IGBT的强驱动与保护电路

设计了运用２个Ｎ沟道ＶＭＯＳ管组成高电压推挽式输出电路，研制了一种绝缘栅双极型晶体管模块（ＩＧＢＴ）的强驱支与保护模块，为解决大功率ＩＧＢＴ（６００Ａ／１２００Ｖ以上）的高速开关驱动问题提供了一种新的实用方法，并讨论了模块的应用问题。     

IGBT器件的一种失效模式及其克服方法

由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如果驱动保护设置不合理，就会有一个十分尖锐的电流峰．结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电流峰的原因，理论分析的结果与实验测试值相吻合．通过改进ＩＧＢＴ器件的驱动电路提出了消除电流尖峰的方法     

IGBT器件的一种失效模式及其克服方法

由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如何驱支保护设置不合理，就会有个十分尖锐的电流峰，结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电荷流峰的原因，理论分析结果与实验测试值相吻合，通过改进ＩＧＢＴ器件的驱动电路提出了消除电在尖峰的方法。     

IGBT的驱动与过流保护电路

本文介绍了一种ＩＧＢＴ的驱动与过流保护电路，该电路可靠性高，能很好地解决ＩＧＢＴ的驱动与过流保护问题。     

测量GIS中快速暂态过电压的微积分系统响应特性研究

研制了用于测量ＧＩＳ中快速暂态过电压（ＶＦＴＯ）的微积分（Ｄ／Ｉ）系统。为了验证Ｄ／Ｉ系统实测ＶＦＴＯ的响应特性，安装了一套波阻抗为５０Ω的同轴传输单元，其传输性能良好，不会引起波的畸变。方波响应试验表明，Ｄ／Ｉ系统的方波响应时间为２．５ｎｓ，满足ＶＦＴＯ对测量系统的要求。另外，测量电极的杂散参数和传输电缆对Ｄ／Ｉ系统响应特性有较大影响，应特别注意减小对地杂散电容的影响。     

EXB841对IGBT的过流保护研究

分析了ＩＧＢＴ失效原因，阐述了ＩＧＢＴ的保护策略，详细论述了ＥＸＢ８４１的缺陷。通过实例给出了改进后的驱动电路。     

ZＸ-315逆变弧焊电源可靠性设计

提出了提高ＩＧＢＴ控制的ＺＸ－３１５逆变弧焊电源可靠性的措施：主电路与驱动线路电隔离；设定空载电压、短路电流、过流过压情况下关断驱动脉冲。采用该措施，可保证ＩＧＢＴ在完全导流及彻底关断两种极限状态下工作，避免由于误导通使ＩＧＢＴ在半导通状态下工作以及过压或过流而造成的损坏。     

IGBT1kW逆变电源的设计与实现

设计与实现了以ＩＧＢＴ为开关器件的ＰｗＭｌｋＷ逆变电源，同时对逆变电源的主回路、控制回路、驱动和保护电路等的工作原理做了介绍。最后给出逆变器的实测性能指标。     

具有短路保护功能的IGBT驱动电路设计

在分析了ＩＧＢＴ短路特性基础上,设计出具有降栅压及慢关断两种短路保护功能的驱动器,经短路实验证明具有良好的驱动及保护功能     

变频电源中IGBT应用电路研究

介绍了ＩＧＢＴ器件的性能特点，提出了在设计ＩＧＢＴ应用电路中应注意的问题及解决方案。     

一种大功率IGBT实用驱动及保护电路

对大功率 IGBT驱动和保护电路的原理进行了分析。提出了一种新的延迟搜索过电流保护实现方法。采用高速模拟开关器件 ,可方便地调节保护电路的参数、保护电路动作的电流值、延迟时间、搜索时间及 2倍以上过流时的慢速关断时间等。针对不同的大功率 IGBT,只需进行简单计算就可确定电路参数。文中给出了详细电路 ,对正常工作和过流故障时的原理进行了分析。最后给出了仿真和试验结果。针对三菱公司的 12 0 0 V/ 6 0 0 A IGBT设计的实际电路已在某研究所大功率离心机上可靠运行     

2SD315A集成驱动器的驱动与保护性能

2SD315A作为一种高集成度的驱动器,其内置短路与过流保护电路具有保护自恢复的功能,该保护动作的阈值电压通过外接的参考电阻可灵活设定,可在0~100 kHz的频率范围内驱动单管或半桥的上下管2个IGBT,且只需1路直流电源.在实验的基础上,分析了2SD315A集成驱动器驱动与保护的性能,给出了2SD315A在感应加热电源应用中的实验结果.实验结果证明,2SD315A驱动能力强,保护功能有效且可靠,为大功率驱动器的首选模块.     

GTO电压型逆变器短路故障快速关断保护法的研究

采用关断ＧＴＯ的方法进行短路保护，具有电路简单、成本低的特点，可将保护电路直接加入ＧＴＯ的门极驱动电路，但对短路检测的速度要求较高，本文提出了适合于关断保护法的检测方案，设计出一套关断保护电路，并在斩波电路上对保护电路的可靠性进行了验证     

微弧氧化逆变电源控制系统的研究

为满足微弧氧化工艺要求,设计出一种两级逆变式微弧氧化电源.介绍了两级逆变式微弧氧化电源的控制系统.它以高性能DSP作为其控制核心,通过调节输出两组4路PWM信号分别驱动前级功率逆变电路和后级斩波逆变电路.功率逆变电路采用有限双极性的控制方式以实现电压大小的调节,通过控制斩波逆变电路可以得到所需的各种电压波形.同时,该控制系统还具有过流、过欠压、过热、参数超限等故障诊断与保护功能.试验和应用证明,该控制系统可以实现精密、稳定的控制,提高了电源的适应能力,拓宽了实用范围.     

大功率Chopper整流系统的应用研究

文章首先介绍了大功率IGBT模块的构成及chopper电路的基本原理；然后介绍了Chopper整流系统的并联均流的方法；最后研究了Chopper整流的几种结构，如6脉波整流多输出、12脉波整流多输出、24脉波整流高压输出及大电流低电压输出，并给出Chopper整流系统的优点：输出电流纹波低、动态响应快、电压闪变小、整个功率范围内功率因数高、整个系统电效率高、体积小、成本低．     

基于共享技术的电荷泵电路

为了减少芯片面积,提高电荷泵的增益,提出一种基于共享技术的电荷泵电路。通过改变两个子电荷泵的串并连接关系,既可以产生一种电压较高而电流驱动能力较小的负高压,也可以产生一种电压较低但是电流驱动能力很大的负高压,这不仅满足了系统在编程和擦除时对高压的不同需求,而且还节省了大约50%的芯片面积。电荷泵电路还采取了对其中P型M O S管的衬底电压进行动态控制的方法。模拟结果表明,该电荷泵的增益提高了大约14%。该电路特别适用于需要两种以上负高压以完成编程和擦除操作的快闪存储器。     

RS-485全工收发器芯片的设计

介绍了一种基于CMOS工艺的低功耗RS-485全工收发器芯片的工作原理及其电路与版图的设计．该芯片采用单一5V供电电源，其待机功耗小于1nA，采用限摆率技术将最大通信速度降低至250Kbit／s，最大通信距离提高到400m，同时满足可带24个负载的要求．芯片内设的短路保护、开路保护、雷击保护、过温保护等电路可保证收发器在恶劣的应用环境下正常工作．     

多功能功率电子变换器门驱动信号发生器

本给出了一个用于功率电子实验的多功能信号门驱电路,该电路为一模拟与数字混合系统,利用它的４组输出信号,许多基础电子实验如斩波变换器、推挽式逆变器、全桥逆变器及脉宽调制电路等均可得到实现,本详细地描述了电路的结构及其运行原理,最后给出并分析了两个应用实例。     

Ultralow-power organic complementary circuits

The prospect of using low-temperature processable organic semiconductors to implement transistors, circuits, displays and sensors on arbitrary substrates, such as glass or plastics, offers enormous potential for a wide range of electronic products. Of particular interest are portable devices that can be powered by small batteries or by near-field radio-frequency coupling. The main problem with existing approaches is the large power consumption of conventional organic circuits, which makes battery-powered applications problematic, if not impossible. Here we demonstrate an organic circuit with very low power consumption that uses a self-assembled monolayer gate dielectric and two different air-stable molecular semiconductors (pentacene and hexadecafluorocopperphthalocyanine, F16CuPc). The monolayer dielectric is grown on patterned metal gates at room temperature and is optimized to provide a large gate capacitance and low gate leakage currents. By combining low-voltage p-channel and n-channel organic thin-film transistors in a complementary circuit design, the static currents are reduced to below 100 pA per logic gate. We have fabricated complementary inverters, NAND gates, and ring oscillators that operate with supply voltages between 1.5 and 3 V and have a static power consumption of less than 1 nW per logic gate. These organic circuits are thus well suited for battery-powered systems such as portable display devices and large-surface sensor networks as well as for radio-frequency identification tags with extended operating range.     

SET-MOS混合结构的触发器设计及应用

基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器,对所设计的新型触发器电路进行了分析研究,并将其应用到寄存器和移位寄存器电路.利用SPICE对所设计的触发器电路进行仿真验证,仿真结果表明电路运行良好.该新型触发器电路与SET实现的电路相比,具有更高的驱动能力;与传统CMOS电路相比,电路的功耗仅为10-10 W的数量级.