用Sol-Gel法制备粉料及KTN陶瓷烧结研究

研究了用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备粉料和气氛烧结ＫＴＮ陶瓷的优化工艺．通过分析烧结气氛和烧结条件对ＫＴＮ陶瓷性能的影响,指出相应的最佳烧结温度为１２００℃、保温时间为８７ｈ．     

用Sol—Gel法制备粉料及KTN陶瓷烧结研究

研究了用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备粉料和气氛烧结ＫＴＮ陶瓷的优化工艺,通过分析烧结气氛和烧结条件的ＫＴＮ陶瓷性能的影响,指出相应的最佳烧结温度为１２００℃,保温时间为８７ｈ。     

掺锆SnO2酒敏陶瓷的工艺探讨

通过传统电子瓷生产工艺，研究了掺ＺｒＯ２１％Ｗｔ时制备ＳｎＯ２的工艺控制过程，在得到最佳预烧温度和烧结温度的基础上，研究了预烧与烧结温度的互补性，使用埋粉烧结法，得到了对乙醇有较高灵敏度的ＳｎＯ２陶瓷体。根据阻温特性曲线给出了最佳乙醇探测温度。     

Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材的制备工艺及电性能研究

应用传统的陶瓷制备工艺制备Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材，讨论了Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材的最佳工艺条件．用XRD衍射仪分析了预烧粉料的物相结构，并结合热失重（TG）分析确定了BST（70／30）粉料的预烧温度，用SEM观察了Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材在不同烧结温度下的显微结构，用Agilent 4294A精密阻抗分析仪测得BST靶材的介电性能，用Precise-Workshop测试BST靶材的铁电性能．实验结果表明，采用传统的陶瓷制备工艺制得晶粒较为均匀、结构致密的Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材的最佳工艺条件为：在940℃预烧2h，13000C烧结2h．     

固相法合成ZnNb2O6微波介质陶瓷的结构与性能

通过固相法合成了ZnNb2O6微波介质陶瓷,利用XRD和SEM等测试技术对其晶体结构和显微结构进行了系统研究,通过网络分析仪对材料的微波介电性能进行了测试.研究结果表明:预烧温度为800℃时就已经合成ZnNb2O6相,合成温度和保温时间对材料结构与性能有较大影响.预烧合成温度的升高和烧结时保温时间的增加,都会促使陶瓷显微结构中晶粒尺寸的增大.随着晶粒尺寸的增大,材料的Q×f值和εr显著增加,而材料的谐振频率温度系数明显向负方向增大.     

Bi2O3—ZnO—Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化。讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的ＴｉＯ２对所得ＢＺＮ系陶瓷的相组成以及介电性能的影响。结果表明,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响,锐钛型ＴｉＯ２的掺杂可优化温度系数,得到介电性能优异的ＢＺＮ陶瓷。     

Bi2O3-ZnO-Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

研究了Bi2 O3 ZnO Nb2 O5 (BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化 .讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2 对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响 .结果表明 ,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择 ,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响 ,锐钛型TiO2 的掺杂可优化温度系数 ,得到介电性能优异的BZN陶瓷 .     

氧化物陶瓷与Ag—Cu—Ti钎料的界面反应

研究了氧化铝和氧化锆陶瓷真空钎焊时陶瓷与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ钎料合金的界面反应，分析了加热温度（１０７３－１３２３Ｋ）和保温时间（０－３．６ｋｓ）对界面反应的影响规律。扫描电镜和Ｘ射线分析结果表明：两种陶瓷均与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金发生反应，反应层厚度随着漫画度和时间的增加而增加，对于氧化铝陶瓷，低于１１２３Ｋ时，反应产物为Ｃｕ２Ｔｉ４Ｏ和ＡｌＴｉ；在１１７３Ｋ以上温度时反应产物则为Ｔｉ２Ｏ，ＴｉＯ和Ｃ     

纯钙钛矿相PMN-PT的改进铌铁矿法合成

以碱式碳酸镁代替氧化镁,在1 100℃×6 h条件下合成出纯的铌铁矿相,从而避免了第二步预烧过程中焦绿石相的形成。以碱式碳酸铅代替氧化铅,在650-1 150℃不同温度下预烧2 h后的XRD相组成分析表明:预烧粉体主相为钙钛矿相的PMN-PT,随预烧温度提高,PMN-PT固溶体不断形成,同时PbO发生四方相-正交相转变,但均未出现焦绿石相。因此,该工艺特别适合在需要过量PbO来实现低温烧结制备PMN-PT陶瓷的情况。     

预烧工艺对KNLNT基陶瓷相结构和电性能的影响

采用传统固相法制备了(K0.46Na0.50Li0.04)(Nb0.85Ta0.15)O3(KNLNT)无铅压电陶瓷材料,研究了不同预烧温度和不同预烧保温时间对KNLNT基无铅压电陶瓷的相结构、显微结构和电性能的影响.结果表明:当预烧850℃保温9h时,1135℃烧结2h的陶瓷材料各项性能较佳,其电性能参数分别为d33=248pC/N,εr=1130,tanδ=0.019,Kp=0.54,Qm=70,Pr=28.38μC/cm,Ec=14.31kV/cm.     

空心莲子草吸附钴离子前后溶液pH值的变化及其红外光谱研究

用PH计和红外光谱研究了空心莲子草对Co(NO3)2的生物吸附特性，发现空心莲子草对Co^2 具有有较强的吸附能力，在达到饱和吸附前，其吸附量随Co^2 的起始浓度的增加而增加，吸附前的PH值及红外光谱表明；在吸附过程中，羟基和氨基起重要作用，Co^2 与生物材料中的氢（可能是羟基氨）发生了交换，且化学吸附和物理吸附同时起作用。     

静电纺丝技术制备Tb（BA）3phen/PVP复合纤维与发光性质研究

采用静电纺丝技术合成Tb(BA)3phen/PVP复合纤维.扫描电镜分析表明,纤维表面光滑,无交联,直径集中分布在350 nm.红外光谱分析表明,Tn3+与配体发生键合,在424 cm-1出现了Tb3+ - O2-特征振动峰.紫外-可见吸收光谱分析表明,Tb (BA)3 phen/PVP复合物的吸收带发生蓝移.激发光谱分析表明,Tb(BA)3 phen/PVP复合纤维在214-355 nm之间有较宽的吸收谱带,对应着配体的π→π*跃迁,最佳吸收波长位于275 nm.发射光谱分析表明,最强发射峰位于545 nm处,对应着Tb3+的5 D4→7 F5跃迁.     

0.85PZN-0.10BT-0.05PT陶瓷烧结工艺及性能

采用二次合成法制备了 0 .85Pb(Zn1/3Nb2 /3) O3 0 .1 0 Ba Ti O3 0 .0 5Pb Ti O3弛豫铁电陶瓷 ,探讨了烧结温度对陶瓷相结构和晶粒的影响 ,优化了烧结工艺 ,并在此基础上研究了陶瓷的介电性能和电致伸缩性能。结果表明 ,陶瓷中钙钛矿相的含量随烧结温度的升高而不断增加 ,而升高预烧温度对提高钙钛矿相的结构稳定性不利。优化烧结工艺后 ,获得了 1 0 0 %钙钛矿相的陶瓷 ,其峰值介电常数为 60 67,在电场为 2 0 0 0 V/ mm时电致应变可达 5.5× 1 0 -4 。     

N(Mg):N(Nb)为1:1时0.93PMN-0.07PT陶瓷的弛豫性能

在制备 ０．９３ＰＭＮ－０．０７ＰＴ（ＰＭＮＴ）陶瓷时,让 ＭｇＯ过剩使Ｎ（Ｍｇ）：Ｎ（Ｎｂ）（原子比）为１：１,它与ＰＭＮ的极性微区［Ｐｂ２ＭｇＮｂ］中Ｍｇ和Ｎｂ的原于比相同．测试结果表明：与以往的ＰＭＮ－ＰＴ材料（ＰＴ的原子百分数小于 ３５％）的情况不同,在ＸＲＤ图中可观测到的铁电四方相;代表极性的 Ｎｂ－Ｏ－Ｎｂ的键振动,在Ｒａｍａｎ谱中强至可以与低温时ＰＭＮ中存在长程相关的Ｎｂ－Ｏ－Ｎｂ键的振动相比较,这说明ＰＭＮＴ中的长程相关性增大．由于高铅缺位的钉扎、自由场的存在等的影响,在介电常数峰温的低温侧存在另一准弛豫铁电－准铁电性转变（ｑＲＦＥ－ｑｎＦＥ： ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）．     

化学共沉淀法制备BaTiO3陶瓷粉体及煅烧温度对粉体形貌的影响

采用化学共沉淀法制得了BaTiO3陶瓷粉体．借助热分析仪(DSC)分析了共沉淀产物的热分解过程，确定了共沉淀产物的煅烧温度范围，采用三个不同煅烧温度煅烧得到BaTiO3粉体．并借助扫描电镜(SEM)观察粉体形貌，研究了不同煅烧温度对粉体形貌的影响．结果表明，通过控制工艺条件成功地制备了粒度不超过250nm的球形BaTiO3粉体，且随煅烧温度升高粉体粒度增大。     

柴油机微粒过滤器红外再生技术研究

提出采用红外技术对蜂窝陶瓷进行再生的新方法,并对红外再生的机理及其选择性加热的特点进行了分析.介绍了红外再生加热器,并在6110A柴油机台架上进行了红外再生试验.试验结果表明:红外再生效率高于90%,红外再生过程中蜂窝陶瓷内部各位置最高温度相差小,最高温度在800~1000℃,过滤体的温度梯度小于10℃/cm,红外再生技术符合蜂窝陶瓷的热再生要求;红外功率及再生气流对蜂窝陶瓷的最高温度及再生时间有显著影响,红外再生的可控性好.     

高效红外辐射材料—Ni_yZn_(1-y)Fe_2O_4

本文就一种由金属氧化物经高温烧结制成的陶瓷材料Ni,Zn_(1-y)Fe_2O_4的红外高辐射特性,并结合结构分析,红外吸收谱等方面的研究,对这种陶瓷材料的高辐射机制进行了分析。     

热释电薄膜在红外探测器中的应用与研究进展

探讨了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式,特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求.为了克服薄膜生长过程中较高的基片温度对ROIC的破坏性影响,一方面发展了离子束辅助沉积、外延缓冲层等多种低温生长技术;另一方面发展了复合探测器结构设计,已研制出了性能良好的铁电薄膜非制冷红外焦平面阵列,其NEDT可达20 mK.     

无铅压电陶瓷研究进展

无铅压电陶瓷的研究和开发是当前压电铁电材料领域的研究热点之一.综述了Bi0.5Na0.5TiO3基、K1-xNaxNbO3基、铋层状结构、钨青铜结构及BaTiO3基5类无铅压电陶瓷的研究进展,分析和评价了陶瓷体系、改性方法、制备工艺及陶瓷的压电铁电性能,重点讨论了Bi0.5Na0.5TiO3基与K1-xNaxNbO3基无铅压电陶瓷的体系构建、相变特性及电学性能的温度稳定性等关键科学和技术问题,并就无铅压电陶瓷今后的研究开发提出了几点建议.