GTO最大可关断能力识别

最大可关断阳极电流标志着可关断晶闸管（ＧＴＯ）的最大阳极电流关断能力和反向偏置安全区的电流极限值．尖峰电压的变化量随阳极可关断电流增加而近似线性地减小，利用这一特性可识别ＧＴＯ电流关断能力的极限值     

新型功率器件MCT关断模型

介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构和工作原理。探讨了MCT在关断情况下的物理状态模型,并对MCT的物理状态模型采用状态平均法建立其关断时的数学模型。把整个器件看成一个系统,利用状态空间分析法分析其关断时系统的稳定性,从而推导出MCT的可关断的最大电流,然后分析其可关断的最大电流与其结构参数的关系。并利用MATLAB／Simulink进行仿真。仿真结果与解析分析结果一致。     

可关断晶闸管门极电路初探

可关断晶闸管(GTO)是具有自关断能力的新一代电力电子元件。由于GTO对门极电路有着特殊要求,使得门极电路成为GTO应用技术的关键本文仅就门极电路作一初步探讨。     

电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高

分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一种新阳极造型.它有效利用了外延过程中在p-阳极区形成的轻掺杂n-层,在该层上进行条形p 重掺杂,为正向导通过程提供空穴注入,从而实现电导调制,降低通态压降.而未掺杂的透明阳极区则形成电流漏.实验表明,该结构不仅能有效增大阻断电压,同时利于关断过程积累电荷的抽取,加快关断时间,降低关断损耗.     

新型静止无功发生器的 GTO 保护

分析了新型静止无功发生器（ＡＳＶＧ）装置中可能出现的非正常运行状态及应采取的ＧＴＯ保护措施，包括：大功率门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）门极驱动器设计，以实现ＧＴＯ的正确开通及关断，并提出ＧＴＯ串联运行时门极驱动器的设计要求；ＧＴＯ的过电压保护，包括关断过电压保护、瞬态浪涌过电压保护及直流侧过电压保护；ＧＴＯ的过电流保护，包括负载过电流保护、ＡＳＧＶ输出侧短路保护、逆变器桥臂直通保护。针对情况最严重的桥臂直通短路，设计了一种环流过电流保护，并给出了试验结果。在此基础上，以±３００ｋｖａｒＡＳＶＧ为例，给出了分级动作的装置整体保护方案。±３００ｋｖａｒＡＳＶＧ装置的试运行验证了作者所给出各种保护方案的可行性及正确性。     

IGBT工作结温的状态识别

研究了绝缘门极晶体管（IGBT）关断时阳极电流最大下降率与结温的关系，在此基础上提出了利用阳极电流最大下降率识别IGBT在线结温的方法。此外，分析了阳极电流最大下降率的产生时刻及其与IGBT过流状况的关系，并定义了参数Δt作为判别IGBT过流状况的特征量。     

CATV可寻址关断系统

针对现有有线电视CATV网络在网络控制方面存在的盲点,提出了CATV网络可寻址管理方案,并在此基础上构建了CATV可寻址关断系统。该系统根据信令中用户地址和相应操作指令实现对CATV用户终端的程控关断,具有高效性、可靠性、实用性等优点。     

GTO电压型逆变器短路故障快速关断保护法的研究

采用关断ＧＴＯ的方法进行短路保护，具有电路简单、成本低的特点，可将保护电路直接加入ＧＴＯ的门极驱动电路，但对短路检测的速度要求较高，本文提出了适合于关断保护法的检测方案，设计出一套关断保护电路，并在斩波电路上对保护电路的可靠性进行了验证     

影响超快光电导开关关断特性的主次因素

超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定，而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验，分析了影响关断特性的主要因素和次要因素，认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用，其中，载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。     

一种采用阴极开路技术的GTO门极驱动电路

提出了一种使用阴极开路技术的GTO关断电路,该电路具有高开关速度、低能量损耗等优点,并且能很好地政善电路的抗du/dt能力.     

GTO新型驱动电路研制

介绍一种双端输人的ＧＴＯ驱动电路，并采用快速晶闸管ＫＫ隔离，限制了结电容的放电，防止误动作。通过对脉冲变压器参数的合理选择，利用变压器磁芯的饱和，从而获得理想的导通和关断信号，以确保当占空比大范围变化时，ＧＴＯ能可靠地开通与关断，结果表明：该电路可克服恒压供电方式、变压器供电方式和脉冲变压器供电方式的某些不足之处。     

晶闸管关断时间测量的新方案

本文简要介绍了晶闸管的关断特性和关断方式,并通过对晶闸管关断时间传统测量方法进行分析,提出了晶闸管关断时间测量的新方案。     

基于谐波及直流电流变化的换相失败预测

高压直流输电(high voltage direct current transmission,简称HVDC)系统中换相失败是最常见的故障.换相失败的预测与关断角的计算精度密切相关,谐波和直流电流的变化对关断角的计算精度有不可忽视的影响.分析直流变化和谐波对换相过程影响的机理,推导改进的关断角计算公式.提出基于改进关断角的预测换相失败的方法.通过不同次数谐波的对比实验,验证基于改进关断角预测方法的有效性.实验结果表明该文方法的准确率非常高.     

GTO开关元件氢泡线流场显示仪

实验表明,采用可关断可控硅(GTO)开关元件在明渠水流中产生氢泡线,这一技术可以用在水质较差的大型水槽中进行流场显示.     

改善发射机电流波形的电路设计与实验

设计了一种新型无源能量回馈缓冲电路 ,该电路通过两种方法改善了发射机电流的波形 :当改变缓冲电路中电感线圈参数时 ,可以改善发射电流波形 ,关断波形线性下降 ;当改善驱动信号时 ,也可以改善电流波形。实验结果表明 :这两种方法方便可行。     

±20Mvar STATCOM装置的GTO关断吸收电路

分析了大功率门极可关断晶闸管 ( GTO)关断过程中过电压 V1,V2 和 V3的形成原因及抑制过电压的措施。通过对几种低损耗吸收电路的分析 ,设计了± 2 0 Mvar静止同步补偿器 ( STATCOM)装置中 4.5k V/ 4 k A GTO吸收电路。设计的吸收电路为低损耗的带钳位的三角形吸收电路。给出的关断试验结果证明了抑制过电压措施的必要性及正确性 ,并证明了所设计的吸收电路完全满足大功率两电平GTO逆变器装置的使用要求。     

功率传输线对GTO关断性能的影响

通过实验和机理分析研究了功率传输线的电感效应。GTO缓冲电路传输线电感对尖峰电压和峰值功耗有着重要的影响。缓冲电阻支路的引线长度是GTO反冲电压的基本决定因素。为此，必须尽量缩短功率传输线的 长度以改善GTO的关断性能。     

集成门极换向型晶闸管透明阳极的数值模拟

分析了集成门极换向型晶闸管（IGCT）的透明阳极相对于传统阳极的特点,并进行了数值模拟,利用有限差分法求解电子电流密度方程、空穴电流密度方程、载流子连续性方程和泊松方程的联立方程组,得了透明阳极的发射效率随电子电流密度增大而增大的变化关系,透明阳极的种特点使得IGCT在大电流关断时能够迅速地排出过剩的载流子,保证了关断时的均匀性,简化甚至消除了吸收电路,使得IGCT在中电压、大功率场合具有广泛的用途。     

基于硬件控制防遗忘关断电源开关控制器

电力供应中断后，操作人员容易忘记关断电源开关，在重新恢复供电时，很容易导致那些没有及时切断电源开关的用电设备的突然运转而造成意外事故。为了避免此类现象的发生，开发设计了基于硬件直接控制的防遗忘关断电源开关控制器。该控制器断电后本身不需要任何电源维持其工作，由硬件电路的自动复位实现重新恢复供电时用电器具与电源不接通的控制功能。通过在普通电源开关上加装该控制器，实现了在电力中断后用电设备的自动关断，保证了重新来电时用电设备不会运转，从而防止了由此而引发的意外事故。     

一种新的有源换流晶闸管电流源PWM变频器

普通晶闸管电流源变频器(CSI)由于六拍换流存在着较大的谐波，且脉宽调制式(PWM)电流源逆变器一般需要具有反向电压关断能力的门极关断电路，这就限制了它的应用．该文提出一种采用一个门极可关断开关和六个晶闸管的新的PWM电流源逆变器，此电路通过有源换流来实现传统的晶闸管CSI的脉宽调制．文章阐述了这种变流装置的调制技术并给出仿真实验结果．该电路适合于高性能和大功率的应用场合．