M_yO_x-SiO_2型硅酸盐熔体聚合平衡常数K_(11)的量子化学估算

在我们对硅酸盐中Si-O~(br)键、Si-O~(ter)键强度及金属离子对Si—O键影响的量子化学研究基础上,提出一个分段估算M_yO_x-SiO_2型二元硅酸盐熔体聚合平衡常数K_(11)的新方法,不仅可以较准确地计算出任意体系的K_(11),而且物理意义较明确,结果将对硅酸盐材料、地球化学、火法冶金等领域的研究有一定意义。     

由键参数确定硅酸盐聚合模型的平衡常数K_(11)

WSM(whitewey,Smith和Masson)模型的平衡常数K_(11)是二元硅酸盐熔体聚合度的表征。本文讨论了某些键参数Z/r_k(金属离子的有效核电荷与离子半径比)、I_2(第二电离能)、[(Z″-σ)/n]~2(形成二价离子的Slater电子位能函数)、x_A(Allred-Rochow电负性)与K_(11)的对应关系。其中用lgK_(11)对X~3A作图得到直线关系,其经验方程可整理为:lgK_(11)=-3.75+0.845X~3A-(Z/r_k)△X~(1/3)×lg(1600/T℃)。根据该方程可以计算二元硅酸盐熔体聚合的K_(11)值。计算结果与实验结果基本相符。     

Si—Si键传递取代基效应的量子化学研究

在有机化学领域中,已经广泛开展了对C—C键传递取代基效应的研究,找到了解释静电效应及空间效应的一把钥匙。但至今只有少数人讨论了Si—Si键对取代基效应的传递。1982年,Yoder等用NMR对C—C键和Si—Si键传递取代基效应的能力进行了对比研究,测定了XSi(CH_3)_2Si(CH_3)_3(X=F,Cl,CH_3等)的化学位移及耦合常数,并由此论证了Si—Si键传递取代基的能力比C—C键弱得多的原因,认为前者是传递诱导效应的绝缘     

a—Si∶H(He)和a—Si∶H合金的光电性质

本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明用氦稀释的a-Si:H膜具有更高的光电导、更大的长波可见光吸收系数和较低的缺陷态密度,a-Si:H(He)膜是一种可供选择的廉价太阳电池的基本材料。     

酸刻蚀处理对Si(100)和Si(111)上制备CVD金刚石膜的影响

对Si(100)和Si(111)采用相同的酸刻蚀工艺,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石膜.用扫描电子显微镜、X线衍射仪和X线应力测试仪对样品的形貌、织构及残余应力进行检测、分析.研究结果表明:沉积3 h后,Si(100)和Si(111)基体上均生长出晶形比较完整,呈柱状晶方式生长的金刚石薄膜;此外,Si(100)金刚石膜表面分布着大量的微孔,通过调整沉积工艺可控制微孔的数量和尺寸,而Si(111)金刚石膜表面无微孔出现;2种基体所得薄膜都存在(111)织构,后者Si(111)还有一定的(110)织构;2种基体经酸刻蚀之后制得薄膜均无鼓泡剥离现象,二者的残余应力相差不大.     

O~(20)、Ne~(20)能谱的壳模型计算

本文利用过去得到的关于1d5/2、2d5/2壳层等效核力的二体矩阵元,计算了O~(20)的能谱。此外,补充确定了库伦矩阵元并利用这些矩阵元对Ne~(20)的能谱作了计算。计算时考虑到1d5/2、2s1/21壳层全部可能有的组态混合。结果表明:对于O~(20),理论上算出的能级结构与实验相符;对于Ne~(20),基态和实验相符,在能量比较高的地方(8—9MeV处)理论和实验符合得也很好久但对于Ne~(20)的第一激发态(2~+)和第二激发态(4~+),按照此模型完全不能解释。     

Sr_8Si_4O_(12)Cl_8∶Eu~(3 ),M~(3 )(M~(3 )=Sm~(3 ),Al~(3 ))中Eu~(3 )的敏化发光

采用高温固相法合成了碱土氯硅酸盐Sr8Si4O12Cl8∶Eu3 ,M3 (M=Sm3 ,Al3 )发光材料,并通过激发光谱和发射光谱的测试,首次在碱土氯硅酸盐体系中研究了Sm3 、Al3 三价金属离子对Eu3 发光性能的影响及其相对发光强度随组成变化的规律.实验结果表明,Sm3 和Al3 掺入可大幅度提高Eu3 的发光强度,掺入Sm3 和Al3 后Eu3 的相对发光强度分别提高了7.3%和40.5%.Sm3 和Al3 对Eu3 有很好的敏化作用,其中Al3 的敏化作用尤为突出.Eu3 和Sm3 (Al3 )的最佳掺入量(摩尔分数)为8%和5%(18%).     

几种水泥对铀(Ⅵ)滞留特性的研究

用硝酸双氧铀模拟放射性废物铀(Ⅵ)，模拟地下水为浸出液，通过固化体表面浸出实验和颗粒浸出实验研究了富铝碱矿渣粘土矿物复合胶凝材料、碱矿渣水泥、硅酸盐水泥、高铝水泥固化体对铀的滞留性能。结果表明，在实验条件下，硅酸盐水泥对放射性核素铀有较强的滞留性能。     

海洋沉积物—水界面邻近新生颗粒对Mn(Ⅱ)氧化速度的影响

模拟海洋沉积物界面邻近条件下,研究了吸附硅酸盐及Cu、Pb、Co、Ni的水合氧化铁颗粒和FeS沉淀对Mn(Ⅱ)氧化反应的影响.在每升含有毫克分子数量级的FeOOH或FeS体系中,测定结果表明,氧化速度与Mn(Ⅱ)浓度为一级反应.在水合氧化铁表面的锰氧化速率常数随着氧化铁吸附硅酸盐量的增加而下降,但吸附重金属的水合氧化铁,其速率常数依然没有显著的变化.在水合氧化铁表面或新生FeS沉淀上,Mn(Ⅱ)氧化反应的速率常数具有相同的数量级.     

SP_(an80)—P_(204)—煤油—液体石蜡液膜体系对铜的分离

本文用Span80—P204—煤油—液体石蜡组成的液膜体系对Cu~(2 )的分离,加入了液体石蜡,起到了膜溶剂和膜稳定剂的作用,提高了膜的粘度,从而提高了膜的稳定性和分离效率,加入了液体石蜡,对Span80表面活性剂用量可以减少(3/5)-(4/5),为常压破膜提供了有利条件。对于Cn~(2 )的分离,从含Cu~(2 )1000ppm经过一次处理下降到10—5ppm。达到国家废水排放标准。     

磚砌体冬季施工質量的試驗研究报告(阶段总結)

本研究的目的是,在山西太原地区冬季气温条件下,根据砌体强度的要求,确定用那一种砂浆(水泥砂浆、混合砂浆、白灰砂浆)、那一种水泥(硅酸盐、矿渣)、那一种砂(豆罗砂、太原产黑砂)、邢一种盐类(氯化钠、氯化钙)较好;砌筑质量对砌体强度影响的程度;不同砂浆列砌体变形的影响等。通过45个标准砌体的试验分析,证明:混合砂浆远远优于水泥砂浆,白灰砂浆也可应用;硅酸盐水泥较矿渣水泥为优越;砌筑质量对砌体强度有显著的影响;混台砂浆砌体的变形较水泥砂浆的为大,白灰砂浆的最大:不同的盐类和砂浆对砌体强度的影响,没有显著的差别。我们初步认为:在太原地区的冬季气候条件下,采用白灰砂浆或混合砂浆即可,不需要将砂浆标号提高一极,因此可以节约大量水泥。     

RO_4~(n-)中R—O键强度(A_(R-o)~λ)与性质的关系

为了求得RO_4~(n-)(R=Si,P,S,Se,Te,Cl)离子中R—O键强度(A_(R-O)~λ)参数与H_nRO_4,RO_4~(n-)或其盐性质之间的定量关系,采用线性回归计算,得到(A_(R-O)~λ)对RO_4~(n-)中R—O之间重叠积分,R--O键长,RO_4~(n-)的热化学半径,水合热,钾盐热稳定性,H_nRO_4一级电离常数(pKa_1)等性质之间的六个线性方程,其相关系数绝对值范围为0.9662≤|R|≤0.9988。这表明(A_(R-O)~λ)与RO_4~(n-)离子性质之间存在着良好的线性关系,计算结果与实验值相一致。     

多元络合物显色反应的研究(ⅩⅣ)——Cr(Ⅳ)—(口底)唑—CTAB体系

本文提出了用(口底)唑和 CTAB 分光光度法测定微量 Cr(Ⅵ)的新方法.本法灵敏度高,络合物在555nm 处有最大吸收,表观摩尔吸光系数为9.0×10~4/摩尔·厘米.络量在0—10μg/50ml 符合比尔定律.用 CyDTA 和 H_2,O_2掩蔽 Fe(Ⅲ)、Al(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)、Ti(Ⅳ)和 V(Ⅴ)。Cr(Ⅲ)不干扰测定.本法可应用于水中微量 Cr(Ⅵ)的测定.     

B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究

B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。     

掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)形变超晶格的局域结构.超晶格中的Ge-Ge和Ge-Si第一配位键长分别为RGe-Ge=0.243 nm和RGe-Si=0.238 nm,与晶态Ge(RGe-Ge=0.245 nm)和共价Ge-Si键长RGe-Si=0.240 nm相比,其配位键长缩短了0.002 nm,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲,Ge-Ge配位数为1.8和Ge-Si配位数为2.2显然偏离了理论的配位数Ge-Ge为3和Ge-Si配位数为1.我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释(Ge4/Si4)5超晶格的界面结构.     

Si~(29)、P~(29)、P~(31)和W~(183)的非轴对称转动能谱

我们分析了Si~(29)、P~(29)、P~(31)和W~(183)的低激发能谱,发现可以用j=1/2粒子和核心的非轴对称转动耦合的能谱来解释。     

溶剂(煤油)萃取法回收钒

最近鲁奇公司(西德)所发表的用溶剂萃取法从低含量物料中回收金属的若干工艺之一是由含铬或含磷的高炉渣中回收钒。在该工艺中,物料用碳酸钠混合焙烧,并以洗涤水浸出,然后澄清取出上层液。再调节此强碱性溶液的 pH 值,并加入少量絮凝剂,以除去溶液中的硅酸盐。接着过滤净化,在严格控制 pH 的条件下,将净液通过阴离子交换器,此交换器置于提钒用的煤汕中。残液流出此交换装置前先通过一聚结器,可使溶剂不被带出。     

铀(Ⅵ)与硅酸盐水泥成分在水热条件下的反应研究

用硝酸双氧铀[UO2(NO3)26H2O]模拟放射性核素铀(Ⅵ)，按硅钙铀矿、铀酸钙的化学计量配料，陈化一周后，再在180℃水热反应一周，用X射线衍射分析仪(XRD)检测，能合成硅钙铀矿{Ca[(H3O)(UO2)(SiO4)]2}、铀酸钙(CaUO4)。在同样条件下，检测显示硅酸盐水泥与铀反应主要生成铀酸钙。     

Au 钝化Si(100)表面的电子特性

近年来 ,在半导体衬底 (如 Si,Ga As)上生长磁性薄膜 ,在基础研究及应用领域引起人们的极大兴趣 .然而 ,由于半导体元素 (如 As,Ga,Si等 )与磁性薄膜层的相互扩散 ,很难得到高质量的薄膜 .在 Si( 1 0 0 )表面吸附 Fe时 ,有 Si扩散到 Fe层生成硅化物 (如 Fe Si,Fe3 Si,α- Fe Si2 ,3 等 ) ,这一现象严重影响了薄膜的磁性 .为了解决这一问题 ,近年来 ,人们开始利用半导体表面钝化技术来阻止这一扩散过程 .就 Si( 1 0 0 )表面而言 ,目前在实验上提出用 S,Se和 B钝化 ,但这些方法导致表面变得粗糙 ,而且不能清楚地反映阻止硅化物形成的…     

1—苯基—3—甲基—4—苯甲酰基吡唑酮—5与三辛胺协同萃取镨(Ⅲ)及钕(Ⅲ)

本文研究用一个酸性螯合草取剂HPMBP(HA)与一个液体离子交换剂三辛胺高氟酸盐HTOA~+,ClO_4~-体系协同萃取稀土元素Pr(111)及Nd(111),旨在探索其协萃机理以及此体系能否用于稀土分离。在以甲苯为溶剂水相用Na(H)ClO_4维持离子强度为0.1、pH=4条件下,用斜率法证明协萃平衡如下: 用HPMBP单独车取镨、钕时,分离系数β_(Nd/Pr)等于1.175,而协同萃取时则增大至1.45。