉积过程有较强的极化作用,会降低铜沉积反应的极限电流密度和峰电流密度。SEM和XRD测试表明：过量的硫脲会改变铜沉积的晶面择优取向,使铜结晶粒度变大。     

砷锑价态对铜电解液中砷锑铋脱除率的影响

采用SO2还原,使铜电解液中As(Ⅴ)还原为As(Ⅲ),Sb(Ⅴ)还原为Sb(Ⅲ),并调节电解液中As(Ⅴ)与As(T),Sb(Ⅴ)与Sb(T)的物质的量比,蒸发浓缩电解液,冷却结晶后,能有效脱除铜电解液中As,Sb和Bi等杂质。研究结果表明:当铜电解液体积为3L,Cu的质量浓度为32g/L,As(T)的质量浓度为9.36g/L,Sb(T)的质量浓度为0.65g/L,Bi的质量浓度为0.45g/L,n(As(Ⅴ))/n(As(T))和n(Sb(Ⅴ))/n(Sb(T))分别为0.4时,蒸发浓缩电解液,使浓缩前电解液与浓缩后电解液体积比为2.5,冷却至10℃结晶,过滤,铜电解液中Cu,As,Sb和Bi脱除率分别为82%,62%,55%和85%。蒸发浓缩结晶产物中含CuSO4.5H2O和As2O3。其结晶产物中Cu为29%,As为5%,Sb为0.37%,Bi为0.2%。     

LC4表面纳米SiC和PTFE双颗粒复合阳极氧化膜的制备

以250g/L硫酸+15g/L草酸为基础电解液,通过添加2g/L表面改性的纳米SiC颗粒和15ml/LPTFE乳液,组成双颗粒复合阳极氧化电解液,利用脉冲电源在LC4铝合金表面制备双颗粒复合的阳极氧化膜.结果表明:在脉冲电源频率80Hz、占空比80%、电流密度3A/dm2、温度0℃、氧化时间40min等条件下,在LC4铝合金表面成功制备出厚度为20μm,硬度为4340MPa的双颗粒复合的Al2O3-SiC-PTFE阳极氧化膜;复合氧化膜结构中存在着大量的微米级的孔隙缺陷为复合沉积双颗粒提供了复合场所,形成了具有纳米SiC颗粒增强膜的硬度和PTFE颗粒增强膜的自润滑性能的双颗粒复合氧化膜.     

铜电解精炼工艺

研究电解温度,电流密度,铜离子浓度等对阴极铜质量的影响,通过目测和金相显微观察的方法对影响效果进行评价.得出的最佳工艺条件为电解温度为50℃.电流密度为200 A/m2,铜离子浓度为35-40 g/L.在该工艺条件下,得到的阴极铜表面质量平整,得到的阴极铜结晶度小,晶粒致密,择优取向不明显,表面平整光滑.     

添加剂MPS和SPS及其与PEG、Cl -组合对铜镀层晶面取向的影响

高择优取向的铜镀层具有优异的性能,镀层晶面择优取向受多种因素的影响,添加剂是影响铜镀层晶面取向的因素之一。在酸性CuSO4电解液中分别加入添加剂MPS（3-巯基-1-丙烷磺酸钠）和SPS（聚二硫二丙烷磺酸钠）,及其他们与PEG（聚乙二醇）、Cl－组合的添加剂,在这系列电解液中,采用恒电流沉积方法,在0．040 A／cm2和0．150 A／cm2两个电流密度下,制备出了不同取向的铜镀层。X射线衍射实验结果表明：高电流密度0．150 A／cm2,添加 MPS＋Cl－和 SPS＋Cl－得到了（220）全择优取向的Cu镀层。而添加MPS或SPS,或其他添加剂组合,如MPS＋PEG、MPS＋PEG＋Cl－、SPS＋PEG、SPS＋PEG＋Cl－,得到不同取向择优的镀层。优化添加剂组合是在电沉积过程中尽早实现高择优取向生长的有效方法。     

ABS塑料无氰仿金电镀工艺条件研究

在ABS塑料基体上化学沉积铜 ,然后在 5 0℃、电流密度为 0 9A/dm2 、沉积 35min的条件下得到光亮镍镀层的基础上 ,进行Cu -Zn二元合金的焦磷酸体系仿金镀 .重点对镀液性能和工艺条件进行探讨 ,得到了焦磷酸钾浓度为 36 0g/L ,电流密度为 1 2 5A/dm2 的最佳工艺条件 .     

La~(3+)对Zn-Fe合金镀层在硫酸溶液中腐蚀行为的影响

电镀液中加入镧盐,在A3钢表面电镀Zn-Fe合金薄膜,选择酸性腐蚀介质,研究La3+对Zn-Fe合金镀层腐蚀行为的影响.用线性扫描伏安法和交流阻抗法,研究Zn-Fe合金镀层在30℃的0.20mol·L-1H2SO4溶液中的腐蚀行为.用XRD和SEM研究Zn-Fe合金镀层在腐蚀前后的微观结构和形貌的变化.结果表明:加入镧盐,不改变Zn-Fe合金镀层的晶面择优取向,但影响各晶面衍射峰强度,使镀层结晶粒度变小;当加入La2(SO4)3为0.90g·L-1时,Zn-Fe合金镀层变得致密均匀,电结晶生长形态呈现层状;镀层的致钝电流密度(Jpp)和维钝电流密度(Jp)显著降低,极化电阻Rp增大,镀层具有良好的耐蚀性能.     

废铜口收硫酸铜工艺方法研究

设计直接加热铅反应器和简易焙烧炉，使生产设备投资大大降低．利用湿法和干法配合生产，便于提高产品的产量和质量．控制原材料质量和工艺条件能直接制造高纯度硫酸铜．该工艺投资少、见效快、效益高．     

铁酸铜转化为硫酸铜的方法

在铜精粉的湿法冶金和生产硫酸铜的过程中，若焙烧温度控制不当，便会有大量的铁酸铜生成，而传统的湿法冶金和硫酸铜生产工艺，对此无能为力，不但造成资源的浪费，又增大了生产成本。     

铜矿石或铜精矿制备硫酸铜的湿法工艺

研究了从铜矿石（或铜精矿）制取硫酸铜全湿法工艺流程。试验证明，在最佳条件下，可获得一级硫酸铜，铜矿石的铜浸出率９８．３２％，铜回收率９５％，该工艺具有设备简单、投资少、成本低和经济效益好等优点     

从含铜废渣中回收铜的研究

采用氨浸、蒸馏、酸化和结晶的工艺方案对难选的氧化铜矿类矿渣进行处理，最后得到五水硫酸铜产品，实验中探讨了氯浸的机理，研究了影响铜浸出率的主要因素，确定了合理的浸出液配比，得出了氨浸、蒸氨、酸化、浓缩和结晶等过程的工艺条件，为从难选氧化铜类矿石及其废渣中回收铜提供了有效的方法和基本工艺参数。     

铜离子修饰电极上铜(Ⅱ)的示波电位滴定法及其应用

以铜(Ⅱ)为修饰物,铜片为基体,制成铜修饰电极．提出了一个快速测定铜(Ⅱ)的示波电位滴定法．以EDTA为滴定剂,甘汞电极为参比电极,修饰铜电极为指示电极,利用阴极射线示波器荧光点的突然位移指示EDTA滴定铜的终点,具有准确、灵敏、快速等特点,用该法测定含铜(Ⅱ)试样,结果良好．     

恒电流吸附计时电位法的研究I铜与水杨基荧光酮络合物微分吸附电位溶出测定铜

研究了ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ介质中,铜—水杨基荧光酮（ＳＡＦ）络合物在悬汞电极上的恒电流吸附计时电位溶出行为．讨论了恒电流大小、富集时间和富集电位等对ｄｔ／ｄＥ～Ｅ溶出曲线的影响及测定铜的最佳条件．方法的检出下限达５．０×１０－９ｍｏｌ／Ｌ．     

硫酸铜结晶母液制备砷酸铜的工艺技术

采用二段中和法研究了硫酸铜结晶母液制备砷酸铜的工艺过程,用XRD图探讨了砷酸铜的分子结构式．结果表明只要控制一定的pH值、反应时间、温度和铜砷质量比,便可以产出合格的砷酸铜,砷酸铜的结构式为Cu5AS4O15·9H2O．利用含砷物料制备砷酸铜对于环境保护具有重要意义．     

三元混合配合物[Cu2(C8H4F3O2S)2O(C3H3N2)]的合成和晶体结构

室温下利用金属铜粉和2-噻酚甲酰三氟丙酮、吡唑反应,合成了新的双核铜(II)[Cu2(C8H4F3O2S)2O(C3H3N2)].配合物通过元素分析、红外光谱、电导率进行表征.测定了该配合物的晶体结构.结果表明,晶体属单斜晶系,P2(1)/C空间群,晶胞参数:a=0.786 63(16)nm,b=1.792 0(4)nm,c=1.705 3(3)nm;V=2.359 3(8)nm3,Z=4,Dc=1.843 g.cm-3.结果表明,每个铜原子由3个氧原子和1个氮原子配位形成平面四方结构,2个铜原子由吡唑和氧桥联形成双核铜配合物.     

云南的斑铜与乌铜走银

斑铜和乌铜走银是云南著名的工艺品。它们工艺独特,在中国传统金属工艺品中具有重要的地位。作者多次到云南会泽、昆明等地实地调查和对民间艺人进行访谈,获得其大致的生产工艺和技术。以调查材料为基础,介绍和分析了生斑铜、熟斑铜和乌铜走银技术背景、工艺流程、技术原理、现状。     

A magic eggshell: Cu<Superscript>2+</Superscript> reacts with S<Superscript>2−</Superscript> to produce metal Cu,rather than CuS

In common sense, the chemical reaction between Cu²⁺ and S^2– ions produces black precipitation of CuS. However, if they are separated by an eggshell, they produce copper with trace amount of CuS on the surface of the eggshell at the side of copper chloride solution within one week. Such an unexpected phenomenon strongly indicated that Cu²⁺ is able to be reduced into metal copper when S^2– diffuses throughout the porous eggshell. The produced copper was verified by reacting with nitric acid to generate red-brown nitrogen dioxide at ambient temperature, as well as by the powder X-ray diffraction (XRD) and energy dispersive analysis of X-rays (EDS).