高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

高速钢高温形变热处理的参数

文本以Ｗ９Ｍｏ３Ｃｒ４Ｖ钢为对象，研究了其热形变后的组织状态及规律，指出了其合适的形变组织；分析和讨论了热变形参数对组织的影响，找出了这种钢高温形变热处理的变形参数。     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

准分子激光制备BIT／PLZT／BIT多层铁电薄膜的电容特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在６３０℃（ＢＩＴ）和５３０℃（ＰＬＺＴ）条件下，分别在ｐ型Ｓｉ（１００）和ｎ型Ｓｉ（１００）单晶基片上成功地淀积了ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ多层结构铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪分析电容特性，结果表明在ｐ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是顺时针方向，而在ｎ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是逆时针方向，分析了它们的ＣＶ特性曲线的记忆窗口，表明多层铁电薄膜是铁电场效应管理想的栅极材料．讨论了记忆窗口与频率的关系，表明记忆窗口大小随频率改变．ＣＶ非回线表明低频下色散大些．     

高精度激光——CCD在TP线径检测仪中的应用

激光检测技术在工业生产中得到了越来越广泛的应用，本文针对ＴＰ系列高精度线径检测仪的分析，讨论了为实现快速、非接触、高精度外径检测所需进行的系统设计和实现方法。文中重点讨论了ＣＣＤ光电转换系统的设计，提出了高频脉冲填充法处理和采集ＣＣＤ的输出信号，克服了ＣＣＤ器件本身的局限性，从而提高了系统整体分辩率和检测精度。     

微机原理及应用多媒体CAI软件设计

介绍微机原理及应用多媒体ＣＡＩ软件的组成和特点，并讨论用ＶｉｓｕａｌＣ作为开发平台来设计多媒体ＣＡＩ软件的方法．文中重点描述了软件框架的建立，并对用ＶｉｓｕａｌＣ编程的其它技巧进行了介绍．     

^138Ce的高自旋态与扁椭集体转动带

通过重离子熔合－蒸发反应＾１２４Ｓｎ（＾１８Ｏ，４ｎ）＾１３８Ｃｅ研究＾１３８Ｃｅ的高自旋态结构，实验在中国原子能科学院Ｈ－１３串列加速器上进行，束流能量为７８ＭｅＶ，经过γ－γ符合及方向关联比率ＤＣＯ的分析，建立了＾１３８Ｃｅ新的高自旋态能级图，发现了两个扁椭形变集体转动速，并对这种扁椭集体带的特性进行了讨论。     

形变退火工艺对GCr15轴承套圈球化组织和性能的影响

本文研究了ＧＣｒ１５轴承套圈的形变球化退火工艺，分析了不同工艺参数对球化效果的影响，并探讨了产生这种影响的原因．试验结果表明，采用合适的形变球化退火工艺，可以得到满足机加工要求的组织和硬度．与普通球化退火工艺相比，形变球化退火工艺不仅大大缩短退火所需时间，而且可以获得细、匀、圆的碳化物颗粒，是一种适用于中小型轴承套圈的先进生产工艺     

FeCo合金的形变织构

研究了有序Ｂ２和无序Ａ２两种不同结构状态的ＦｅＣｏ合金在冷轧变形过程中形变织物的特点。Ｂ２结构ＦｅＣＯ合金的轧制织构有别于Ａ２结构ＦｅＣｏ合金，讨论了形变行为和结构状态对金属间化材料形变机制的影响。     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺，该工艺采用了被命名为ＤＺ－１和ＤＺ－２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗，用高频Ｃ－Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果，用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０＾１０ｃｍ＾－２数量级，去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当，新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉，且无毒，无腐蚀和对人体无危害，对环境     

ATM 网络物理层信元插入的 CDV 及其容限

源流量点和ＵＰＣ控制点间的信元延迟变化（ＣＤＶ）对ＡＴＭ网络的资源分配、ＣＡＣ和ＵＰＣ控制都有着重要的影响．在文献基础上，进一步讨论了基于信元接口的ＡＴＭ网络物理层（ＰＬ）信元插入的情况，研究了信元时隙映射和ＰＬ信元插入联合作用下的ＣＤＶ，提出了不同序列不同信元的ＣＤＶ计算公式，并确定了ＣＤＶ容限．示例表明：公式计算与定义结果是一致的．     

原子光谱的图像处理研究

对利用ＣＣＤ作传感器进行原子光谱分析及图像处理的方法进行了理论和实验研究，导出了原子光谱高频噪声判据，背景噪声、压缩系数关系判据；较精确地测出氢原子巴耳末线系谱线波长及里德伯常数。     

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

淀粉在塑料研制中的应用（Ⅱ）——化学方法制备淀粉基塑料

对淀粉接权中甲基丙烯酸甲酯的人工合成方法，分析方法进行了探讨，通过正交试验对合成诸因素作了考查，并选出了最佳工艺条件，将淀粉接枝共聚物作为填料所制得的塑料保持羞与含有一般无机填料的ＰＶＣ（ＰｏｌｙＶｉｎｙｌＣｈｌｏｒｉｄｅ）相近的强度性质，当淀粉基塑料遇到土壤中的微生物时，所含淀粉接枝部分可作为培养基，它比一般惯用的ＰＶＣ塑两到獾母臁?     

ATM网络物理层信元插入的CDV及其容限

源流量点和ＵＰＣ控制点间的信元延迟变化对ＡＴＭ网络的资源分配、ＣＡＣ和ＵＰＣ控制都有着重要的影响。在文献基础上，进一步讨论了基于信元接口的ＡＴＭ网络物理层信元插入的情况，研究了信元时隙映射和ＰＬ信元插入联合作用下的ＣＤＶ，提出了不同序列不同信元的ＣＤＶ计算公式，并确定了ＣＤＶ容限，示例表明：公式计算与定义结果是一致的。     

形变时效对20MnVK钢拉伸性能的影响

对２０ＭｎＶＫ钢进行了形变时效处理，研究其性能的变化，为２０ＭｎＶＫ钢矿用圆环链预拉强化工艺提供一定的数据依据。     

聚氯乙烯的辐射交联

ＰＶＣ经交联后，其热性能、电性能、机械性能均大幅度提高，材料使用耐温等级亦相应提高．与传统的化学交联相比，采用高能电子射线进行的辐射交联方法具有产品质量好、生产工艺简单、生产效率高、能耗低、环境污染小等优点．文中综述了在多官能团单体交联剂存在下，以高能电子射线对ＰＶＣ进行辐射交联的基本原理、交联产品的性能及交联生产的工艺特点，比较了辐射交联与化学交联之间的优缺点，总结了近年来ＰＶＣ辐射交联技术在理论及工业应用中的最新进展，并介绍了辐射交联ＰＶＣ材料在电线电缆、建筑材料等领域的应用．