H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制

作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H-SiC中的Si元素互扩散所致.     

InP/InGaAsP双异质结激光器

本文介绍了InP/InGaAsP双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工作的条形激光器。室温最低脉冲阈值电流密度J_(th)=1800A/cm~2,室温直流阈值在200—300mA之间,激射波长1.35μm,主峰半宽5。     

ARB工艺下Al/Zn多层复合材料界面变化的研究

累积复合轧制（Accumulative Roll-Bonding,ARB）工艺作为一种大塑性变形工艺,近期在制备金属基多层复合材料方面受到关注.通过ARB工艺制备Al/Zn多层复合材料,重点观察Al/Zn多层复合材料界面间的变化规律.在扫描电子显微镜（SEM）下,可以明显地观察到在Al/Zn界面处扩散层的存在,说明在ARB工艺状态下,不同层之间存在扩散作用,但是X射线衍射（XRD）结果无法分辨材料内部结构.通过透射电子显微镜（TEM）观察第3周期ARB态Al/Zn多层复合材料截面,可以看到,在Al/Zn多层复合材料层间,存在4种形貌的组织,参考Al-Zn合金的时效析出过程可知,在ARB工艺过程中,Al过固溶体存在连续脱溶和非连续脱溶两种路径,其脱溶路径的不同主要与扩散到Al基体中的Zn浓度有关.     

Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析

用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540～550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值.     

H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制

作者通过氢气表面热处理，获得了具有较好特性的Al／n—6H—SiC欧姆接触．在这种H2处理后的SiC表面，可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触，而无须进行退火处理．该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触．XPS测试表明，这种欧姆接触是在400℃以上的退化时，由Al及6H—SiC中的Si元素互扩散所致．     

在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。     

界面反应及界面张力对Sn-Zn-Bi焊料润湿性的影响

通过合金化的方式得到了Sn-Zn-Bi三元及Sn-Zn-Bi-Nd四元无铅焊料,采用润湿平衡法测量了其润湿力和润湿时间,并对润湿后的焊料/Cu界面组织进行了分析.结果表明:Bi元素不参与焊料/Cu界面的扩散反应,但能够通过吸附作用降低界面张力,从而提高焊料在Cu基底上的润湿力;Zn元素优先向焊料/Cu界面进行扩散形成Cu5Zn8金属间化合物,且扩散层随焊料中Zn含量的提高而增长,此时固-液界面张力方向发生改变,润湿力提高,但润湿时间延长;Nd元素的作用类似于Bi,既能提高焊料的润湿力,也能够缩短润湿时间,是一种改善Sn-Zn基焊料润湿性的有效元素.     

金属—半导体欧姆接触合金化过程中小岛对比接触电阻影响的理论分析

1、引言在半导体发光器件中,Gap 发光器件占的比例越来越大,而 Gap 欧姆接触是当前 Gap 发光二极管(LED)制作中引人注目的问题.Gap 是宽禁带化合物,电阻率较高,表面态密度大,因而给欧姆接触电极的制备造成了很大困难.迄今,人们进行了各种合金作为 Gap 欧姆接触材料的研究工作,结果表明,对不同的接触金属层,在最佳合金温度下可得到较小的比接触电阻.随着Ⅲ—Ⅴ族半导体材料及其检测技术的发展,人们发现欧姆接触的实际界面     

P-InP欧姆接触

本文对在P-InP上依次蒸发Au、Zn、Au所形成的多层金属结构的欧姆接触特性进行了研究。结果表明,当Zn层厚度大于300,第一层Au厚度在300左右时可获得较低的比接触电阻和良好的附着性,用带溅射剥离的俄歇电子能谱仪测量了合金前后样品组份的深度分布,同时利用修正的四探针方法和扫描电镜对样品进行了分析。     

Ni／Si接触界面的ESCA研究

利用XPS、UPS等表面分析方法对Ni/Si接触的界面体系进行了研究,Ni-Si界面在室温下形成不稳定的多晶混层,其演化过程为:NiO_x/金属Ni/富Ni相/Ni-Si互混相/富Si相/Si,同样Ni-Si界面经650℃真空退火形成均匀的NiSi_2界面层,表层并有SiO_2相存在,说明硅化物的生成过程为:Ni与SiO_2接触产生金属氧化物,加热后逐步形成金属硅化物,讨论了NiSi_2的化学键形成。     

a-Si/Ti叠层膜的相互扩散和光电特性

本文研究了ａ－Ｓｉ／Ｔｉ叠层膜在１８０℃温度下的互扩散，利用ＸＰＳ分析发现Ｔｉ、Ｓｉ原子具有相等的原子浓度，生成物为ＴｉＳｉ；利用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测试了生成物的透过率，发现其透过率在紫外较ＩＴＯ膜提高，测量了ａ－Ｓｉ／Ｔｉ界面特性近似为欧姆接触。该生成物可作为一种光电薄膜。     

Fe/Cu巨磁阻多层薄膜的XPS研究

利用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Cu/Fe多层薄膜, 采用XPS方法及Ar离子对薄膜样品进行刻蚀. 研究表明, 在多层薄膜的溅射界面存在合金, 并观测到溅射层向基体扩散的现象.     

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在P型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻P型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为P~ ,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。     

Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析

采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.     

Site preference of ternary additions in Ni3Al

The substitution behavior of ternary additions in Ni3Al is systematically studied using interatomic potentials. The pair potentials between identical and distinct atoms are obtained via strict lattice inversion based on the first-principle cohesive energy curves. Taking long-range interaction into account, the quantitative calculations for the alloys containing various amounts of alloying elements are made by utilizing a relaxed sample averaging method. The relative magnitudes of cohesive energy corresponding to different configurations are used. The calculated results are in good agreement with the results of experiments. Finally, some predictions are made for the substitution behavior of certain alloying elements and some elements in the region of surface and interface that have not been previously studied.     

Ohmic contact properties of p-type surface conductive layer on H-terminated diamond films prepared by DC arc jet CVD

With the advantages of high deposition rate and large deposition area, polycrystalline diamond films prepared by direct current (DC) arc jet chemical vapor deposition (CVD) are considered to be one of the most promising materials for high-frequency and high-power electronic devices. In this paper, high-quality self-standing polycrystalline diamond films with the diameter of 100 mm were prepared by DC arc jet CVD, and then, the p-type surface conductive layer with the sheet carrier density of 1011-1013 cm?2 on the H-terminated diamond film was obtained by micro-wave hydrogen plasma treatment for 40 min. Ti/Au and Au films were deposited on the H-terminated diamond surface as the ohmic contact electrode, respectively, afterwards, they were treated by rapid vacuum annealing at different temperatures. The properties of these two types of ohmic contacts were investigated by measuring the specific contact resistance using the transmission line method (TLM). Due to the formation of Ti-related carbide at high temperature, the specific contact resistance of Ti/Au contact gradually decreases to 9.95 × 10?5 Ω·cm2 as the temperature increases to 820℃. However, when the annealing temperature reaches 850℃, the ohmic contact for Ti/Au is degraded significantly due to the strong diffusion and reaction between Ti and Au. As for the as-deposited Au contact, it shows an ohmic contact. After annealing treatment at 550℃, low specific contact resistance was detected for Au contact, which is derived from the enhancement of interdiffusion between Au and diamond films.     

轮胎/路面接触问题分析

在研究轮胎／路面静态接触问题中，采用了直接将接触面间约束条件作为边界条件施加到系统中的求解方法．该方法避免了应用传统的Lagrangian乘子法引起的系统变量数的增加，同时也避免了由于罚函数法中罚数选取不当给系统数值的稳定性造成的影响．数值分析表明，该方法能够准确有效地对轮胎／路面的接触问题进行分析．     

Theoretical calculation of the finishing rolling elongation in alloying non-quenched and tempered steel

The finishing rolling elongation δ of the alloying non-quenched and tempered steel is calculated with the covalent electron number n_A of the strongest bond of the alloying phases and the interface electron density difference Δ_ρ of the phase interfaces. The calculations show that the elongation δ^α-Fe of the matrix α-Fe decreases with rolling refinement, the elongation δ^α-Fe-C-M of solid solution phases (M denotes alloying element) is inversely proportional to the covalent electron number n^α-Fe-C-M_A of the strongest bond, the elongation decrement Δ^{δα-Fe/α-Fe-C-M} caused by interface strengthening is directly proportional to the interface electron density difference Δρ^{α-Fe/α-Fe-C-M}, but the elongation decrements Δδ^α-Fe/MC^C₁ and Δδ^α-Fe/MC^C₂ caused by dispersion strengthening and precipitation strengthening respectively are directly proportional to the ratio of the electron density difference Δρ^α-Fe/MC^C₁ and Δρ^α-Fe/MC^C₂ of the strengthening interfaces to Δρ^{α-Fe/α-Fe-C} of the basic interface α-Fe/α-Fe-C. Therefore, the finishing rolling elongation of the alloying non-quenched and tempered steel is considered to be subtracting all the elongation decrements of solution strengthening, interface strengthening, dispersion strengthening and precipitation strengthening from the elongation of the refined α-Fe matrix. The calculation formulas in this paper are integrated with the proposed ones of σ_S, σ_b and of α_K delivered in another paper, the finishing rolling mechanical properties can be achieved and the calculated results agree well with the measured ones.     

表面活性剂溶液在石英上的吸附和润湿(英文)

非离子型表面活性剂TX 100和TX305,以及阳离子型表面活性剂溴化烷基三甲铵、氯化烷基吡啶和溴化烷基吡啶的水溶液在石英片上的接触角θ~0(石英/水/环己烷悬滴)和θ~n(石英/水/空气悬泡)随浓度的增加皆是先升后降;但θ~w(石英/水滴/环己烷)则随浓度单调增大,最后趋于一极限值。这些结果可以表面活性剂在石英/水界面形成双层吸附和在石英/环己烷界面形成单层吸附的模型来解释。阴离子型表面活性剂烷基硫酸钠在石英上不吸附,故对接触角无影响。但在TX100溶液中加入烷基硫酸钠时,θ~0和θ~w皆随TX100的浓度单调上升;加入的量大时,θ~0、θ~w和θ~a皆近于纯水的θ。这些现象与溶液中形成混合胶团导致TX100的吸附减少有关。     

Fe-Al微叠层复合材料的制备及界面表征

将多层纯铁和纯铝薄板交替叠放,采用“热轧复合—冷轧减薄—合金化热处理”工艺流程制备了Fe-Al金属/金属间化合物微叠层复合材料(Fe-Al MIL),研究了合金化温度对该复合材料微观组织、相组成、相变及力学性能的影响.结果表明:所制备的Fe-Al微叠复合材料Fe/Al界面结合状态良好;随合金化温度的升高,化合物层厚度随之增加,当温度低于Fe-Al固-半固态反应温度655℃时,Fe₂Al₅和FeAl是化合物层的主要物相,而高于655℃时,则会在化合物层和Fe金属界面处出现少量交替分布的FeAl₃和Fe₃Al;DSC曲线上呈现出~559,~571和~667℃三个放热峰,分别代表FeAl₃,Fe₂Al₅和FeAl的相转变;固-固和固-液合金化后得到的Fe-Al MIL力学性能较差,均易发生分层断裂现象,而固-半固态合金化热处理后其力学性能最佳.