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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
在脉冲静电加速器上,利用~7(p,n)~7Be反应产生的中子和使用活化法相对于Au的麦克斯韦谱的平均俘获截面,测量了kT=24keV的~(181)Ta,~(139)La,~(140)Ce和~(142)Ce麦克斯韦谱平均俘获截面,并将测量结果与文献值进行了比较.  相似文献   

2.
在2.5MeV静电加速器上,用^7Li(p,n)^7Be和T(p,n)^3He反应作为中子源,用活化法相对于Au的中子俘获截面,测量了29 ̄1100keV能区^59Co(n,y)^60Co的反应截面,并将测量结果与现有数据作了比较。  相似文献   

3.
用活化法和叠靶降能技术,测量了从4.7到26.4MeV能区反应^48Ti(α,n)^51Cr和^46Ti(α,2n)^46Cr的激发函数,实验结果同其他作者的结果进行比较,在误差范围内是一致的。  相似文献   

4.
本用活化法以^27Al(n,α)^24Na反截面为中子注量标准,测得的14.9MeV中于^65Cu(n,2n)^64Cu和^46Ti(n,p)^46Sc反应截面分别为933±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子^63Cu(n,α)^60Co反应截面值为42.3±1.5mb。单能中子由T(d,n)^4He反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的。在中还把本的结果与其他一些作的数  相似文献   

5.
在4.5MoV静电加速器上,用^7Li(p,n)^7Be和T(p,n)^3He反应作为中子源,利用活化法测量了能量从22keV到1100keV的中子引起^151Eu(n,γ)^152Eu反应的同核异能截面比。在Huizenga-Vandenbosch理论方法计算的同核异能态截面比与自旋切割因子的关系曲线上,用实验测得的同核异能态截面比确定了产物核的自旋切割因子。  相似文献   

6.
报道了从13.4MeV到14.9MeV中子能区用活化法相对^93Nb(n,2n(^92mNb的反应截面,对^148Sm(n,p)^148mPm,^144Sm(n,p)^144Pm和^150Sm(n,α)^147Nd三个反应截面的初步测量,并将所得结果和已有数据进行了比较,中子能量是用铌锆截面比法测定的。  相似文献   

7.
在2.5MV静电加速器上,利用活化法相对于^197Au的中子俘获截面,在29-1100keV中子能区测量了^98Mo(n,γ)^99Mo的反应高,并将测量结果与已有数据进行了比较。  相似文献   

8.
报告了En=13.40=14.79MeV中子能区用活化法以^27Al(n,α)^24Na截面为中子注量标准测量的^92Mo(n,p)^92mNb,^98Mo(n,p)^98mNb和^94Mo(n,2n)^93mMo的反应截面。还列举了尽可能收集到的数据,并将^92Mo(n,p)^92mNb和^98Mo(n,p)^98mNb两反应道的实验测量值与理论计算值进行了比较,中子能量是用铌锆截面比法测定的。  相似文献   

9.
利用^1H-^1HCOSY,^13C-^1HCOSY,^13C-^1H远程COSY以及选择性远程DEPT^13CNMR谱,对2,4-二硝基五环[4.3.0.0^2.5,0^3.8.0^4,7]壬烷的^1H和^13NMR谱进行了完全的归属。  相似文献   

10.
^138Ce的高自旋态与扁椭集体转动带   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过重离子熔合-蒸发反应^124Sn(^18O,4n)^138Ce研究^138Ce的高自旋态结构,实验在中国原子能科学院H-13串列加速器上进行,束流能量为78MeV,经过γ-γ符合及方向关联比率DCO的分析,建立了^138Ce新的高自旋态能级图,发现了两个扁椭形变集体转动速,并对这种扁椭集体带的特性进行了讨论。  相似文献   

11.
叙述了用^90Zr(n,2n)^89m+gZr和^93Nb(n,2n)^92mNb反应截面比测定D-T中子平均能量的方法,用硅探测器对中子平均能量进行监测,测量了6个不同点的铌锆截面比值,得到了铌锆截面比与中子平均能量的关系曲线。  相似文献   

12.
利用扭典波玻恩交换(DWBE)近似方法对类氢离子He^+,C^5+,O^7+。Na^10+,Al^12+,Cl^16+,Fe^25+,Cu28+等离子的基态及激发态的电子碰撞电离截面进行了计算。在此基础上研究了电离截面随入射电子能量和靶电荷变化的系统学规律,首次对类氢等电子系离子给出了精度较高的电离截面拟合公式和相应的拟合参数,对于快速获得大量电离截面以满足一些高技术项目的需要有重要的实用意义。  相似文献   

13.
建立了一套用于单价离子与气体分子碰撞的单电子俘获截面测量的装置,用复旦大学加速器实验室的30keV同位素分离器测量了10-30keV^144Nd^+与H2碰撞的单电子俘获截面。  相似文献   

14.
用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能H^+与类氦离子(Be^2+,B^3+,C^4+,N^5+,O^6+)和He原子碰撞的电子俘获截面,结果表明在中高能区本结果与实验较好地符合。  相似文献   

15.
22—1100keV能区Eu中子俘获截面的测量   总被引:2,自引:2,他引:0  
用活化法相对于Au的中子俘获截面,测量了22-1100keV能区^151Eu(n,γ)^152g,mEu和^153Eu(n,γ)^154Eu的反应截面,测量精度为6%-7%,并将测量结果与现有实验数据作了状态。  相似文献   

16.
基于OBK近似得到的快速α粒子与He^+和Li^2+离子碰撞中,电子俘获到激发态与基态的分截面比值及CDW方法得到电子俘获到基态的截面,计算了这两种碰撞中电子俘获到激发态的分截面和电子俘获的总截面,并对所得的结果进行了讨论。  相似文献   

17.
对温度500℃、RF氧等离子体氧化生长的SiO2形成的MOS结构进行了DLTS测量。应用能量分辨DLTS模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为3~8×10^12eV^-1cm^-2;俘获截面σn(E)约为10^-18cm^2数量级。结合准静态C-V测量研究了后退火对陷阱的影响,经400℃/30分钟、N2气氛热退火可使陷阱密度降为1~2×10^11e  相似文献   

18.
用增长率方法测量了6-30keVHe^+,Ne^+,Ar^+,Kr^+,Xe^+及Cl^+离子与H2分子碰撞的单电子剥截面,He^+的截面数量与他人数据一致,其他的截面数据在此之前未见报道。  相似文献   

19.
本用分解极化曲线法研究了某些添加剂对Ti/PbO2电极上ClO4^-离子阳极形成过程的影响,研究结果表明,F^-,ClO4^-,BrO3^-,B4O7^2-,Ba^2+等离子均使ClO4^-的阳极形成电流效率提高,而Cr2O7^2-,S2O8^2-,SO4^2-,MoO4^2-,IO46-,P2O7^4-,Fe(CN)6^4-,Ca^2+和Mg^2+等离子均使电流效率降低,根据假设的机理讨论了使  相似文献   

20.
采用冰冻脱水法和尿素水解法制备了CeO2超细粒子,研究结果表明:冰冻脱水法制备的CeO2超细粒子平均粒径为7nm,比表面为89m^2/g且分散均匀,但易烧结,尿素水解法制备的CeO2粒子呈块状多孔,平均粒径大于500nm,但比表面 127m^2/g。  相似文献   

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