激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这种方法能有效地吸除金属杂质和微缺陷,能显著提高少子寿命、改善Si/SiO_2的界面特性、降低PN结的漏电流、提高击穿电压和晶体管小电流放大系数,使KD45的成品率提高50％,     

高灵敏度宽光谱范围的硅光电二极管的研究

本文利用浅PN结对短波长光的响应比较灵敏,深PN结对长波长光的响应比较灵敏的原理,提出一种壶状PN结的结构形式,以扩大光谱响应范围,提高电流响应.实验收到了预期的效果,而且与理论分析计算结果比较符合.     

PN结反向电流的温度特性

本文全面介绍了PN结反向电流及其温度特性的理论     

利用PN结温度特性测试仪测量玻尔兹曼常数

本文利用PN结正向压降温度特性测试仪,测量了PN结电压电流特性。验证了PN结电压与电流的指数关系,并利用Excel进行曲线拟合,再计算出玻尔兹曼常数。     

瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理

5×10~(16)cm~(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.     

注入判据

一、建立注入判据的必要性PN结理论是半导体结型器件的理论基础,PN结的正向电流—电压特性是这个理论基础的重要组成部分,这个理论以在小注入和大注入两种特殊情况下正向PN结空间电荷区边界处非平衡少子浓度和结电压之间的关系为基础,导出了正向PN结电流——电压之间的两种关系式,这是人们所熟知的。以均匀掺杂的N~ P结为例,即小注入(小注入条件是△n(xp )∠∠Ppo)时     

先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试

对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.     

晶体管集电结由反偏到正偏的物理过程讨论

本文简述了晶体管作开关运用时集电结由反偏状态向正偏状态转化的物理本质。在动态过程的分析中引入了非中性多子和非中性少子的新提法。得出如下结论:1.只要PN结两侧出现非中性多子(即户区出现呈现非中性状态的空穴,N区出现呈现非中性状态的电子)PN结就必然由宽变窄。反之,如PN结两侧出现非中性少子则PN结就必然由窄变宽。2.P区和N区的电中性状态是PN结宽度的稳定条件。     

利用PN结伏安特性测量电子电量

利用PN结正向压降温度特性实验组合仪,通过测量PN结的正向伏安特性,在PN结电流小于200μA情况下,采用非线性回归方法计算了电子电荷量,该测量值1.582×10-19 C,与公认值1.602×10-19 C的相对误差仅为1.2%.     

PN结二极管计算机数值模拟研究

本文研究PN结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解PN结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值分析打下基础。     

晶闸管高温特性的研究

晶闸管的结温规定为110℃～125℃,但这并不意味就是其极限工作温度,而是为用户规定了可靠的工作温度范围.针对晶闸管在高温使用时,特性变坏的情况,分析其原因,提出在半导体晶闸管制造过程中,采用合理的工艺手段、提高少子寿命和减少漏电流的方法,可防止使用温度过高,使结的漏电流增加,从而提高晶闸管的高温特性,并使正向转折电压尽量达到理论值,大大延长了晶闸管的使用寿命.     

PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计

讨论了不同温度下PN结的正向伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向伏安特性曲线随温度变化的实验,定性地分析了PN结正向伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行指数拟合测定了波尔兹曼常数,并确定了常温下PN结的反向饱和电流,从而定量地描述PN结的正向伏安特性曲线,取得了较为准确的实验结果。     

PN结在大注入条件下的数学分析

本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。     

PN结在大注入条件下的数学分析

本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。     

采用含氯氧化慢降温工艺减少P-N结漏电流

本文就P-Mos集成电路使用无位错直拉单晶时P-N结漏电流的机理进行了分析。通过实验指出,影响P-N结漏电流的主要原因与氧化层错和位错等缺陷有关。对〈100〉、〈111〉两种单晶大量重复对比实验,证明采用含氯氧化与慢降温相结合的吸杂工艺对减少P-N结漏电流的效果较好。使P-N结特性参数V_(BR)、I_R合格率由过去不合氯氧化工艺的百分之几提高到95%以上,漏电流I_R降低了1～2个数量级。     

电流加速方法评价SiGe HBT的热载流子效应

利用电流加速方法（FCSAM;E－B结反偏、C－B结正偏应力）对0.35um BiCMOS工艺SiGe HBT的热载流子效应可靠性进行了评价研究。研究结果表明,随应力时间的增加,SiGe HBT电流放大系数逐步退化,相比传统的电压加速退化方法（OCSAM：E－B结反偏）试验,FCSAM显著缩短了实验时间。     

大功率白光LED恒流驱动电路系统设计

设计了一种新型LED恒流源电路.根据LED在低电流驱动时端电压与PN结温度成线性的特点,采用＂低电流测压法＂间接测量LED的结温,防止LED结温过高,延长LED寿命.采用LT3755为LED恒流驱动芯片简化电路,并采用无电解电容的DC/DC电路延长恒流源寿命.实验结果表明：LED恒流源电路工作稳定,效率高.     

半导体色敏器件的研究

半导体色敏器件,是一种新型的半导体光敏器件.它是由同一硅基片上两个深浅不同的PN结构成.深结结深为12μm左右,浅结结深0.5μm左右.利用这两个深浅不同的PN结,对波长不同的光的短路电流响应不同,来检测入射光的波长.这种器件可以方便、快速地检测波长在5000～11000A范围内光波的波长.而且还可用于一些颜色、染料的色检查,印刷物的色判别,彩色电视彩条和彩色电影拷贝的色调等与颜色有关的各个领域.本文主要介绍硅色敏器件的基本原理、试制结果及其理论分析.     

半导体PN结温度特性实验

讨论了不同温度下PN结的正向压降和伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向压降及伏安特性曲线随温度变化的实验,定性分析了PN结正向压降及伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行曲线拟合测定了正向压降随温度变化的灵敏度、玻尔兹曼常数以及PN结的反向饱和电流,从而定量描述了PN结的伏安特性,取得了较为准确的实验结果。     

Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析

采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.