Ar^＋和Cl^＋的电子碰撞电离截面测量

建立了一个离子束与电子束叉碰撞电离实验装置。测量了电子能量在３０～５００ｅＶ范围内Ａｒ＾＋和Ｃｌ＾＋的单电子电离截面。截面的误差约为±１３％。     

亚稳态离子的电子碰撞电离截面

利用扭曲波玻恩交换近似方法计算了类氖Ｓｉ＾４＋离子的基态和亚稳态的电子碰撞直接电离截面和激发自电离截面，通过比较，指出了亚稳态离子电离贡献的重要性；在考虑亚稳态离子贡献的情况下，对最近首次给出的Ｓｉ＾４＋离子的电子碰撞电离实验结果给出了合理的解释。     

6—30keV单电荷离子与H2分子碰撞的单电子剥离截面的测量

用增长率方法测量了６－３０ｋｅＶＨｅ＾＋，Ｎｅ＾＋，Ａｒ＾＋，Ｋｒ＾＋，Ｘｅ＾＋及Ｃｌ＾＋离子与Ｈ２分子碰撞的单电子剥截面，Ｈｅ＾＋的截面数量与他人数据一致，其他的截面数据在此之前未见报道。     

HCl^＋（X^2П）和HCl^—（X^2Σ^＋）的解析势能函数

采用ａｂ ｉｎｉｔｉｏ ＣＩＤ／ＭＣ－３１１Ｇ方法计算了ＨＣｌ＾＋（Ｘ＾２П）和ＨＣ＾－（Ｘ＾２Σ＾＋）的势能函数值，并根据光谱数据导出了ＨＣｌ＾＋（Ｘ＾２П）的Ｍｕｒｒｅｌｌ－ｓｏｒｂｉｅ势能函数，采用最小二乘法拟合出了ＨＣｌ＾－（Ｘ＾２Σ＾＋）的解析势能函数。     

中高能H^＋和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的…

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＾＋与类氦离子（Ｂｅ＾２＋，Ｂ＾３＋，Ｃ＾４＋，Ｎ＾５＋，Ｏ＾６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面，结果表明在中高能区本结果与实验较好地符合。     

高纯碳酸钡生产工艺的研究

探讨了复分解沉淀法生产电子级高纯碳酸钡工艺中，加料方式、反应温度、陈化时间对产物中杂质Ｃａ＾２＋、Ｃｌ＾－的影响，优选出最佳工艺条件，使产品中的Ｃａ＾２＋、Ｃｌ＾－含量均低于０．０３％。     

氯化磺B^3Π0^＋态的激光诱导荧光及碰撞动力学研究

研究了氯化碘的Ｂ＾３Π０＾＋态（振动能级Ｖ＇＝１２、１６）的发散荧光光谱和碰撞电子淬灭。借助激光诱地荧光的方法，以氩离子激光器的５０２．３ｎｍ和５１４．５ｎｍ谱线做为泵浦源，并使用稳态近似处理得到了这两个态与气态ＩＣｌ、Ｈ２Ｏ、ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＮＨ２、Ｃ２Ｈ５ＮＨ２、ＣＣｌ４和苯分子碰撞的电子淬灭速率常数和碰撞截面。我们探讨了分子间的相互作用，并且对比了ＩＣｌ和ＩＦ的     

碱卤晶格中V^2＋—X^—（X=Cl,Br）的键长

用吸收光谱实验数据和ｄ轨道理论确定了Ｖ＾２＋：ＮａＣｌ和Ｖ＾２＋：ＮａＢｒ中的Ｖ＾２＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）键长，结果表明，ＮａＣｌ和ＮａＢｒ中的Ｖ＾２＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）键长明显小于未掺杂晶格中的Ｎａ＾＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）离子距离，本文所用的方法不失为一种简单可靠的有效方法。     

（Cl2F）^＋结构和稳定性的量子化学从头计算和密度泛函理论研究

在Ｂ３ＬＹＰ,ＭＰ２,ＱＣＩＳＤ,ＱＣＩＳＤ（Ｔ）,ＣＣＳＤ（Ｔ）,ＣＢＳ－Ｑ,Ｇ２（ＭＰ２）和Ｇ２的理论水平下,对（Ｃｌ２Ｆ）＾＋的单重态和三重态进行了计算。结果表明,（Ｃｌ２Ｆ）＾＋的两种构型（ＣｌＦＣｌ）＾＋（Ｃ２Ｖ构型）和（ＣｌＣｌＦ）＾＋（Ｃｓ构型）都有可能存在,且（ＣｌＣｌＦ）＾＋比（ＣｌＦＣｌ）＾＋更为稳定。     

珠江口表层水中主要常量离子的研究

１９９４年９月采集了珠江口表层海水水样,并对其溶解态的Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、ＳＯ４＾２－、Ｃｌ等化学要素进行了测定。结果表明,珠江口调查海域表层水中溶解态的Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、ＳＯ４＾２－主要受陆源淡水与外海水物理混合稀释的影响,与Ｃｌ具有良好的直线正相关,Ｃａ＾２＋／Ｃｌ、ＳＯ４＾２＋／Ｃｌ明显高于大洋水相应比值,Ｎａ＾＋／Ｃｌ、Ｍｇ＾２＋／Ｃｌ略高,而     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

用复合势模型研究电子对原子的散射

构造了一种简化的电子与原子碰撞的复合势原子模型,并结合势能独立性原理的思想,研究了中等能量电子对原子的散射,得出了电子受原子散射的各种截面的理论计算公式,探索性地将独立性原理方法应用于电子与原子的碰撞截面的计算.应用复合势模型编程计算了电子被氦原子散射的总散射截面,计算结果与实验数据较符合.     

(e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应对三重微分截面的影响

在考虑了He原子(e,2e)过程中,剩余电子对核的有效屏蔽之后,用修正后的BBK理论计算了入射能为40eV时,共面不对称几何条件下电子入射离化He原子的三重微分截面(TDCS).结果表明:该文得到的理论曲线更接近实验数据.     

S4+离子3s2-3s3p和S5+离子3s-3p电子碰撞激发截面

利用全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了阈值附近不同入射电子能量下S~(4+)离子基态3s~(21)S_0到激发态3s3p ~3P_(0,1,2)~1P_1和S~(5+)离子基态3s ~2S_(1/2)到激发态3p ~2P_(1/2)~2P_(2/3)精细结构能级的碰撞截面,在两种关联模型下,分析了组态相互作用对碰撞截面的影响.目前的计算结果与Wallbank实验值~([14])相比,得到很好的一致性.     

初道库仑场对低能电子碰撞H电离反应的影响

基于CDS3C模型，研究了低能电子碰撞H（e，2e）反应过程．计算了能量为54．4eV的人射电子碰撞H（e，2e）反应的TDCS，将其计算结果与3C、DS3C模型所得结果与实验结果进行了比较．表明在碰撞过程中初通道存在一不可忽略的库仑场．     

70.6eV电子入射电离氦原子的理论研究

在入射能为70.6eV,两个出射电子等能分享几何条件下,分别用3C模型和DS3C模型对散射平面内以及垂直平面内电子离化氦原子的三重微分散射截面进行了计算,并把计算结果与实验结果进行了比较,系统研究了各种效应对截面的贡献.结果表明:当散射角较小时,末态各种屏蔽效应对散射平面内和垂直平面内截面幅度以及角分布均存在较强影响;交换效应对截面的贡献始终是不可忽略的.     

类硼离子C~(1+)的电子碰撞电离──单通道截面的共振增加

使用R-矩阵方法，在库仑-玻恩非交换近似下采用三态密耦图像，计算了类硼离子C1+的电子碰撞电离截面，给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面．计算结果揭示了明显的Rydberg系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Chidichimo的结论相一致．     

快D_2~+、DH~+和H_2~+通过碳膜的透射和电荷交换的研究

本文介绍了测量Mev量级单电子双原子分子离子(D_2~+、DH~+、H_2~+等)通过碳膜的透射和在碳膜中的电子损失截面、电了俘获截面的实验方法和新近的实验结果。略述了我们把Brandt-Sizmann理论扩展到D_2~+、DH~+、H_2~+与固体碳相互作用的计算。本文还得到D_2~+、DH~+、H_2~+的裸核集团在膜的出口俘获一个电子后形成电缚分子态的几率。