Mn在Si(100)表面化学吸附电子结构的研究

用TB－LMTO方法研究单层Mn原子在理想的Si(100)表面的化学吸附，计算了Mn原子在不同位置的吸附能。结果表明，Mn原在C位（四重位）吸附量稳定，在Mn/Si(100)界面存在Mn,Si混合层。同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究。     

Au 钝化Si(100)表面的电子特性

近年来 ,在半导体衬底 (如 Si,Ga As)上生长磁性薄膜 ,在基础研究及应用领域引起人们的极大兴趣 .然而 ,由于半导体元素 (如 As,Ga,Si等 )与磁性薄膜层的相互扩散 ,很难得到高质量的薄膜 .在 Si( 1 0 0 )表面吸附 Fe时 ,有 Si扩散到 Fe层生成硅化物 (如 Fe Si,Fe3 Si,α- Fe Si2 ,3 等 ) ,这一现象严重影响了薄膜的磁性 .为了解决这一问题 ,近年来 ,人们开始利用半导体表面钝化技术来阻止这一扩散过程 .就 Si( 1 0 0 )表面而言 ,目前在实验上提出用 S,Se和 B钝化 ,但这些方法导致表面变得粗糙 ,而且不能清楚地反映阻止硅化物形成的…     

内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响

近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN／GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管,激光二极管等．由于存在相分离,在InxGa1-xN／GaN异质结构InxGa1-xN激活层中会通过自组织形成纳米尺度的富In类量子点．这些富In类量子点可以看成是捕获电子