添加剂对低压ZnO压敏陶瓷特性的影响

按照国外低压ＺｎＯ压敏陶瓷中所含添加剂的种类，利用制备ＺｎＯ压敏陶瓷的常规工艺，对基本添加剂进行单因子实验；研究每种添加剂对ＺｎＯ压敏陶瓷性能和微观结构的影响规律；从理论上分析各类添加剂的作用机理；优选出低压ＺｎＯ压敏陶瓷的最佳配方。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高、等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸收能力。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高，等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸引能力。     

共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究

本文研究了共沉淀法制备ＺｎＯ压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响．结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ＺｎＯ的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产生．并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论．     

ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究

ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性     

高压ZnO避雷器的改性实验研究

研究了掺杂及工艺对ＺｎＯ阀片电学性能的影响规律，其结果表明：适量的Ａｌ２Ｏ３掺杂，可改变ＺｎＯ阀片的大电流区特性，过多的Ａｌ２Ｏ３掺杂将使ＺｎＯ阀片性能变差；ＭｇＯ可提高压敏电压、增大大电流冲击的稳定性；ＳｉＯ２可有铲提高压敏电压主及非线性系数，适量的ＳｉＯ２能提高阀片的冲击稳定性，在烧结ＺｎＯ阀片时，在８００－１２００℃温区内，样品的热处理升温速度应控制在２５－５０℃／ｈ左右，这不仅使阀片的残压     

ZnO—玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电压性能的影响，实验表明加入Ｇ３玻璃制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性，还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能。     

ZnCr2O4陶瓷的压敏特性研究

报道制备的一种具有湿－热－压的多功能传陶瓷ＺｎＣｒ２Ｏ４的压敏物质的研究结果     

ZnO玻璃系压敏电阻配方研究

研究了ＺｎＯ玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响。发现玻璃料的添加量ｗ玻璃料一般在８．０％～１０．０％时效果最佳，Ｓｂ２Ｏ３的引入可生成Ｚｎ７Ｓｂｏ２Ｏ１２尖晶石相，抑制晶粒的生长，并使压敏场强Ｅ和非线性系数α值增加。Ｃｏ和Ｍｎ的添加使界面态密度增加，引起势垒升高，使非线性特性显著提高。     

氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系

采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强与Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿中场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律，利用光学显微方法，观测试样微观结构并用ＺｎＯ晶粒工度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ＺｎＯ晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性，研究表明，临界厚度ｄ０与ＺｎＯ晶料尺寸的分散度成正比；斜率ｂ２与平均晶粒长宽比也成正比，建立了宏观电性能与微观     

压敏电阻非线性电输运理论研究进展

在对各种压敏电阻材料介绍的基础上 ,综述了非线性电输运理论研究的进展 ,特别涉及了三氧化钨和有机压敏材料等新体系的问题。     

压敏电阻非欧姆特性的研究

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析.Zno压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区,利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性.     

不同稀土氧化物添加对氧化锌压敏电阻瓷性能的影响

分别采用La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm3,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。     

ZnO压敏陶瓷实际Bi元素的含量

建立了压敏陶瓷实际Bi元素含量检测品质的控制方法,讨论了烧结方式、温度及保温时间对Bi元素挥发量的影响,研究了实际Bi元素含量对压敏陶瓷显微结构、电性能的影响.实验表明,采用电感耦合等离子体光学发射光谱仪检测样品Bi元素含量,实际检测极限为1.0×10-6.通过优化烧结,有效控制了Bi元素挥发,从而获得均匀的显微结构和预定晶界,得到电学性能优良的ZnO压敏陶瓷.     

多元ZnO压敏陶瓷材料的I—V特性与微结构的研究

通过改进传统的长时间烧结工艺,制备出了具有好的压敏特性的多元ZnO压敏材料,获得了非线性系数α=13的结果,系统研究了材料的I-V特性,利用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜微区形貌分析(SEM)研究了材料的微结构及对压敏特性的影响,对该类材料的压敏机理作了进一步的讨论。     

Ta_2O_5对掺杂的TiO_2压敏陶瓷电性能的影响

基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度φb的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数,并从理论上进行了分析。综合考虑材料的各种电性能参数,尤其是压敏电压低压化的需求,Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜。     

旅游目的地虚拟网络结构特征研究——-以黄山市为例

以黄山市为案例, 采用复杂网络理论和方法研究分析目的地虚拟网络的结构特征。结果显示该网络是具有小世界特征的稀疏网络, 其度分布符合幂律分布且幂指数位于1与2之间, 其节点倾向于链接不同类型的节点, 并且节点之间的距离和度值对节点互联的影响较弱。将黄山网络与随机网络、万维网以及其他旅游虚拟网络进行对比分析, 探讨目的地虚拟网络和现实网络之间的关系, 认为虚拟网络不仅只是信息网路, 也是社会网络, 它是现实网络在虚拟空间中的映射。在这个意义下, 目的地虚拟网络的结构特征反映了其现实网络的特征。     

城市道路网络演变模型

为了探寻城市道路网络的内在演变规律,基于叶脉生长模型,提出了道路网络演变模型,分析路网中节点的生成规律;根据道路网络的特点,提出生成节点与已有路网的连接规则.以上海市浦东新区为研究对象,研究节点新增比例与经济、人口等指标的关系,提出了节点新增比例模型.按照提出的演变模型,模拟研究年的道路网络,对比实际路网和模拟路网的一些复杂网络指标.结果表明,该模型能较好地模拟实际路网的变化.     

基于仿真技术构建计算机网络实验平台

计算机网络是计算机专业核心课程,实践教学是计算机网络教学过程中的一个十分重要环节,它具有直观性、操作性以及发挥学生主动性、探索性和创造性的特点,是培养学生综合实践能力的重要途径之一。文章运用网络模拟器NS,构建计算机网络仿真实验平台,进行实验教学。通过仿真工具NAM可以形象地演示网络工作过程,带给学生真实的网络环境,帮助学生理解实际网络中的现象,对提高计算机网络课程教学的效果与水平有着积极的意义。