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| 内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响 | |
| 引用本文： | 危书义,夏从新,汪建广,闫玉丽.内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响[J].河南师范大学学报(自然科学版),2004,32(2):121-121. |
| 作者姓名： | 危书义 夏从新 汪建广 闫玉丽 |
| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
| 基金项目： | 河南省高校青年骨干教师资助计划，河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(2003140027，20011400009) |
| 摘 要： | 近年来，宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN／GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注，如高亮度的兰、绿色发光二极管，激光二极管等．由于存在相分离，在InxGa1-xN／GaN异质结构InxGa1-xN激活层中会通过自组织形成纳米尺度的富In类量子点．这些富In类量子点可以看成是捕获电子 |
| 关 键 词： | InGaN量子点 压电和自发极化 带间光跃迁 |
| 文章编号： | 1000-2367(2004)02-0121-01 |
| 修稿时间： | 2004年3月22日 |
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