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相似文献
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1.
采用 GTO 的 ±300kvar 新型静止无功发生器   总被引:14,自引:0,他引:14  
介绍了国内第一台基于18脉冲大功率门极可关断晶闸管(GTO)电压源变流器的先进无功发生器(ASVG)。该额定容量为±300kvar的ASVG自1995年7月以来先后在清华大学与河南孟砦变电所投入试验运行。作者给出了该装置的硬件结构、参数选择和谐波抑制方法。试验结果表明该装置可以吸收和发出额定无功功率,可以以小于30ms的响应速度对无功功率进行调节,并可在系统电压不对称度高达10%条件下正常运行。  相似文献   

2.
新型静止无功发生器(ASVG)装置的建模及控制   总被引:28,自引:1,他引:28  
ASVG(AdvancedStaticVarGenerator)装置是利用可关断开关器件GTO构成的新型无功发生装置。作者应用“开关函数法”,给出了ASVG的暂态模型。并用新模型得出了直流侧以电容为电压支撑元件的ASVG输出的稳态无功功率只与δ角有关而与θ角无关的结论。还研究了ASVG的响应速度与参数的关系,给出了ASVG变压器漏抗对其电容电压变化的影响。仿真与300kvar工业样机实验结果的一致证明了模型的正确。这种建模方法也适用其它开关电路的建模。根据ASVG稳态模型,还提出了一种新型的逆系统非线性PI控制方法,该方法能使ASVG具有很快的响应速度  相似文献   

3.
采用关断GTO的方法进行短路保护,具有电路简单、成本低的特点,可将保护电路直接加入GTO的门极驱动电路,但对短路检测的速度要求较高,本文提出了适合于关断保护法的检测方案,设计出一套关断保护电路,并在斩波电路上对保护电路的可靠性进行了验证  相似文献   

4.
±300 kvar ASVG 的起动研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对先进静止无功功率发生器(ASVG)的起动过程进行了系统的研究,通过理论分析,在将ASVG简化为一等效电路的基础上,推导出描述ASVG起动暂态过程的解析表达式,将解析计算的结果与EMTDC下的仿真结果相比较,二者基本一致,ASVG的模型简化是合理的。分析了导通角θ对于ASVG起动过程的暂态时间常数和电容电压稳态解的影响。通过仿真研究,比较了±300kvarASVG的三种起动方式,认为他励起动是ASVG最理想的起动方式  相似文献   

5.
在分析研究智能型功率模块的结构特点、技术性能的基础上,提出了该模块在设计使用中应注意的问题。给出了该模块在UPS(不间断电源)中的应用实例。结果表明,智能型功率模块的使用,大大提高了设备的自动化程度和工作可靠性,有效地克服了GTR(功率晶体管)、GTO(门极可关断晶闸管)、VDMOS(垂直双扩散场效应管)等分立器件在UPS中易损坏问题。  相似文献   

6.
在PC机上建立了一个由DOS系统支持的图形LOTOS(GLOTOS)软件工具.用这个工具,用户可以设计,显示一个GLOTOS说明,也可以把它转换成Petri网.该系统分为三个模块:DRAW,RECOVER和TRANSFER.根据GLOTOS模型,模块DRAW给出了一个交互式的菜单系统,用这个系统,用户可以在图形窗口的任何位置画出GLOTOS的任一成分;模块RECOVER可以自动恢复以前画好的GLOTOS模型;根据Petri网的表示,模块RECOVER提供了从GLOTOS自动转换到Petri网的功能.  相似文献   

7.
本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护  相似文献   

8.
在PC机上建立了一个由DOS系统支持的图形LOTOS(GLOTOS)软件工具,用这个工具,用户可以设计,显示一个GLOTOS说明,也可以把它转换成Petri网,该系统分为三个模块:DRAW,RECOVER和TRANSFER,根据GLOTOS模型,模块DRAW给出了一个交互式的菜单,这个系统,用户可以在图形窗口的任何位置画出GLOTOS的任一成分;模块RECOVER可以自动恢复以前画好的GLOTOS  相似文献   

9.
设计了一种由可关断晶闸管GTO(Gate Turn-off)构成的三极48脉冲电压源强迫换流器ASVG(Advanced Static Var Generaror)模型,从理论上详细推导、分析了由这种三极48脉冲电压源强迫换流器构成的ASVG输出电压的特征谐波;并使用Matlab电力系统仿真工具仿真验证了本文提出了ASVG模型及其谐波方法分析的正确性。  相似文献   

10.
一种大容量IGBT的驱动和快速保护方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出的大容量绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的驱动和快速保护方法能满足各种容量的IGBT器件和功率场效应晶体管(MOSFET)器件对驱动和短路保护的要求。介绍了驱动电路和快速保护电路的原理,及保护电路响应时间的测量方法。给出了在不同基准电压下,模拟不同退饱和的集射电压下的保护响应时间。短路试验证明了保护电路的快速性。此驱动保护电路已用于由50A/600V IGBT模块构成的逆变器和由400A/600V IGBT模块构成的直流斩波器。工业运行结果表明保护方法响应时间快,抗干扰能力强。  相似文献   

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