Al对MLNi_（3．85－x）Mn_（0．4）Co_（0．75）Al_x合金贮

采用富Ｌａ混合稀土金属（ＭＬ）对ＭＬＮｉ（３．８５－ｘ）Ｍｎ（０．４）Ｃｏ（０．７５）Ａｌｘ（ｘ＝０．１～０．５）五元贮氢合金吸放氢性能进行了测试，并计算出其热力学参数。结果发现Ａｌ含量增加，贮氢量下降，添加Ａｌ分解压降低，有利贮氢。     

LaNi_（5－x）Al_x贮氢合金的研究

用Ａｌ置换ＬａＮｉ５贮氢合金中部分Ｎｉ，得到一系列ＬａＮｉ（５－ｘ）Ａｌｘ（ｘ＝０．１，０．３，０．５）贮氢合金．通过对合金的热力学性能的测试可知：随着Ａｌ的加入及其含量的增加，贮氢合金的平台氢压降低，吸氢量有所减少，而吸氢速度有所增加．通过对合金及吸氢后氢化物品体结构的Ｘ射线衍射分析，发现Ａｌ的加入并未使晶体结构类型发生变化，只是晶格常数略有增加；同时还证明了ＬａＮｉ（５－ｘ）Ａｌｘ合金吸氢后其晶体结构也未发生变化，但晶格常数增加较大．     

多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．     

解中立型微分方程组的单参数方法的稳定性分析

研究单参数方法解中立型微分方程组ｘ＇（ｔ）＝Ａｘ（Ｌ－τ）＋Ｂｘ（ｌ）＋Ｃｘ＇（ｌ－τ）的数值稳定性性态，其中Ａ，Ｂ，Ｃ是实对称矩阵及τ＞０．并且，我们研究了稳定域的特征．     

非连续混合单调算子的耦合不动点定理

在半序拓扑空间内获得了非连续混合单调算子的耦合不动点定理：定理２设Ｘ是半序拓扑空间，Ｍ是Ｘ中的闭集，Ａ：Ｍ×Ｍ→Ｘ是混合单调算子，又设（ⅰ）Ｍ的每一个全序子集都是相对紧的；（ⅱ）存在（ｘ０，ｙ０）∈Ｍ×Ｍ使得ｘ０≤Ａ（ｘ０，ｙ０），Ａ（ｙ０，ｘ０）≤ｙ０；则Ａ在Ｍ×Ｍ中必有耦合不动点．还给出了它在Ｂａｎａｃｈ空间常微分方程中的应用．     

一类2阶边值问题的分歧点

考虑如下的２阶非线性方程的边值问题：ｘ″＝λ（Ａｘ＋Ｂｘ′）＋ｆ（ｔ，ｘ，ｘ′，λ）（０≤ｔ≤１），ｘ（０）＝ｘ（ｌ）＝０．在关于Ａ，Ｂ，ｆ的一组条件下，利用Ｋｒａｓｎｏｓｅｌｓｋｉｉ定理证明了上述问题存在分歧点。     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．     

不同制备方法镧改性对γ-Al2O3的高温热稳定作用研究

用浸渍法以及ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了镧改性的Ａｌ２Ｏ３,考虑了ｘ（Ｌａ２Ｏ３）／ｘ（Ａｌ２Ｏ３）为０．００５～０．１０时,热处理温度（６００～１１５０℃）及制备方法等因素对Ａｌ２Ｏ３的热稳定作用的影响,ＢＥＴ比表面积和粉末Ｘ光衍射结果表明,高温下镧物种的引入能显著地抑制氧化铝比表面积的损失和α相变,而且制备方法和过程不同,对Ａｌ２Ｏ３的改性效果也不同,ｘ（Ｌａ２Ｏ３）／ｘ（Ａｌ２Ｏ３）为０．０２时     

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．     

二阶微分方程的Mather集和拟周期解

考虑了二阶非线性微分方程ｘ↑．．＋ｘ＾２ｎ＋１＋∑↑ｌ↓ｊ＝０ｘ＾ｊｐｊ（ｔ）＝０，ｘ∈Ｒ＾１，其中ｐｉ（ｔ）是周期为１的函数，１≤ｉ≤ｌ≤２ｎ。证明了：如ｐｊ∈Ｃ＾２（Ｓ＾１），方程有Ｍａｔｈｅｒ集存在；对方程的一些特殊情形，证明了相应的Ｍａｔｈｅｒ集确是不变闭曲线，从而得到解的有界性。     

Tb0.3Dy0.7（Fe,M）1.95合金的晶体轴向取向与磁致伸缩性能

研究了Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７（Ｆｅ１－ｘＭｘ）１．９５（Ｍ＝Ｍｎ，Ａｌ，Ｂ，Ｔｉ，ｘ＝０．０３）合金在高温梯度区熔定向凝固过程中，晶体轴向取向，结晶形有晶体生长速度的变化规律和不同昌体轴向取向与磁致伸缩应变之间的关系，结果发现，晶体生长速度由低变，晶体由平面晶向胞状晶，胞技晶，树枝晶生长转化，晶体也相应地由〈１１０〉，〈１１２〉变化为〈１１０〉＋〈１１３〉＋〈１１２〉混合轴向取向，完全的〈１１２〉轴     

CVD 矩阵与 n-宽度的(p,q)问题

证明了ｄ２ｋ＝δ２ｋ＝ｄ２ｋ≥ｂ２ｋ，其中ｄ２ｋ、δ２ｋ、ｂ２ｋ分别表示Ａ（ＢＭｐ）在ｌＮｇ中的ｋｏｌｍｏｇｒｏｖ、线性、Ｂｅｒｎｓｔｅｉｎ型２ｋ－宽度，ｄ２ｋ表示ＡＴ（ＢｌＮｑ′）在ｌＭｐ′中Ｇｅｌ′ｆａｎｄ型２ｋ－宽度，这里Ａ（ＢＭｐ）＝｛Ａｘ：ｘ∈ＡｌＭｐ，‖ｘ‖ｐ≤１｝，其中Ａ是一个Ｎ×Ｍ的ＣＶＤ矩陈（Ｎ＞Ｍ＝ｒａｎｋＡ，Ｍ是奇数），１ｐ＋１ｐ′＝１，１ｑ＋１ｑ′＝１（１≤ｑ≤ｐ＜＋∞，ｐ≠１）．     

LMTO—ASA超原胞法计算空位有序的稳定性

用ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ超原胞法，以Ｎｂ（Ｃ１－ｘ□ｘ）为例直接计算Ｎｂ３Ｃ４□０，Ｎｂ４Ｃ３□１，Ｎｂ４Ｃ２□２，Ｎｂ４Ｃ１□３Ｎｂ４Ｃ０□４五种“样本”在不同晶格常数下的总能的变化，结合统计分布直接计算碳空位在非金属元素的ｆ，ｃ，ｃ子晶格上分布有序的稳定性，计算结果表明ＮａＣｌ型Ｎｂ（Ｃ１－ｘ□ｘ）的有序相和无序相仅在０＜ｘ＜０．５组分范围内存在，其中有序相更稳定，ｘ＞０．５时不存在上述结构     

氢化物电极失效原因探讨

采用Ｘ射线光电子能谱、扫描电镜、透射电镜及ＢＥＴ法测定比表面积，观察了两种不同组分贮氢合金电极（ＬａＭｍＮｉＣｏＭｎ和ＭｍＮｉＣｏＭｎＡｌ）在充放电过程中组成合金的元素、形貌及比表面积的变化，提出了贮氢合金电极失效原因及其历程。     

N型合金半导体的低温电子喇曼散射

研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射．根据晶格动力论,讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心的物理起因．结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中存在施主双稳态特性．在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＜０．４５）的低温持续光电导．当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的ＤＸ中心的深能态．     

LMTO－ASA超原胞法计算空位有序的稳定性

用ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ超原胞法，以Ｎｂ（Ｃ＿（１－ｘ）□＿ｘ）为例直接计算Ｎｂ＿４Ｃ＿４□＿０、Ｎｂ＿４Ｃ＿３□＿１、Ｎｂ＿４Ｃ＿２□＿２、Ｎｂ＿４Ｃ＿１□３和Ｎｂ＿４Ｃ＿□＿４五种“样本”在不同晶格常数下的总能的变化，结合统计分布直接计算碳空位在非金属元素的ｆ，ｃ，ｃ子晶格上分布有序的稳定性，计算结果表明ＮａＣｌ型Ｎｂ（Ｃ＿（１－ｘ）□＿ｘ）的有序相和无序相仅在０＜ｘ＜０．５组分范围内存在，其中有序相更稳定。ｘ＞０．５时不存在上述结构的有序或无序相。这与实验结果一致。     

基于甲苯与甲基环己烷可逆反应的贮氢技术

选用Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３和ＰｔＳｎＫ／Ａｌ２Ｏ３作为催化剂,分别研究了甲苯在低温（９０～１５０℃）下的贮氢反应和甲基环己烷的释氢反应（考虑随车脱氢的反应条件）。结果表明,甲苯的低温贮氢容易实现,贮氢量主要由甲基环己烷的释氢量决定。在常压、温度为３００～４００℃、重时空速（ＷＨＳＶ）为６ｈ－１等条件下,纯甲基环己烷进料时,其贮氢量为２．８％～６．１％．当甲基环己烷随车脱氢为汽车提供氢燃料时,应特别强调催化剂的低温活性和高温稳定性。改性的ＰｔＳｎＫ／Ａｌ２Ｏ３比ＰｔＳｎ／Ａｌ２Ｏ３（３８６１）的催化剂稳定性可提高８倍以上,但低温活性无明显改善。     

原位生成TiC/Al基复合材料的制备

采用原位法（ＸＤ法）成功地制备了ＴｉＣ／Ａｌ基复合材料,并通过ｘ－射线衍射仪及显微镜研究了自生增强体ＴｉＣ颗粒在α－Ａｌ基体中的浸润情况。结果表明：原位生成ＴｉＣ／Ａｌ基复合材料中自生增强体ＴｉＣ在基体中浸润良好,加入Ｍｇ后可使ＴｉＣ颗粒溶入的数目增多,且使其弥散细小均布于α－Ａｌ基体中（ＴｉＣ颗粒直径为（０．１～１０．０）μｍ）,晶界上无明显的偏聚。     

La0.822Sr0.178MnxO3薄膜电磁性质的研究

报道了用Ｌａ、Ｓｒ、Ｍｎ的环烷酸盐溶液,采用两次旋转覆盖的溶胶－凝胶方法在ＬａＡｌＯ３（１００）基底上合成了Ｌａ０．８２２Ｓｒ０．１７８ＭｎｘＯ３薄膜。阻温特性测量表明：当ｘ＝０．９时,样品是绝缘体;当ｘ≥０．９４４时,随着ｘ的增加,磁转变温度Ｔｃ增加,电阻率降低,用该方法得到样品的Ｔｃ比其它方法得到的Ｔｃ要高。     

跨共振点的周期扰动Duffing方程周期解的存在性

讨论Ｄｕｆｆｉｎｇ方程ｄ＾２ｘ／ｄｔ＾２＋ｇ（ｘ）＝ｐ（ｔ），此处ｇ（０）＝０，ｇ∈Ｃ（Ｒ），ｐ∈Ｃ（Ｒ），ｐ（ｔ）＝ｐ（ｔ＋２π），存在常数Ｋ＞０，｜ｇ＇（ｘ）｜＜Ｋ对ｘ∈Ｒ，及存在Ａ０＞０，Ｍ０＞０，ｘ＾－１ｇ（ｘ）＞Ａ０当｜ｘ｜＞Ｍ０下，给出了此类方程２π周期解存在的某些充分条件，扩展了已有的结果。