门极换向晶闸管的纵向结构研究

基于对影响门极换向晶闸管(GCT)阻断能力的限制因素的理论分析，对其N基区的宽度进行了计算．结果表明，在同等耐压下，GCT所采用的硅片厚度较传统门极可关断晶闸管减薄约1／3．利用二维工艺模拟器对器件进行了二维工艺模拟，并对器件的纵向结构参数进行了优化．采用湿法腐蚀工艺实现了门极和阴极的隔离结构，实验结果表明：当腐蚀的深度大于20μm后，由于腐蚀反应生成的副产物阻止了腐蚀液与硅表面充分接触，使得腐蚀反应速率下降，且横向腐蚀宽度与纵向腐蚀深度的比值约为0．8，此结论也为GCT的横向参数设计提供了重要的依据．     

集成门极换向型晶闸管透明阳极的数值模拟

分析了集成门极换向型晶闸管（IGCT）的透明阳极相对于传统阳极的特点,并进行了数值模拟,利用有限差分法求解电子电流密度方程、空穴电流密度方程、载流子连续性方程和泊松方程的联立方程组,得了透明阳极的发射效率随电子电流密度增大而增大的变化关系,透明阳极的种特点使得IGCT在大电流关断时能够迅速地排出过剩的载流子,保证了关断时的均匀性,简化甚至消除了吸收电路,使得IGCT在中电压、大功率场合具有广泛的用途。