| 一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器 |
| |
| 引用本文： | 李凡阳,杨涛.一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器[J].福州大学学报(自然科学版),2017,45(3). |
| |
| 作者姓名： | 李凡阳 杨涛 |
| |
| 作者单位： | 福州大学,福州大学 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(青年基金）项目编号：61501122 |
| |
| 摘 要： | 本文提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制振荡器补偿方法，以减小医疗导联系统通信时钟恢复电路的振荡器的震荡频率偏移。与传统的振荡器相比，该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路，在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移。电路采用.35um标准MOS工艺设计，通过与传统的振荡器性能进行仿真比较，该方法的震荡频率的偏移量得到明显改善。
|
| 关 键 词： | MOS器件 振荡器 温度 沟调效应 |
| 收稿时间： | 2016/6/20 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/8/28 0:00:00 |
A Temperature and Channeling Effect-Minimized Current Controlled Ring Oscillator using all MOS Devices |
| |
| LI FANYANG and YANG TAO.A Temperature and Channeling Effect-Minimized Current Controlled Ring Oscillator using all MOS Devices[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2017,45(3). |
| |
| Authors: | LI FANYANG and YANG TAO |
| |
| Institution: | FUZHOU UNIVERSITY,FUZHOU UNIVERSITY |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOS devices ring oscillator temperature channeling effect |
|
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《福州大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
