高频MOS—CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑｉｔ对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑｉｔ密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

一种基于神经网络的LD—CELP算法

在低延时矢量激励性线预测（ＬＤ－ＣＥＬＰ）编码算法的基础上，提出了直接矢量量化的低延迟矢量激励线性预测编码方案（ＤＶＱ－ＬＤ－ＣＥＬＰ）采用误差反向传播神经网络（ＢＰＮＮ）来实现ＤＶＱ－ＬＤ－ＣＥＬＰ方法中的码本搜索算法，实现在保持原编码方法（ＬＤ－ＣＥＬＰ）生成误音的音质和码率的同时，降低码本搜索的复杂率，提高码本搜索算法的效率。     

维生素C、刺梨汁对脂蛋白氧化修饰的抑制作用

观察了维生素Ｃ，刺梨汁和超氧化物歧化酶对体外Ｃｕ＾２＋氧化脂蛋白和低密度脂蛋白抑制作用。实验中采用硫代巴比妥酸活性物质实验和脂蛋白琼脂糖凝胶电泳法分别鉴定脂蛋白的脂质过氧化程度和负电荷的变化。结果表明，ＶｉｔＣ和刺梨汁可显著抑制Ｌｐ（ａ）和ＬＤＬ的氧化，在血浆生理ＶｉｔＣ浓度范围内，ＶｉｔＣ含量越高，则抗氧化能力越强。     

多元广义压缩最小二乘估计

引进了多元线性模型中回归系数β＝Ｖｅｃ（Ｂ）的广义压缩最小二乘估计β（Ａ），讨论了它的均方误差与均方残差的性质，指出了根据均方误差准则选取Ａ值的主要缺陷，采用了一种选取Ａ值的新准则Ｑ（Ｃ），它包含均方程差准则和最小二乘准则作为特例，并从理论上证明了Ｑ（Ｃ）准则的优良性。     

准分子激光制备BIT／PLZT／BIT多层铁电薄膜的电容特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在６３０℃（ＢＩＴ）和５３０℃（ＰＬＺＴ）条件下，分别在ｐ型Ｓｉ（１００）和ｎ型Ｓｉ（１００）单晶基片上成功地淀积了ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ多层结构铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪分析电容特性，结果表明在ｐ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是顺时针方向，而在ｎ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是逆时针方向，分析了它们的ＣＶ特性曲线的记忆窗口，表明多层铁电薄膜是铁电场效应管理想的栅极材料．讨论了记忆窗口与频率的关系，表明记忆窗口大小随频率改变．ＣＶ非回线表明低频下色散大些．     

Q235 钢 CO_2 气体保护焊与手工电弧焊的工艺对比

本文研究了在使用Ｑ２３５制造低温压力容器———气罐的生产过程中，采用两种不同的焊接方法ＣＯ２气保焊和Ｊ４２７手工电弧焊对气罐上的对接焊缝（Ｖ型坡口）进行施焊，通过对两种焊法所形成的焊接接头进行工艺评定，得出ＣＯ２气保焊的接头综合机械性能明显优于Ｊ４２７手工电弧焊，由此证明ＣＯ２气保焊更适合Ｑ２３５钢的焊接。     

全数字高清晰度电视（HDTV）传输方式—16QAM

本文概述了频道兼容Ｄｉｇｉｃｉｐｈｅｒ ＨＤＴＶ（ＣＣＤＣ ＨＤＴＶ）系统中采用的传输方式１６ＱＡＭ的调制与解调原理，同时对１６ＱＡＭ的两种不同实现方法－正交调幅法和ＱＰＳＫ迭加法作了比较，说明四相迭加法是较好的方案。     

控轧过程中KQ450钢的晶粒细化和析出物行为

通过定量金相,扫描电镜,透射电镜和Ｘ射线小角度散射方法研究ＫＱ４５０微合金钢在不同控制轧制条件下,工艺参数对其铁素体晶粒细化和析出物行为的影响,结晶表明：加热温度对ＫＱ４５０微合金钢晶粒粗化比较敏感;析出相是面心立方结构的ＮｂＣ,ＶＣ和Ｖ（ＣＮ）。析出物的平均尺寸随冷却速度的增大而减小。     

线性回归中参数选择的C_L准则和M(C)准则的等价性

本文对有偏估计量βｋ．ｓ＝（Ｘ’Ｘ＋ＱＫＱ＇）－１ＱＳＱ＇Ｘ＇［１］中的参数Ｋ和Ｓ的选择进行了讨论，给出了在ＣＬ准则下Ｋ和Ｓ的关系表达式；证明了ＣＬ准则与Ｍ（Ｃ）准则在某种意义下是等价的。     

关于QF－1环的若干性质

Ｖ．Ｐ．Ｃａｍｉｌｌｏ证明了如果Ｊ（Ｒ）是有限生成，则交换内射的ＱＦ－１环是ＰＦ环。但对于一般情况，这还是一个未解决的问题。本文取消Ｊ（Ｒ）是有限生成的条件，在其它条件下，比如Ｊ（Ｒ）是诣零且Ｊ／Ｊ２有限生成的条件，也证明了交换内射的ＱＦ－１环是ＰＦ环。同时，在挠理论下讨论了右ＱＦ－１环与ＱＦ－１分式环的关系。     

4－（8－氨基喹啉－5－偶氮）－苯磺酸钠的极谱行为研究

研究了４－（８－氨基喹啉－５－偶氮）－苯横酸钠（ＳＡＯＡＢＳ）的极谱行为。在０．０２ｍｌ／ＬＮＨ＿３·Ｈ＿２Ｏ－０．３６ｍｏｌ／ＬＮＨ＿４Ｃｌ的缓冲溶液中，ＳＡＱＡＢＳ产生两个明晰的阴极化极谱波，其二次导数波的峰电位分别为－０．５２Ｖ和－１．３０Ｖ（Ｖｓ．ＳＣＥ）。用ＳＡＱＡＢＳ的第一个波作为定量分析的基础，其线性范围为１．０×１０￣（－６）～８．０×１０￣（－５）ｍｏｌ／Ｌ。氧不干扰ＳＡＱＡＢＳ的测定。还研究了ＳＡＱＡＢＳ的电极过程及反应机理。     

（Cl2F）^＋结构和稳定性的量子化学从头计算和密度泛函理论研究

在Ｂ３ＬＹＰ,ＭＰ２,ＱＣＩＳＤ,ＱＣＩＳＤ（Ｔ）,ＣＣＳＤ（Ｔ）,ＣＢＳ－Ｑ,Ｇ２（ＭＰ２）和Ｇ２的理论水平下,对（Ｃｌ２Ｆ）＾＋的单重态和三重态进行了计算。结果表明,（Ｃｌ２Ｆ）＾＋的两种构型（ＣｌＦＣｌ）＾＋（Ｃ２Ｖ构型）和（ＣｌＣｌＦ）＾＋（Ｃｓ构型）都有可能存在,且（ＣｌＣｌＦ）＾＋比（ＣｌＦＣｌ）＾＋更为稳定。     

关于QF—1环的若干性质

Ｖ．Ｐ．Ｃａｍｉｌｌｏ证明了如果Ｊ（Ｒ）是有限生成，则交换内射的ＱＦ－１环是ＰＦ环。但对于一般情况，这还是一个未解决的问题，本文取消Ｊ（Ｒ）是有限生成的条件，在其它条件下，比如Ｊ（Ｒ）是诣零且Ｊ／Ｊ＾２有限生成的条件，也证明了交换内射的ＱＦ－１环是ＰＦ环。同时，在挠理论下讨论了右ＱＦ－１环与ＱＦ－１分式环的关系。     

三维定量构效关系最新研究进展

在简要回顾了经典的Ｈａｎｓｃｈ方法的基础上，重点讨论了４种典型的３Ｄ－ＱＳＡＲ方法，即分子形状分析（ＭＳＡ）、距离几何学方法（ＤＧ）、比较分子力场分析（ＣＯＭＦＡ）和假想活性位点阵（ＨＡＳＬ）的基本原理，并介绍了人工神经网络在３Ｄ－ＱＳＡＲ的原理和应用     

纳米硅薄膜中的量子点特征

从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒（３￣６ｎｍ）具有量子点（Ｑ．Ｄ）特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应。使用薄层（￣２０ｎｍ厚）纳米硅膜制成了隧道二极管，已在液氮温区（≈７７Ｋ）在其Ｉ－Ｖ及σ－Ｖ曲线上呈现出Ｃｏｕｌｏｍｂ台阶。对实验结果做了初步分析讨论。     

变电站电压无功优化控制器

根据电网的终端变电的二次母线（１０ｋＶ或３５ｋＶ）的接线特点,以母线电压和网损作的目标函数,以有载调压变压器和并联电容器作为调节手段,推导出变电站电压无功控制器的控制规律,并着重分析了抽头变化、并联电容器的投切效果与系统网络参数的关系。此外本文还论述了ＶＱＣ变电站电压无功能控制器的硬件、软件设计思想、主要特点及采用的新技术;介绍了现场运行的情况;提出了ＶＱＣ－Ⅱ型变电站电压无功控制器对ＶＱＣ－Ⅰ型     

与主序前星成协分子云的CO成图观测

使用美国五大学射电天文台（ＦＣＲＡＯ）的１４ｍ无线和新建立的ＱＵＡＲＲＹ接收系统对中心区ＣＯ（２－１）谱线呈现双峰特征的２个ＰＭＳ星Ｐ１１和Ｖ１５１５Ｃｙｇ进行了ＣＯ（１－０）的谱线成图观测。观测表明，无论是ＰＰ１１还是Ｖ１５１５Ｃｙｇ，其ＣＯ（１－０）谱线都在大范围内表现出双峰谱型。分析ＰＰ１１和Ｖ１５１５Ｃｙｇ红、蓝２个速度峰和峰谷速度上的等强分布可以发现，与主序前星成协且具有ＣＯ双峰谱的分子云中可能存在２种运动：一种是低速的与视线方向成某个角度的大张角的双向运动，它可能是ＰＭＳ星形成前双极外向流阶段的进一步发展（张角变大，速度变小）；另一种是起因于ＰＭＳ星风的向四外发展的膨胀的壳层运动，而在壳层内密度分布是高度团块性的，这种团块可能是新形成的ＰＭＳ星与母分子云相互作用，从而导致分子云碎裂的结果。     

梯形聚甲基倍半硅氧烷(PMSQ)/聚氯乙烯(PVC)共混物的相特性

ＰＭＳＱ／ＰＶＣ（１００／０，７０／３０，５０／５０，３０／７０，０／１００）共混物由溶液浇法制备．经透射电镜观察到该共混物呈微观分相，但两相间界面较模糊；当ＰＶＣ含量增至７０％时，发生相逆转．所有共混物的扭辫曲线均只有唯一的玻璃化转变，并且由扭辫技术测得的ＰＭＳＱ／ＰＣ共混物的Ｔｇ与由经验公式计算值相吻合，ＰＭＳＱ、ＰＶＣ在ＴＢＡ测试尺度上的相容性较好．由于ＰＭＳＱ中的ＳｉＯＨ在第一次升温中当温度高于３１８Ｋ时发生进一步交联反应，所有共混物二次加热后的Ｔｇ均比第一次升温时高，热历史对ＰＭＳＱ／ＰＶＣ共混物的Ｔｇ影响较大     

不同年龄行星状星云的CO成图观测

在行星状星云周围可能存在其前身星－ＡＧＢ星的中性包层遗迹和弱的他了谱线发射，使用美国五大学射电天文台（ＦＣＲＡＯ）的１４ｍ天线和新建立的ＱＵＡＲＲＹ毫米波接收系统对２个较年轻的行星状星云Ｍ１－７和Ｍ１－１６以及一个年老的行星状星云ＶＶ４７进行了ＣＯ分子的Ｊ＝１－０的谱线成图，得到了这些星云ＣＯ谱线积分强度的空间分布和谱线发射的速度范围，观测表明从ＡＧＢ星到行星状星云分子的分布有从球对称向非球对称过     

提高SnO2／ZnO薄膜气敏特性的穆谱研究

二次溅射薄膜ＳｎＯ２／ＺｎＯ是一种有用的气敏材料，本文用内转换电子穆谱（ＣＥＭＳ）方法，研究了它的气敏特性，实验结果表明，穆谱参数（同质异能移ＩＳ和四极分裂ＱＳ）随溅射时间和退火温度变化．与气敏特性变化规律相对照，由此找出了材料的最佳工艺参量，并讨论了气敏机理．