III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料．同时,III族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一．本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对Gain基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展．对III族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论．     

金属迭氮化合物中的离子极化及其对性质的影响

本文通过HMO法的计算,指出N_3~-是很容易被极化的。金属迭氮化物晶体中的离子极化程度取决于迭氮化物中阳离子的Z~(*2)/r值。作为起爆药,迭氮化物的性质是和离子极化有关的。本文讨论了离子极化对金属迭氮化物的晶体结构,能带结构以及慢速热分解机理的影响。     

V,Nb,Ti碳氮化物在铁素体中的析出与组织演变

对高含量的V，Nb，Ti三种微合金钢进行固溶与等温时效热处理试验，深入研究微合金元素碳氮化物在铁素体区中的析出行为。结果表明，在600℃时效时，钒的碳氯化物析出快，钛的碳氮化物析出较快，铌的碳氮化物析出慢；680℃时效时，钛的碳氮化物析出快，钒的碳氮化物析出最慢．铌的碳氮化物析出速度居中。若微合金元素的碳氮化物析出先于再结晶，则钢的组织主要是无碳贝氏体和粒状贝氏体组织．微合金元素碳氮化物后于再结晶析出，得到的组织主要为回火索氏体组织。     

氮化08F钢中氮化物的TEM观察及室温形变的影响

本文采用单向减薄制样法在透射电镜下观察了氮化08F铜中氮化物的形态及分布。结果表明:在氮化未形变的试样中,亚稳定的氮化物α”—Fe_(16)N_2主要是沿晶体的(100)面析出,同时在奥氏体晶界上也析出片状的氮化物。在形变氮化试样中氯化物主要是在位错缠结区和晶界处析出,而且氮化物的形态也不一样。     

催化裂化柴油不安定因素的考察

将催化裂化柴油中常见的硫化物、氮化物按一定方式添加到催化裂化柴油基础油及其模拟基础油中，将催化裂化柴油中常见的酸性化合物添加到碱洗后的脱酸柴油中，考察了这些化合物对柴油安定性的影响．研究表明，催化裂化柴油中的非碱性氮化物单独存在时可使柴油颜色变深；酸性化合物、碱性氮化物单独存在对柴油的安定性影响不大．若在非碱性氮化物、碱性氮化物、酸性硫化物或其它酸性化合物等并存的条件下，由于酸性化合物、碱性氮化物具有催速作用，柴油的安定性变得更差．     

染料敏化太阳能电池过渡金属氮化物对电极研究进展

对电极作为染料敏化太阳能电池(dye-sensitized solar cells, DSSCs)的核心部分之一,其材料的价格、性能和制备方法直接影响DSSCs的发展和应用.DSSCs常用Pt对电极价格昂贵,因此寻找低成本高性能的催化材料代替Pt对电极是降低DSSCs成本的有效途径之一.过渡金属氮化物的电子结构与Pt相似,具有高的催化活性和耐腐蚀性,价格低廉,使其具有广阔的应用前景.文章综述了利用载体与过渡金属氮化物的协同作用或将过渡金属氮化物制备成独特的纳米结构(纳米管和高度有序的阵列等)来解决过渡金属氮化物易团聚和大规模的物质运输受限制等问题.最后提出,开发双组元或多组元过渡金属氮化物和柔性过渡金属氮化物对电极可以作为未来发展方向.     

提高润滑油基础油氧化安定性的方法

采用络合白土脱氮联合工艺对兰炼减四线去蜡油进行了精制,以提高润滑油基础油的氧化安定性能。分别考察了白土精制和络合脱氮对兰炼减四线去蜡油脱氮效果的影响。实验结果表明,络合白土脱氮联合工艺可作为脱除油品中的氮化物、提高润滑油的氧化安定性的有效方法,络合剂ＴＴＳ是一种对氮化物尤其是碱性氮化物选择性较高的脱氮剂。对脱氮精制油的实验研究表明,经络合白土精制后的油品,其氮化物含量降低,氧化安定性提高,而其它物性基本不变     

新型碳氮合金化自保护硬面药芯焊丝

研制了一种碳氮合金化自保护硬面药芯焊丝,探讨了碳氮合金化硬面药芯焊丝堆焊层金属中的碳氮化物质点作用,对碳氮合金化堆焊层金属及450～650℃不同热处理温度下的硬度、金属显微组织和微区化学成分以及耐磨损性能进行了分析.结果表明:碳氮合金化自保护硬面药芯焊丝堆焊层金属中的第二相质点为Cr,Ti,V和Nb的碳氮化合物的复合物,这些化合物对堆焊层硬面金属起到析出强化的作用;弥散均匀分布的细小碳氮化物质点可使碳氮合金化硬面金属具有良好的耐磨粒磨损性能.     

V和V-N微合金化低碳钢碳氮化物的形变析出

通过热模拟压缩实验考察了V和V-N微合金化低碳锰钢在860~740℃范围内多道次变形时的组织演变和碳氮化物析出规律及其相互影响.结果表明,含V钢中添加少量的N促进了变形奥氏体中V的碳氮化物(尤其是氮化物)的析出和形变诱导铁素体相变.V的碳氮化物析出降低了奥氏体中固溶的V,从而减弱了固溶V对形变诱导铁素体相变的抑制作用.碳氮化物析出在奥氏体的局部区域造成贫碳区,也促进了铁素体形核.在相同处理工艺下与V钢相比,V-N钢中铁素体内碳氮化物开始析出的时间短,析出相的数量多,长大速度慢,分布弥散.     

主轴热误差的自组织补偿原理及其仿真

主轴热误差是工件加工误差的主要来源之一,针对传统补偿策略算法复杂、成本较高且通用性不强等问题,提出了一种基于自组织原理的主轴热误差补偿策略,它只需根据对主轴热倾斜状态的定性测量结果即可进行定量误差补偿,从而可以大大降低对误差测量精度的要求及测量成本,同时各补偿力间的协调关系根据自组织原则自动建立,简化了补偿算法。经过对某型加工中心主轴热误差进行的自组织仿真补偿,其主轴热倾斜误差减小了92%以上,热偏移误差减小了46%以上。     

多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用

简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等获得的有影响的重要创新成果.     

利用普通SMF实现10Gbit/s信号全光长距离传输的研究

数值模拟了强度调制光信号在级联光纤放大器普通单模光纤通信系统中的传输,模拟中主要考虑了自相位调制、群速色散和自发辐射噪声,使用负色散补偿光纤去补偿群速色散和自相位调制。结果表明,若色散得到很好补偿,当放大器间距减少到５０ ｋｍ 时,无误码２ ０５０ ｋｍ 传输是可能的。     

高温时H13钢中初生碳氮化物的分解研究

利用光学显微镜、扫描电镜和电子探针研究了H13钢中初生碳氮化物高温分解时的形貌、尺寸、成分变化规律.原始初生碳氮化物主要为10~30μm的长条状(Vx,Mo1-x)(Cy,N1-y)及少量方形的(Tix,V1-x)(Cy,N1-y).在1200℃保温2.5 h后碳氮化物边缘变为凹凸不平的锯齿状,然后形成细小的分解颗粒,10 h后碳氮化物平均长度减小为12.9μm,主要为(Tix,V1-x)(Cy,N1-y).当经过1250℃ ×5 h保温后87%的碳氮化物发生分解,(Vx,Mo1-x)(Cy,N1-y)溶解消失,碳氮化物长度在20μm以下,当保温时间延长到10 h后碳氮化物长度均在10μm以下,70%为方形并且93%分解形成细小颗粒,未分解的碳氮化物为(Tix,V1-x)(Cy,N1-y).电子探针分析(Tix,V1-x)(Cy,N1-y)的分解与Fe元素扩散有关,高温时Fe在(Tix,V1-x)(Cy,N1-y)中含量逐渐增加而Ti、V减少,优先在边部曲率半径较小部位或缺陷处分解,形成0.1~1μm的细小分解颗粒,并由外向内以区域溶解方式使原始碳氮化物逐渐消失.双亚点阵模型分析两种碳氮化物的平衡溶解温度和组成有关,试样中大部分(Tix,V1-x)(Cy,N1-y)平衡溶解温度在1200~1246℃之间,与实验吻合较好.     

基于残差补偿的极限学习机自编码器

极限学习机自编码器作为无监督降维方法,通过重构输入数据来提取原始样本特征,具有学习速度快、泛化性能高等优势.但经典极限学习机自编码器表示能力有限,使得重构输出和原始样本之间的残差不可避免.因此借鉴残差补偿思想,提出基于残差补偿的极限学习机自编码器,通过不断对重构残差补偿式学习来改善ELM-AE的表示能力.在6个公开数据集上进行K-means聚类实验,结果表明基于残差补偿的极限学习机自编码器(RCELM-AE)能够有效提高聚类准确率.     

Sm-Fe基化合物磁性材料研究进展

较为全面地介绍了Sm-Fe基化合物的类型及其相互关系,阐述了Sm-Fe基氮化物磁性材料的研究现状和存在问题,最后展望了Sm-Fe基氮化物的研究方向和发展前景.     

自补偿液体静压轴承静/动态特性有限元分析

对一种新型的自补偿双锥面液体静压轴承进行了理论和实验研究.介绍了自补偿双锥面液体静压轴承结构与工作原理,采用小扰动法建立了其润滑油膜的理论模型,自补偿节流公式中计入了转子移动对节流间隙的影响.采用有限元方法求解了轴承的承载力、流量、刚度和阻尼系数,通过对承载力的测试验证了模型的可行性.结果表明:自补偿双锥面液体静压轴承比同条件下固定节流静压轴承的径向承载力高,且其在较小载荷下工作时具有较高刚度.     

气体渗氮对中碳车轴钢超长寿命疲劳性能的影响

研究了气体渗氮在材料表面层由表及里逐次形成的氧化物层、氮化物层及N固溶层对中碳车轴钢超长寿命旋转弯曲疲劳性能的影响.与未处理试样相比,带有氧化物层、去除氧化物层及去除氮化物层的渗氮试样的疲劳强度逐级提高.去除氧化物层和去除氮化物层的试样在超长寿命区分别发生次表面和内部破坏.通过断口观察和断裂分析,阐明了渗氮处理材料的表面层对超长寿命疲劳性能的影响.     

JQB2起动器配用自耦变压器各线段电流的一种新算法

为了确定补偿型自耦减压起动器,采用补偿电路后的效果及自耦变压器各线段电流间关系,通过模拟试验法(即模拟起动过程负载的功率因数)及拟采用的补偿电流量,求取自耦变压器各线段电流,得到了各线段电流较准确的计算模型. 该模型揭示了补偿电路各个线段电流间的关系,使复杂的电路设计得到简化.     

智能功率因数补偿控制器

智能功率因数补偿控制器可按三种补偿控制模式对补偿电容器组进行控制．控制系统采用自识别、自适应等技术,无须设定补偿电容参数和电流互感器变流比等参数．实现了系统无调校运行．     

半导体光电子材料中的缺陷

介绍近年来在Ⅲ族氮化物和Ⅲ-Ⅴ化合物缺陷等方面的一些研究进展。并着重展示对Ⅲ族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物,以及Ⅲ-Ⅴ化合物Fe杂质和DX中心能级精细结构等研究的结果。