高频MOS-CV特性的界面态形变及其测量 |
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引用本文: | 邵志标,何丕模.高频MOS-CV特性的界面态形变及其测量[J].西安交通大学学报,1995(1). |
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作者姓名: | 邵志标 何丕模 |
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摘 要: | 讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Q(it)对高频MOS-CV特性线的形变规律,提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法,以此算出Q(it)密度在禁带中的分布,并对常规高频CV法的测量误差作了讨论和修正,由于数据的采集和处理可以由微机完成,使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。
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关 键 词: | MOS-CV方法,高频,界面态测量 |
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