OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究

本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。     

NO退火对并五苯有机薄膜晶体管特性的改善

采用N2和NO退火处理高温(1100℃)干氧氧化SiO2薄膜,并在高真空蒸发并五苯(Pentacene)有机半导体层制备了有机薄膜晶体管(OTFT).通过测量OTFT器件的输出特性、转移特性和通断比,分析N2和NO气体退火SiO2对OTFT器件性能的影响.结果表明:在NO气体中退火的器件有较好的阈值电压、亚阈斜率、通断比和较高的稳定性.     

有源电力滤波器的自适应滞环电流跟踪策略

针对有源电力滤波器(APF)传统滞环电流跟踪方式逆变器的开关频率高且频率范围大的问题,提出了一种可变环宽的滞环电流跟踪控制策略.该策略根据系统开关频率、直流侧电压、主电路电感等参数动态的调节滞环比较器的环宽,不仅能够有效的降低开关频率和频率变化范围,而且在跟踪精度和动态性能上也比传统滞环比较法优越.通过MATLAB仿真表明,该策略的电流跟踪精度满足有源电力滤波器的要求.     

基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型

考虑到有机薄膜晶体管(OTFT)带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似区分扩散电流和漂移电流;采用泰勒展开来实现表面势的解析求解,得到较高的求解精度.基于变程跳跃理论,即载流子在局域态之间的热激活特征的隧穿输运机理,解释了OTFT的转移特性和温度特性.模型计算...     

Ta2O5的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响

以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低.     

高可靠硅压力式静压信号处理电路设计与实现

硅压力式静压信号处理器对接收到的硅压力传感器信号进行处理,得到控制开伞点的开关量信号.硅压力式静压信号处理器电路包括电源电路、电压跟随电路、基准电压比较电路、光耦隔离电路和三取二开关电路五部分.为提高电路性能,对部分电路的结构和参数进行优化,通过优化前、后调试结果比对研究了减小浪涌电流、抑制电源纹波、提高抗干扰能力的方法,并通过仿真计算研究了电路可靠性.结果表明:限流电阻有效抑制浪涌电流;LC滤波减小了电源纹波;依据基准电压比较电路迟滞宽度计算公式,合理调整电路阻值,可以控制迟滞宽度;三取二逻辑判断具有较高的可靠性.可见电路参数微小的调整,可以影响电路性能的合理性,优化后的电路设计合理、改进措施有效.     

功能性有机晶体管研究取得系列进展

基于质量轻、材料来源广泛和成本低等优点,有机薄膜晶体管(OTFT)显示出了广阔的应用前景并成为国际上广泛关注的前沿领域。随着OTFT性能指标的不断攀升,多功能器件的构建逐渐成为该领域最为重要的发展方向之一。近年来,中国科学院化学研究所有机固体实验室的研究人员在多功能OTFT的制备和功能应用研究方面开展了系统的研究。前期研究中,他们与国内外科研人员合作,结合超薄器件的构筑、活性层的化学     

一种低交叉调整率的多路输出正激变换器设计方法

多路输出正激变换器结构简单,可靠性高,应用广泛,但是存在交叉调整率问题,为了从根本上改善多路输出正激变换器的交叉调整率问题,提出了一种目标平均电流控制策略.通过ARM-STM32(嵌入式单片机,Acorn RISC Machine-STMicroelectronics 32)采样各路输出端的实时电压和实时电流,得到实时负载,结合期望输出电压算出目标平均电流,根据目标平均电流和多路输出正激变换器的硬件参数计算出主路开关管和每一路副边整流开关管的导通时间,由程序自动控制各开关管的导通时间来实现各输出路的输出平均电流等于目标平均电流.实验结果表明,采用输出平均电流控制的多路输出正激变换器具有小于1.6％的交叉调整率,由该策略控制的多路输出正激变换器不仅可以实现低交叉调整率,而且具有较高的电压精度.     

电流型单端初级电感变换器的不稳定性与分岔控制

基于电路平均和平均开关建模法,建立了连续模式下电流型单端初级电感变换器(SEPIC)的大信号模型.采用几何方法分析了稳态占空比对电流内环的影响,讨论了电路参数对系统稳定性的影响,并对不稳定区域中的非线性现象进行了仿真研究.理论及数值结果表明,当稳态占空比大于0.5时电流内环会变得不稳定,系统将呈现出分岔及混沌现象.基于斜坡补偿思想抑制了系统分岔的发生,扩大了系统的稳定区域.该方法不仅有助于系统参数的设计,同时也给系统稳定域边界的预测提供了一种有效的途径.     

基于有限元方法的有机薄膜晶体管性能分析

有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)是一种以有机半导体材料作为有源层的晶体管,是有机电子学的重要研究内容之一。近年来,人们在实验的基础上得到了一些OTFT的基本特性。旨在从基本的物理模型和数学模型出发,通过有限元方法对顶栅底接触式的OTFT器件进行模拟,从而在理论上将OTFT器件的部分特性表征出来。经过模拟,可以看到OTFT器件的电位分布和载流子密度分布趋势与实验得到的特性基本一致,尤其是夹断现象的产生,与实际情况基本吻合。     

MOEA/ICD:一种基于适应度指标ICD的高维多目标进化算法

已有的基于参考点(参考向量)或标量化效用函数的多目标进化算法(Multi-Objective Evolutionary Algorithm, MOEA)在求解高维多目标优化问题(Many-objective Optimization Problems, MaOPs)时存在不足。基于此,本文提出一种动态度量解个体收敛性与多样性综合性能的适应度指标(Fitness indicator considering convergence and diversity of individual adaptively,I_CD),该指标随进化过程的推进而自适应地调整种群个体的收敛性和多样性所占比例,即初期I_CD强调收敛性而后期侧重多样性,以平衡高维多目标种群的收敛性和多样性,并获得高质量的解集。进一步地,将I_CD嵌入NSGA-Ⅱ算法框架,设计一种基于I_CD的高维多目标进化算法(Many-Objective Evolutionary Algorithm Based on I_CD, MOEA/I<...     

Lp(I,E)上的最佳联合逼近

设G是Banach空间E的自反子空间,Lp(I,E)(1≤p<∞)表示定义在区间I=[0,1]上且值域为E的所有p-Bochner可积函数构成的空间. 给出Rm(m≥2)上的一个范数N(·,…,·),其中N在集合R₊m上的每一坐标是非减的,证明Lp(I,G)是Lp(I,E)上的N-联合逼近.      

一类资源约束排序问题1｜pj=bj—αjuj，∑wjCj≤Al∑uj

讨论一类资源约束排序问题1|pj=bj-αjuj，∑wjCj≤Al∑uj，给出一个求解算法，给定一个排列，该算法能求出相应这个排列的最优排序，或断定该排列无相应的可行排序。     

关于Zm子群的一个注记

讨论n整除m时Z的子群与Z的子群之间的关系以及它们对有限群的Galois作用的不同,并给出相关的例子.证明当α≥3,β≥1时,Z     

CF4/N2混合物替代SF6/N2的可行性研究

SF6具有良好的绝缘强度,但其全球温室效应指数(GWP)是二氧化碳的23 900倍,因此有必要寻找一种环境友好的绝缘气体替代SF6。从绝缘性能、协同效应和GWP三方面研究了CF_4/N_2混合物替代SF6气体的可行性。研究结果表明:CF_4/N_2混合物的工频击穿电压随气压的升高出现饱和现象;80%CF_4/N_2混合物为最佳混合比例,其绝缘性能约为同条件下纯SF6击穿电压的65%;CF_4/N_2混合物具有协同效应,协同系数在0.2~0.59之间,和SF_6/N_2的协同系数接近;CF_4/N_2混合气体的GWP值随着气体的混合比呈线性关系,80%CF_4/N_2混合物的GWP值比SF_6/N_2低很多。因此,综合考虑绝缘性能、协同效应和GWP,80%CF_4/N_2混合物有希望替代SF_6/N_2气体用于气体绝缘。     

图wn*pk的优美性

提出图wn*pk的概念,并在n≡0(mod 2)且n≥4,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)和n≡1(mod 2)且n≥5,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)时,证明图wn*pk是优美的.     

Al2O3/HfO2薄膜多值阻变存储特性

采用磁控溅射和金属剥离工艺制备了结构为p-Si/HfO2/Ti和p-Si/HfO2/Al2O3/Ti的阻变存储器。两器件均表现出双极性电阻转变特性。插入的Al2O3层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变,器件高低阻态阻值比从~61倍提高到了惊人的2.15×10^8倍。通过限制set电流的方式实现了多值存储,器件的四个阻态都能够非常稳定地在85 ℃高温下保持10^4 s,有利于多值存储的实际应用。     

ZrO2 and ZrO2 -Y2 O3 coatings deposited by double pulsed plasma arc

A novel surface technique has been developed to produce ZrO₂ and ZrO₂-Y₂O₃ coatings on the surface of alloys by using double pulsed plasma arc to react with a solution film containing nano-oxide particles. These coatings exhibit smooth surface and excellent adhesion with substrate. The morphologies of the ceramic coatings and phases were analyzed. It was shown that the oxidation resistance of 18-8 stainless steel was markedly improved by applying ZrO₂ and ZrO₂-Y₂O₃ coatings.     

Dn群与Dnh群的正规子群

Dn群的生成关系为an=b2=e,(ab)2=e;Dnh群的生成关系为an=b2=c2=e,(ab)2=(bc)2=e,ac=ca且有Dnh=Dn×{e,c}.研究了Dn群和Dnh群的正规子群.证明了Cri为Dri的正规子群,Dri不是Dn的正规子群.指出Cn与Cri为Dnh的正规子群,Crih为Drih的极大正规子群,但不是Dnh的正规子群.     

Hf0.5Zr0.5O2超薄薄膜铁电性及其晶相演变

超薄Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜在低功耗逻辑器件和非易失性铁电存储方面有着巨大的应用潜力.本文制备了不同厚度HZO薄膜，并使用不同退火温度进行处理，在最优温度条件下所制备薄膜的两倍剩余极化强度(2Pr)可达~40 μC?cm-2，其矫顽场(Ec)低至±1.15 MV?cm-1，响应速度明显优于传统铁电材料.研究表明，虽然HZO薄膜正交相(Pca21)与其铁电性有极大关系，但过高的退火温度将导致四方相(P42/nmc)向单斜相(P21/c)转变，从而降低铁电性.本研究为高性能HZO铁电器件的研究提供了参考.