VDMOS器件总剂量辐照阈值电压影响因素分析

介绍了利用γ射线在不同偏置电压和不同辐照温度条件下,对不同导电沟道功率VDMOS器件进行总剂量辐照实验,从而分析研究这两种情况下器件总剂量辐照阈值电压的漂移情况.根据实验数据结合VDMOS器件物理特性分析得出：偏置电压相同时,导电沟道不同其阈值电压的漂移不同,而低温辐照则使得阈值电压漂移更加严重.     

调制器的偏置电压控制板中PID调节器的设计

在光通信领域目前较好的调制方式就是外调制方式,它采用的是在激光器发射的光路上加入调制器的方式,并在调制器载入要传输的有效信号(调制信号),并对激光载波信号进行调制后传输出去。但随着实验环境、器件温度的上升等因素的影响,调制器件的偏置电压(以保证传输信号不失真的电压工作点)会发生漂移,影响信号的传输质量,为此有必要在发生漂移之前检测到。此种设计方案能够很好地解决偏置电压工作点漂移的问题。     

惠斯通电桥式磁阻传感器的零位温度漂移研究

基于惠斯通电桥式磁阻传感器4个电阻元件存在温度差异的事实, 提出一个惠斯通电桥式磁阻传感器零位温度漂移的简明准线性模型。在MATLAB环境下, 准线性模型的仿真结果与实验结果吻合, 验证了准线性模型的有效性, 为解释惠斯通电桥型磁阻传感器零位温度漂移的原因提供了清晰的思路, 此模型也可应用于其他具有惠斯通电桥结构的传感器。     

W波段集成谐波振荡器的研制

本文利用集成的形式进行了W波段谐波振荡器的研制工作。该振荡器主要由有源器件,振荡电路,耦合电路,偏置电路,以及波导到微带过渡组成。有源器件采用国产6mm GaAs Gunn二极管,在频率为87.8GHz处,输出功率为0.5mW。     

LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

LDMOS功率放大器热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模式的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应得偏置电路设计。实验结果证实了偏置电路的仿真设计方法的有效性。     

直流偏置的约瑟夫森结动力学行为研究

研究了一种直流偏置的与RLC谐振电路耦合的约瑟夫森结的动力学行为.数值模拟发现,选择不同的直流偏置,系统可以表现出单一的混沌态或周期三与混沌共存态的动力学行为.给出了相应吸引子的几何结构.对此电路的动力学研究为约瑟夫森器件的稳定工作提供了有价值的参考.     

外层型人工视网膜中CMOS感应无线电能接收电路

针对外层型人工视网膜电路对感应无线电能的需求特性,提出了一种适用于外层型人工视网膜的CMOS感应无线电能接收电路。主要实现方法是用CMOS整流器输出作为稳压电路和自偏置电路的电源,而自偏置电路为输出稳压电路提供与电源无关的偏置。采用Cadence 工具和Chartered 0.35 μm CMOS工艺器件模型进行设计,用外层型人工视网膜中的振荡电路阵列作负载,仿真结果表明该外层型人工视网膜中的CMOS感应无线电能接收电路能提供稳定的3.3 V电压输出和大于1 mA的电流负载能力,其版图面积为62 μm×195 μm。     

PWM模拟信号光电耦合隔离电路的研制

本文提出一种运用PWM(脉冲调宽)原理设计低价格、低漂移、高线性模拟信号光电耦合隔离电路的方案。这种方案仅用普通的光电耦合器件。实验结果表明,这种隔离电路的非线性度不劣于0.02％,温度漂移低于0.002％/℃。本文还讨论了光电耦合器件的关断时间t_（OFF）对隔离电路动态范围的影响,并着重指出,关断时间温度系数（?）是影响隔离电路温度稳定性的主要因素。     

宽频带低漂移光电耦合隔离电路的研制

提出一种实现低成本、宽频带、低漂移线性光电耦合隔离电路的方案。这种电路是由高速光电耦合器件组成的交流通道与普通光电耦合器件按脉冲调宽(PWM)原理制成的直流通道组合而成的。用计算机辅助分析软件PSPICE设计了均衡网络并对电路进行了分析。分析和实验结果表明,这种隔离电路的3dB带宽超过300kHZ,幅频响应曲线的波动低于5％,并保持了原直流通道的低漂移、高线性的特点。     

射频功率放大器设计新方法

常用的射频微波功率放大器CAD设计方法中,保证电路的稳定往往要以损失增益与功率为代价.针对这个缺点,文章以稳定圆为理论基础,提出了一种新的CAD设计方法.这种方法通过设计恰当的偏置电路,然后找出并避开终端阻抗的不稳定区来保证电路稳定,最大限度地提高了增益与输出功率.利用ADS仿真软件对宽禁带SiC器件Cree24060...     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器

提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器

本文提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制振荡器补偿方法,以减小医疗导联系统通信时钟恢复电路的振荡器的震荡频率偏移。与传统的振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移。电路采用.35um标准MOS工艺设计,通过与传统的振荡器性能进行仿真比较,该方法的震荡频率的偏移量得到明显改善。     

一种利用体偏置改善温度特性的电流源

基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40～85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。     

低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系,模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。     

微波高线性功率放大器设计

微波功率放大器是移动通信系统中的关键器件．该文介绍用小信号法设计小灵通直放站高线性功率放大器的方法和过程，并给出一种简单有效的功率放大器偏置保护电路．应用CAD软件对电路进行仿真和优化，最后完成电路制作并给出了结果．测试结果为增益12dB，输出功率30dBm，三阶交调45dBc.     

高速率电光调制器偏置电压自动控制技术

采用电光检测的方法和误差分析的方式判断和识别电光调制晶体半波电压的漂移。利用PID控制算法实现高速率电光调制系统偏置电压高精度自动调节。最后对将研究的偏置电压自动控制系统应用于电光调制晶体,进行高速率调制实验。实验结果表明:采用偏置电压自动控制技术,改变了给电光调制晶体加载一个固定偏置电压的传统方式,使电光调制器偏置电压始终位于线性区的中点,以保证不失真调制,克服了电光调制器的半波电压受环境温度等多种因素的影响变化而电光调制晶体的半波电压发生漂移的问题。     

三极管的偏置电路

本文首先概述了晶体管的发展历程和重要性,继而讨论了三极管作为晶体管的重要组成部分在电子电路中发挥的放大作用,最后以典型的三极管的偏置电路为例介绍了其电路原理,从而指出了在三极管的应用中设置偏置电路的重要意义。     

跨导恒定性自适应的低电压Rail-to-Rail放大器

利用“较小电流选择电路”实现的低电压恒跨导Rail-to-Rail放大器输入级具有跨导gm随共模输入电压、Vcm变化小、设计简单的优点．分析了该设计思想中的两个基本假设,提出一种改进型偏置电路,“跨导稳定”部分能随工艺漂移自适应地调整gm使之保持恒定;输出阻抗高且工作压降小的恒流源部分能提高输入对管的饱和工作范围及其偏置的恒流特性,从而提高gm的恒定性．Vcm在整个VDD范围内,跨导gm变化仅3．1％。     

基于FPGA的高帧频CCD驱动控制系统设计

CCD芯片的驱动电路是整个高帧频图像采集系统的核心部分,它关系到整个系统的性能和技术指标.分析并实现了DALSA公司1M像素的帧转移型高帧频CCD芯片FT50M的内部结构和驱动时序,并采用集成芯片设计了该CCD芯片的驱动时序和所需的偏压电路,进而改进了CCD芯片的偏置电压电路,采用大多数的偏置电压由SFD信号生成的方式.因此只需产生极少偏置电压即可生成所需全部偏压,这是目前十分安全的偏压解决方案,并选用了FPGA作为核心控制器件.实验表明:此设计不仅简化了电路,还具有性能好、功耗低、体积小的优点,实现了对高帧频CCD图像采集系统的驱动控制.     

一种新型PCIE3.0高线性度低功耗均衡器设计

针对PCIE3.0芯片的接收端设计一种新型高线性度低功耗均衡器,主要信号路径上只使用线性无源器件,衰减信号的低频能量的同时增强高频能量,实现增益补偿的效果.在其后端增加直流漂移补偿电路,来调整线性均衡器导致的直流漂移.该电路不受芯片工艺、电压和温度的影响,无需进行校准或者补偿,并通过仿真进行了验证.