铜矿石或铜精矿制备硫酸铜的湿法工艺

研究了从铜矿石（或铜精矿）制取硫酸铜全湿法工艺流程。试验证明，在最佳条件下，可获得一级硫酸铜，铜矿石的铜浸出率９８．３２％，铜回收率９５％，该工艺具有设备简单、投资少、成本低和经济效益好等优点     

硫化法脱除铜电解废液中As,Sb,Bi的试验

对硫化沉淀法净化铜电解废液进行了条件试验和扩大试验．结果表明，控制适当的条件，采用硫化法能同时将铜电解废液中绝大部分的As，Sb，Bi除去，而对Ni的回收不产生影响．此外，还对硫化渣中的杂质分离方案进行了讨论，从实践的角度证实了硫化法净化铜电解废液的可行性．     

颗粒导电性对铁-硅复合镀层形貌及硅含量的影响

将硅含量(质量分数)为30%,50%和70%的铁硅合金粉和纯硅粉作为复合电沉积法制备高硅镀层的颗粒,研究颗粒的导电性对镀层形貌及硅含量的影响。研究结果表明:颗粒硅含量越低,其导电性越高;采用水平电极电镀时,颗粒硅含量是影响镀层硅含量的主要因素;而采用竖直电极电镀时,颗粒的电导率是影响镀层硅含量的主要因素,由Fe-30%Si合金颗粒电镀获得的镀层硅含量最高,而且镀层中颗粒形貌由原来不规则状变为圆丘状,而纯硅颗粒形貌没有发生明显变化,说明在电镀的过程中颗粒的导电性能促进其共沉积。     

强磁场下电磁振荡强度与频率对Zn-20% Bi过偏晶合金显微组织的影响

采用强磁场复合交变电流方法细化Zn-20%Bi过偏晶合金的显微凝固组织,研究了磁感应强度、电磁振荡强度和交变电流频率对Zn-20%Bi过偏晶合金显微组织的影响。随着磁感应强度的增加,合金组织中第二富Bi相粒径逐渐得到细化;随着电磁振荡强度的增加,富Bi相尺寸先减小后增加;随着交变电流频率的增加,富Bi相尺寸也是先减小后增加,存在一个最佳频率。并解释说明了各因素的影响机制。     

电磁净化中间包传输特性的水模拟

为了得到电磁净化中间包中流体的流动及传输特性,以及旋转运动在中间包净化钢液中所起的作用,采用中间包物理模拟方法,对电磁净化中间包中不同控流装置配置和旋转速度下的停留时间分布曲线进行了测试,并对流场进行了显示实验.结果表明:电磁净化中间包圆形腔中的旋转运动能够减小中间包中滞留区分数,增加活塞区比例,同时增长平均停留时间,有利于中间包内夹杂物的去除;但旋转速度不是越高越好,存在一个最佳值.     

硫化沉淀法净化铜废电解液的热力学分析

从热力学角度和生产实际出发，分析了Ａｓ，Ｓｂ和Ｂｉ在钢电解液中的形态以及电解液酸度，Ｈ２Ｓ分压，Ｃｕ２＋，Ｎｉ２＋的存在等对硫化沉淀法净化钢电解液的影响．结果表明，由于铜电解液有一定酸度，硫化沉淀法能将电解液中的Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ充分除去；同时，解决了杂质闭路循环问题，对后续Ｎｉ的回收效果不产生影响．因而，硫化沉淀法是一种很有前途的净液方法．     

强磁场对定向凝固Bi/MnBi共晶组织影响的初步研究

进行了10 T强磁场下Bi/MnBi共晶定向凝固实验研究.与普通定向凝固相比较发现:同样凝固参数下,强磁场下制备的共晶组织纤维尺寸变大,纤维间距变宽;而且在纵截面上观察到大量双生条纹状共晶组织,横截面上出现很多粗大中空的六边形MnBi相;随着凝固速度增大,MnBi相尺寸减少,MnBi相纤维间距也减少.     

静磁场下气泡在板坯连铸结晶器内运动行为的物理模拟

以水银和氩气作为模拟介质,通过物理模拟研究了高拉速板坯连铸结晶器内电磁制动和水口吹氩耦合作用下的气泡运动和分布行为.采用电阻探针测量了结晶器内气泡的运动和分布情况,分析了磁场、吹氩量等不同工艺参数对气泡占空比、气泡数量和气泡脉冲宽度的影响规律.实验结果表明:在一定的拉速条件下,施加磁场改变了气泡在结晶器内的分布规律,有利于气泡的上浮,降低了气泡在结晶器内的冲击深度,减少了到达结晶器窄面的气泡数量;磁场的施加和吹氩量的增加都使得脉冲宽度较大的气泡数量增多,且主要集中在结晶器1/4宽度和水口之间区域.     

强磁场下电磁振荡强度与频率对Zn-20%Bi过偏晶合金显微组织的影响简

采用强磁场复合交变电流方法细化Zn-20％Bi过偏晶合金的显微凝固组织,研究了磁感应强度、电磁振荡强度和交变电流频率对Zn-20％Bi过偏晶合金显微组织的影响。随着磁感应强度的增加,合金组织中第二富Bi相粒径逐渐得到细化;随着电磁振荡强度的增加,富Bi相尺寸先减小后增加;随着交变电流频率的增加,富Bi相尺寸也是先减小后增加,存在一个最佳频率。并解释说明了各因素的影响机制。     

垂直稳恒磁场下Fe-纳米Si颗粒复合电沉积

在垂直稳恒磁场中采用纳米复合电沉积法制备Fe--Si复合镀层.研究了磁场强度和电流密度对阴极电流效率和镀层Si颗粒含量的影响规律,并采用扫描电子显微镜和能谱对所得镀层进行分析.施加垂直磁场后,随着磁场强度增大,阴极电流效率呈现先上升后下降的趋势;镀层Si颗粒质量分数在0.2T达到最大值20.17%,比无磁场下提高了10.4%;镀层表面形貌也发生显著变化,多处形成"山脊","山脊"延伸方向与磁流体力学效应方向一致,分布数量和延伸长度与磁场强度成正比.由于磁流体力学效应,施加磁场还改变了镀层表面气孔形貌,促进氢气的析出.