N型锑化铟的电导率,霍尔效应和横向磁阻效应

在77-400°K的范围内,测量了N型InSb的电导率和霍尔系数.从结果的分析中,给出电子迁移率、禁带宽度和本征载流子浓度.在三个固定的温度下,在磁场强度500-8000G范围内,测量了霍尔系数和横向磁阻随磁场强度的变化,并对得到的结果进行了解释.     

金刚石膜磁阻效应

在F－S薄膜理论的基础上,考虑了晶格散射和杂质散射,通过求解驰豫近似下的Boltzmann方程,计算了P型单晶半导体金刚石膜（矩形）在球形能带下的电导率及考虑金刚石的轻空穴带、重穴穴带和分裂带为并联电阻模型时的磁阻,给出了磁阻和金刚石膜厚度,磁场强度、迁移率的关系。研究表明：金刚石的轻空穴带、重空穴带和分裂带对磁阻的影响不相同。厚膜的磁阻和块材的磁阻相差不大,磁阻和温度、磁场强度,迁移率有密切关系。     

基于HMC1022的磁场检测装置设计与研究

根据近几年来针对电磁测试空间性发展的研究,提出一种基于磁阻传感器探头测量动态磁场强度的方法,设计采用单片机的智能化控制磁场测量装置.该装置采用磁阻传感器探头测试二维平面内任何方向的磁场强度,通过单片机控制数据的采集与处理并由LED实时显示磁场的测量值.上位机采用Lab VIEW开发软件作为平台,进一步处理和显示数据.对测试结果进行数据分析,初步表明该测磁装置的设计是实际可行的,为后期的磁场测量研究打下基础.     

Origin软件在法拉第效应实验中的应用

利用Origin软件对法拉第效应实验的数据进行线性拟合与作图。包括两项内容：一是固定光波长λ,测量旋光角α随磁场强度B的变化,做出α—B曲线,并求出费尔德常数V;二是固定磁场强度B,测量费尔德常数V随波长λ的变化,并做出V和λ^-2的关系曲线。实验表明,利用Origin软件处理实验数据与作图,具有简洁、快捷与直观等特点,避免了人为因素所造成的误差。     

锗隧道结中杂质隧道电流的温度关系

在77-300°K的温度范围里,测量了掺As锗隧道结峰值电流的温度关系。将实验结果与二级过程的杂质隧道电流理论作了比较。并且发现经非均匀结电场修正以后的公式能更好地符合实验结果。     

导体表面雷电流测量

为了对雷电流在导体表面的分布情况进行研究,研制了线圈式表面电流探头和巨磁阻表面电流测量系统,设计制作了低压脉冲源,在TEM传输室中对2种测量系统进行了实验和标定。采用这2种测量系统对矩形铝板表面电流密度进行了测量和仿真计算,实测和仿真计算结果一致。结果表明,巨磁阻表面电流测量系统可用于研究雷电流在导体表面的分布;采用合适频率的连续波,线圈式表面电流探头用于替代雷电流密度分布测量也是可行的。     

辉光放电无定形锗硅合金膜的红外吸收和氧的扩散

本工作主要着眼于锗硅合金(Si_(1-x) Ge_x∶H)红外吸收谱的某些变化和生长参数的关系,以寻求较合适的生长条件.实验中改变的参数有三个:锗含量,衬底温度,射频功率.我们首次观察到空气中的氧能扩散进某些条件下生长的锗硅合金膜.样品的制备和测量所用无定形锗硅合金膜,是在射频辉光放电中分解一定体积比的硅烷(SiH_4)和锗烷(GeH_4)淀积而成.硅烷、锗烷的纯度为99.999%,水和氧的含量都少于五百万分之一.红外测量的样品是淀积在粗抛过的高阻硅单晶片上.用涡旋分子泵把真空室抽空至真空度高于3×10~(-8)乇,然后通进硅烷和锗烷,按所要求的体积比进行混和,并把总压力固定在0.25乇.锗的含量x 在0和0.75之间变化,衬底温度在228—     

SrNdCoO_4陶瓷的磁学性能研究

采用固相烧结方法制得了具有K2NiF4结构的SrNdCoO4陶瓷,并对其磁性能进行了系统研究.结果发现,其磁化强度(M)分别在200K与20K附近随温度降低而迅速增大;150K,200K与275K下的磁化强度-磁场强度(H)曲线分别表现出铁磁性、超顺磁性及顺磁性的特征,表明SrNdCoO4陶瓷在200K附近发生顺磁-铁磁相变,引起磁化强度的迅速增大;在20K附近的磁化强度迅速增大也可从相应温度的M-H曲线特征得到解释.此外,对不同磁场强度时磁阻的温度依赖性以及两个特殊温度点20K与200K处磁阻的磁场强度依赖性进行了评价,得到一些有趣的结果.作者就以上的磁性能评价结果作了详尽分析.     

NO分子的法拉第效应激光磁共振光谱

叙述了利用法拉第效应激光器共振方法对ＮＯ分子进行定量测量，从理论上给出了光谱信号幅值的数学表达式以及信号与分子浓度，调制磁场强度等实验参数的依赖关系，实验结果与理论分析一致。     

磁场强度对切缝宽度和崩边宽度的影响

为了进一步研究磁场强度对线锯切割性能的影响,根据锯丝和磁性磨粒的磁化曲线,研究了锯丝外部磁场强度和磁性磨粒所受磁力的关系.搭建了磁性磨粒吸附观测实验平台,验证了磁力对锯丝周围的磁性磨粒产生的分区吸附效果.结合磁系与线锯切割机床,搭建了磁感应游离磨粒线锯切割实验平台,并进行了不同磁场强度下的切割对比实验.研究结果表明:在0.00~1.07×105 A/m磁场强度范围内,切缝宽度和崩边宽度随外部磁场强度的增强而减小,进一步增加磁场强度之后,切缝宽度和崩边宽度增大;磁感应游离磨粒线锯切割中的最优外部匀强磁场强度为1.07×105 A/m左右.     

Fe3O4的高压电学性质

基于金刚石对顶砧（DAC）上的原位电阻率测量技术, 测量Fe₃O₄粉末在高压下的电阻率及磁阻率, 得到了样品电阻率随压力的变化关系. 当压力大于或小于6 GPa时, 电阻率随压力的增加均呈下降趋势, 但减小的速率不同; 当压力小于6 GPa时, 样品呈正的磁阻效应; [JP2]当压力大于6 GPa时, 样品呈负的磁阻效应.  结果表明Fe₃O₄的微观结构在6 GPa发生变化.     

磁阻传感器及其在飞行体姿态测试中的应用

介绍一种新型高灵敏度磁阻传感器的工作原理和使用方法,并用该传感器对飞行体的姿态进行了测量.根据线圈切割地磁场磁力线产生感应电动势的原理,通过理论推导得出飞行体姿态测试的计算方法,设计了一种基于磁阻传感器的姿态测量系统,并对其实验数据进行了分析和处理.     

基于LabVIEW的开关磁阻电机瞬态转矩测试系统研究

根据开关磁阻电机的特性和瞬态转矩的计算原理,对开关磁阻电机的瞬态转矩测量进行了研究;并利用虚拟仪器技术和PCI-6250多功能数据采集卡开发了一个开关磁阻电机瞬态转矩测试系统.该系统根据数据采集及其相关的计算原理,结合LabVIEW以及数据配置程序MAX,通过PCI板卡对开关磁阻电机进行数据采集,可对电机的转矩、转速、相电压和相电流等瞬态特性进行瞬时测量,并可在终端客户机上进行同步波形及数值的显示,同时可由用户对实时测量的数据进行保存.     

“磁化水”质疑

探讨了水的磁化效应。从理论上分析了水的磁化机制，认为水是不能被磁化的；用高斯计测量磁化水的磁场，结果表明其磁场强度为零；将饮用水放置在磁场强度在５．５×１０＾－２特斯拉的磁化杯中磁化一小时以上，做浇花、小麦、啤酒大麦和糜子的种子发芽率实验，结果表明与用饮用水的效果完全一样。理论分析和实验均表明饮用水不能被磁化杯所磁化。     

电子—空穴液滴的一些物理性质

一、电子—空穴液滴的运动为了研究电子—空穴液滴(EHD)的运动,有些人进行了一系列的实验。这些实验主要是在远离脉冲光注入点的晶体中测量EHD到达的时间。由于EHD越过的距离依赖于晶体温度、掺杂水平和激发功率,因此人们在各自的实验条件下测得的数据不完全相同。有些实验表明EHD在锗内移动的距离在毫米范围之内。1977年J·Doehler等人用激光多普勒速度计第一次直接测量了锗中EHD的速度分布,对其运动机理提出了自己     

SiGe合金氧化层中的纳米结构(英文)

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好。     

硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构间的关系

本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系，提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明，沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系，不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。     

基于ANSYS集流型电磁流量计磁场仿真研究

一种井下集流型电磁流量计以其特殊的结构在油气井测量方面有广泛的应用前景,运用有限元软件ANSYS对这种集流型电磁流量计建立磁场仿真模型,同时提出磁场强度分布评价指标;并在该评价指标下,分析研究了电磁流量计螺线管线圈安放在不同位置时该流量计测量区域的磁场强度分布情况.研究结果表明这种集流式电磁流量计螺线管线圈位置安放在测量管道内径圆半径附近时,测量区域中磁场强度分布效果较佳.     

SiGe合金氧化层中的纳米结构

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好.     

双凸极式变绕组双模起动发电机及其电磁特性

为了拓宽开关磁阻起动发电系统调压范围,简化控制系统,提出一种双凸极式变绕组双模起动发电机;即通过绕组的变换,实现起动状态与发电状态变原理运行,在保证电机具有开关磁阻电机优良起动性能的同时,简化了发电状态的调压控制系统。基于该电机的特殊结构和控制特点,搭建带整流管的不对称功率变换模块和绕组切换模块;运用等效磁路法研究定子极弧系数对励磁绕组自感的影响规律,确定了最优定子极弧系数;应用场路联合仿真对电机起动过程和发电过程进行数值分析。通过实验验证所提出电机及控制方法的可行性和合理性。