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1.
LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求. 相似文献
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利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。 相似文献
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以冷壁化学气相淀积(CVD)反应器中淀积TiN涂层为对象,建立了适用于强自然对流流体的CVD反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应,计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程序,计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了TiN的淀积速率,计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积TiN系统,也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计算传递过程的重要工具。 相似文献
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张文华 《华中师范大学学报(自然科学版)》2001,(1)
等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡与铁在过渡层中浓度接近时 ,杂质散射和晶界电阻增大 ,电导率急剧减小 相似文献
6.
张文华 《华中师范大学学报(自然科学版)》2001,35(1):61-63
等离子体化学气相淀积法(PCVD法)制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果。其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明:当锡在Fe2O3中的浓度低时,由于准自由电子补偿机制起作用,电导率升高;当锡与铁在过渡层中浓度接近时,杂质散射和晶界电阻增大,电导率急剧减小。 相似文献
7.
以冷壁化学气相淀积(CVD)反应器中淀积TiN涂层为对象,对立了适用于强自然对流流体的CVD反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应,计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程度,计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了TiN的淀积速率,计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积TiN系统,也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计 相似文献
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本文采用阴极电淀积法在镀Ni黄铜衬底上制备CdSe_xTe_(1-x)多晶半导体薄脱。用X射线衍射仪和X射线能谱分析仪,对淀积物的相结构和成分作了分析和测定。由此可肯定淀积物具有立方闪锌矿结构,它实际上是由结构相同的CdSe和CdTe组成的两相混合物。同时也指出在淀积层中还含有相当数量的游离镉金属。 相似文献
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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,在超高真空系统中,使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体,利用R.F.+D.C.双重功率源激励,通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜,根据对薄膜样品结构的测定及其制备工艺条件,分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响,从而使纳米硅薄膜的制备工艺趋于完善。 相似文献
10.
等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积 总被引:2,自引:0,他引:2
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1996,23(1):42-44
等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响,提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件,对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。 相似文献
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低压化学汽相淀积法制备的氮化硅薄膜在半导体工业中已有良好的应用效果,促使人们对它进行深入研究.近年来,已对常压CVD法制备的氮化硅做了不少研究,人们发现,氮化硅在空气中易于氧化而在表面形成氧化膜,但氧化机理尚未弄清,为了进一步提高LPCVD氮化硅的钝化效果,并考虑到集成电路中有时要把氮化硅膜表面氧化成SiO_2,制备复合介质膜,作者尝试用XPS,结合Si2p和N1s谱峰随光电子发射角θ关系的测量,研究了室温下空气中氮化硅表面的氧化过程及氧化膜内的组分、化学结构. 相似文献
12.
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,在超高真空系统中,使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体,利用R.F.+D.C.双重功率源激励,通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件,分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响,从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。 相似文献
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用质子核磁共振(1HNMR)方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜(PECVD-α-SiNx:H)进行测量,分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系,以及退火的影响。 相似文献
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刘大军 《郑州大学学报(自然科学版)》1997,29(3):31-33
用微波等离子体化学气相淀积方法,以C60薄膜作为在硅衬底上的过渡层,无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件,在C60薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。 相似文献
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以锆的β-二酮螫合物为源,以微波等离子体化学气相淀积方法合成ZrO_2薄膜过程中,观察到不同淀积条件下出现的四种不同表面形貌。从等离子体的电子温度、电子密度和源物质的浓度等方面对几种形貌的成因进行了讨论。同时用扫描电镜观察了高温退火及等离子体退火对薄膜形貌的影响,以及不同衬底薄膜形貌的差异。 相似文献
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把在求解不可压N-S方程上获得很大成功的Fourier拟谱方法推广到求解速度和温度交连的N-S方程组,并用于晶体生长的化学气相淀积复杂输运过程的数值模拟.结果令人满意.说明了该方法在求解复杂流动问题中有广泛的应用前景。 相似文献
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唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1996,23(1)
等离子增强型化学气相淀积(PECVD)氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅.本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响,提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件,对折射率随生长速率而变化给出了新的解释. 相似文献